Lista e mallrave me përdorim të dyfishtë - Autoriteti Kontrollit ...

K-1 ose më pak matur në 293 K (20° C)
15. ‘Shtresat dielektrike’ janë veshje të ndërtuara nga shumë shtresa izolatorësh materialesh në të cilët
vetitë interferuese të një projekti të përbërë prej materialesh me tregues të ndryshëm refraktiv, janë përdorur për të
reflektuar, transmetuar apo përthithur gjatësi të ndryshme valësh. Shtresat dielektrike i referohen më shumë se
katër shtresave elektrike apo shtresave “kompozite” dielektrike/metali.
16. ‘Karbit tungsten i çimentuar’ nuk përfshin prerjen dhe formimin e materialeve vegla që konsistojnë në
karbit tungsteni/ (kobalt, nikel) karbit titani/(kobalt, nikel), karbit kromi dhe karbit kromi/nikel.
17. “Teknologjia” e dizenjuar posaçërisht për depozitimin e diamanteve si karbon mbi ndonjërin si më
poshtë nuk kontrollohet.
18. Disk driverat dhe kokat magnetike, pajisjet për fabrikimin e materialeve me një përdorim valvat për
rubineta, diafragma akustike për folësa, pjesë inxhinierike për automobila, vegla prerëse, makineritë goditëseshtypëse,
pajisjet e automatizmit të zyrave, mikrofonave ose pajisejve mjekësore apo kallëpeve, për derdhjen apo
dhënien formë të plastikave, prodhimeve të aliazheve që përmbajnë më pak se 5% beril.
19. ‘Karbit silikoni’ nuk përfshin prerjen dhe dhënien formë të materialeve për vegla.
Substratet e qeramikës, siç është përdorur në këtë hyrje, nuk përfshin materialet e qeramikës që
përmbajnë 5% të peshës, ose më shumë, argjilë ose përbërje çimentoje, si përbërës të ndarë ashtu dhe në
kombinime.
a) Proçese të përcaktuara me hollësi në Kolonën 1 të Tabelës janë përkufizuar si vijon:
a) Depozitimet kimike me avull (CVD) është një veshje me shtresë ose proçesi i veshjes për modifikimin
e sipërfaqes brenda metalit, aliazheve, “kompoziteve” dialektike ose qeramika është e depozituar sipër një
substrati të nxehtë. Reaktantët e gaztë janë shpërbërë ose kombinuar në afërsi të substratit që ndodhet në
depozitimin e elementit të dëshiruar, aliazh ose material i përbërë mbi substratin. Energji për këtë proçes
shpërbërje apo reaksioni kimik mund të sigurohen nga nxehja e substratit, nga shkarkimi vezullues i plazmës ose
nga rrezatimi “lazer”
N.B. 1 CVD përfshin proçeset që vijojnë: rrjedhje gazi e drejtuar jashtë tufës së depozitës, CVD
pulsuese, depozitim termal nuklear i kontrolluar (CNTD), rritje të plazmës ose plazma e asistuar nga proçeset
CVD.
N.B. 2 Tufa shënon një substratë të zhytur në një përzierje pudre.
N.B. 3 Reaktantët e gazit e përdorur në një process jashtë tufës janë prodhuar duke përdorur reaktantët
bazë të njëjtë dhe parametrat e proçesit të çimentimit të tufës, përveçse substratit që do të vishet nuk është në
kontakt më përzierjen e pudrës.
b) Avvullim Termik-Depozitim Fizik me Avull (TE-PVD) është një proces i mbulimit me veshje i
ndërmarrë në një vakuum me trysni më pak se 0,1 Pa Brenda të cilit një energji termike është përdorur për të
avulluar materialin veshës. Ky proçes rezulton me kondensimin, apo depozitimin, e lëndëve të avulluara në
substrate të pozicionuara ashtu siç duhet.
Shtimi i gazeve në dhomën e vakumit gjatë proçesit të veshjes për të sintetizuar veshje të përbëra është
një modifikim i zakonshëm i proçesit.
Përdorimi i rrezeve të joneve apo elektroneve, ose plazmës, për të aktivizuar apo asistuar depozitimin e
veshjes është gjithashtu një proçes i zakonshëm në këtë teknikë. Përdorimi i monitorëve për të siguruar matjen
gjatë proçesit të karakteristikave optike dhe të trashësisë së veshjes mund të jetë një tipar i këtij proçesi
Proçeset specifike të TE-PVD janë si vijon:
1. Rezet e elektroneve PVD përdorin një rreze elektroni për të nxehur dhe avulluar materialin i cili
formon veshjen;
2. PVD rezistente ndaj nxehtësisë të asistuara nga jonet përdorin burime elektrike ndaj nxehtësisë në
kombinim me goditjen me rreze jonesh për të prodhuar një fluks uniform dhe të kontrolluar të lëndëve veshëse të
avulluara;
3. Avullimi me “lazer” përdor si valë me rreze “lazer” pulsuese ashtu dhe të vazhdueshme për të
vaporizuar materialin i cili formon veshjen;
4. Harku i Depozitimit Katodik përdor një katodë të konsumueshme prej materialit i cili formon veshjen
dhe ka një hark shkarkimi të vendosur mbi sipërfaqen nga një kontakt momental prej një këmbëze tokësore.
Lëvizja e kontrolluar e harkimit gërryen sipërfaqen e katodës duke krijuar një plazmë me jonizim të lartë. Anoda
mund të jetë ose një kon bashkangjitur periferisë së katodës nëpërmjet një izolanti, ose një dhomë. Anshmëria e
substratit përdoret për një depozitë jo në një linjë me shënjestrën.
N.B. Ky përkufizim nuk përfshin Depozitime të rastit të harkut të katodës me substrate jo të anshme.
5. Fleta e joneve është një modifikim special i një proçesi të përgjithshëm të TE-PVD në të cilin një
plazmë ose një burim joni është përdorur për të jonizuar lëndët që do të depozitohen, dhe një anshmëri negative i
është aplikuar substratit në mënyrë që të lehtësohet nxjerrja e lëndëve nga plasma. Prezantimi i specieve reaktive,
avullimi i solideve brenda dhomës së proçesit, dhe përdorimi i monitorëve për të siguruar matjen në proçes të
karakteristikave optike dhe të trashësisë së veshjes janë modifikime të zakonshme të proçesit.