Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Chapitre IV : Filtre actif LC compensé du premier ordre
NF
min
DC
T
2
T
DC
DC
141
2
2
n 2Jc
f 1 n
( Jc)
= 1+
+ ( re
+ rb
)( + ) +
(IV-14)
β V f β β
(re et rb sont respectivement les résistances émetteur et base du transistor, fT la fréquence du
gain en courant unitaire, f est la fréquence de fonctionnement, Jc est la densité de courant
collecteur, n est un facteur de jonction entre 1 et 1,2. Vt=kT/q).
Pour augmenter la linéarité, les deux inductances de dégénérescence ont été utilisées ;
ces inductances servent aussi à augmenter la partie réelle de l’impédance d’entrée de
l’amplificateur.