MEMS: Mikro Elektro Mechanische Systeme
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� Wafer wird mit einem Plasma 'bombardiert'<br />
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Trockenes Plasma - Ätzen<br />
� Die Ionen des Plasmas werden durch elektrisches Feld senkrecht auf den Wafer zu beschleunigt<br />
� Dadurch sehr anisotropes Ätzen möglich (Ionen treffen hauptsächlich den Boden ⇒ senkrechte Wände!)<br />
� Die Chemie des Ätzens wird durch die Zusammensetzung des Plasmas bestimmt<br />
� Beispiel für Reactive Ione Etching (RIE):<br />
Plasma aus 3 Komponenten:<br />
- SF 6 ⇒ F* - Radikale<br />
- O 2 ⇒ O* - Radikale<br />
- CHF 3 ⇒ CF x + - Ionen<br />
Jede der Komponenten hat eine spezielle Aufgabe:<br />
- F* ätzt chemisch Silizium zu flüchtigem SiF 4<br />
- O* passiviert die Si-Oberfläche mit SiO x F y<br />
- CF x + löst die SiOx F y – Schicht vom Boden zum flüchtigen CO x F y<br />
� Dadurch bei 'richtiger' Mischung sehr glatte Wände.<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 4
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