Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Chapitre I : Analyse bibliographique
[II,16] 2004
[II,17] 2004
50 Khz-
2 Mhz
Bandebasse
[II,18] 2003 20 Mhz 20Mhz
[II,19] 2003 1,5 - 12 Mhz
3eme-ordre
Gain en
tension=
10 dB
5eme-ordre
6eme-ordre
elliptique
[II,20] 2003 10,7 Mhz 2eme-ordre
[II,21] 2003 4-10 Mhz 10 Mhz
[II,22] 2003
200 Khz-
2,5 Mhz
4eme-ordre
[II,23] 2003 1,5 Mhz 5eme-ordre
[II,24] 2002 45 Mhz
[II,25] 2002 5 MHz 4eme-ordre
[II,26] 2002 3 Mhz 1 Mhz 14eme-ordre
[II,27] 2002
2,68 Mhz et
132 Khz
[II,28] 2002 1,92 Mhz
[II,29] 2002 1 Mhz
[II,30] 2001
900 Mhz-
1,1 Ghz
Q=2,5
[II,32] 2001 1 Ghz Q=0,8-2,8
3eme-ordre
5eme-ordre
20 dB
4eme-ordre
chebyshev
4eme-ordre
Chebysheve
[II,33] 2001 54-74 Mhz Q=50 -70 4eme-ordre
[II,34] 2001 70 Mhz
Q=350
BW=
200 Khz
6eme-ordre
gain=30 dB
[II,35] 2001 70 Mhz Q=5-110 4eme-ordre
[II,36] 2001 10,7 Mhz
[II,37] 2001
fp=0,93
fs=1,82 Mhz
[II,38] 2000 0,4 -2,3 GHz
Q=40
Df-3db=420
Khz
∆f-3db=1,02
Mhz
[II,39] 2000 500 Mhz ∆f=10 Mhz
[II,40] 2000
50,5 Mhz et
70 Mhz
[II,41] 2000 10,7 Mhz
BP= 200
Khz(50,5
Mhz-
Q=250)
BP= 3,5 Mhz
(70 Mhz-
Q=20)
Q=100
BW=
(100-350)
3eme-ordre
Amin=
44,08 dB
Amax=
064 dB
6eme-ordre
Gain=30 dB
IIP=
-7 dBm
IP-1dB =
-0,9dBm
IIP3=
9,3 dBm
109,5
uA
rms
IIP3=
-9,25
dBm
IIP3=-10
dB
IIP3=
-9,25
dBm
IIP3=
-12 dBm
IIP3=
-10 dBm
BiCMOS
SiGe
0,25 µm
1µm st
microele
ctronics
CMOS
0,18 µm
CMOS
0,18 µm
CMOS
0,6 µm
CMOS
0,18 µm
CMOS
0,35 µm
CMOS
0,35 µm
CMOS
0,25 µm
BiCMOS
SiGe
0,25µm
CMOS
0,25 µm
CMOS
0,35 µm
CMOS
0,35 µm
CMOS
0,35 µm
CMOS
HP
0,5 µm
CMOS
0,35 µm
CMOS
CMOS
0,8 µm
n-well
CMOS
0,6 µm
CMOS
0,5 µm
Filtre Gm-C
Filtre Gm-C
Filtre Gm-C
2,5 mW,
7,3 mW
pour
2,5V
7,5 mA
pour
1,8V
Filtre Gm-C 1,8V
Filtre Gm-C
Filtre Gm-C
Filtre Gm-C
45 uA
1,5 V
1,3V-
2,1V
600 uA
pour 2,7
V
34 mW
pour +-
2,5V
Filtre Gm-C 1,8V
Filtre Gm-C
Filtre Gm-C
Filtre Gm-C
RGC(vertical
connection regulated
cascode biquad)
Regulated cascode
structure-biquadratic
filter -low voltage
current mode
Gm-C + AGPLL
(adaptive gain
locked loop)
Gm-C
6 mW
pour
2,5V
19mA/
0,45mA
pour
2,5V
7mA/ch
pour
2,7V
1mW
pour 2,5
V
2,4 et
1,5 mW/
2,1 mW
2,4 V
710 uA
2,2 V
2,5 V
120 mW
Gm-C 2,2 V
Diff structure +
multiple-input
floating gate
TR-Gm-C
Gm-C Stabilité a
mode commun
Filtre Gm-C
Local -ve feed-back
Gm-C
Gm-C
1,2 V
(1,4 V)
1,8 V
1,73
mW
65 mW
sous 5V
3,78
mW
2,5 V
120 mW
1,2V/1,5
V
Filtre
passe-bas
Filtre
passe-bas
Filtre
passe-bande
Filtre
passe-bas
Filtre
passe bande
Filtre
passe-bas
Filtre
passe-bas
Filtre elliptique
passe-bas
Filtre
passe-bas
Filtre
passe-bas
Filtre
passe-bas
Filtre
Passe-bas
Filtre
Filtre
Passe-bande
Filtre
passe bande
Filtre
Passe-bande
Température 0-80°
DR=45 dB
Réalisation
0,48 mm²
Réalisation
0,37 x 0,7 mm²
1200 x 600 µm²
0,83 mm²
1000 x 600 µm²
350 x 320 µm²
0,8 mm²
Réalisation
1,64 mm²
Réalisation
2,9 mm²
0,1 mm²
DR=35-41 dB Simulation
SFDR =42,4 db
DR= 44,9 db 1%
THD
Vnoise= 19 uV/srHz
tuning automatic
DR=66 dB
bruit equivalent=
81 nV/sqHz
Vnoise= 19 uV/srHz
tuning automatic
(On-chip)
Simulation
Simulation
Réalisation
0,8 x 1,2 mm²
Réalisation
Filtre Simulation
Filtre DR=41 dB
4 sections
de Gm-C
Current
convoyor CCII
Filtre passe
bande +
auto-tuning
Point de
compression =
-21 dBm et -56 dBm
Bruit equivalent-36,3
uV, DR=66 dB
Réalisation
1 mm²
Réalisation
0,16 mm²
Simulation
Réalisation
0,8 x 1,2 mm²
Filtre THD=0,4%/0,8% Simulation
[II,42] 2000 10,7 Mhz 1,2 V Simulation
[II,43] 1999 150 Mhz 7eme-ordre
BiCMOS
0,29 µm
180 mW
[II,44] 1999 10-100 Mhz 13 dB
BiCMOS
0,29 µm
Filtre Gm-C
120 mW
pour 3V
[II,45] 1999 10 Mhz 1,5V
[II,46] 1999 450 Khz
[II,47] 1998 1 Mhz
∆f-3db=21
Khz
∆f-3db=163
dB
Gain=
-6 dB a 3dB
3eme-ordre
CMOS
0,35 µm
CMOS
1,2 µm
n-well
Gm-C
Fully diff Gm-C+
micropower class AB
VI converter
2,5 V-
2,6V
4,8 mA
1,5 V
138 uW
Intégrateur
Gm-C
Filtre passe
bande
Tuning time < 2ms
de 420-770Mhz +/-
0,5 %
Réalisation
0,5 mm²
Réalisation
2,5 mm²
Filtre elliptique THD=1,8% Simulation
35