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MEMS: Mikro Elektro Mechanische Systeme

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VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

<strong>MEMS</strong>:<br />

<strong>Mikro</strong> <strong>Elektro</strong> <strong>Mechanische</strong> <strong>Systeme</strong><br />

http://www.mems-exchange.org/<strong>MEMS</strong>/what-is.html<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 1


� Die Integration von<br />

- mechanischen Elementen<br />

- Sensoren<br />

- Aktuatoren<br />

- <strong>Elektro</strong>nik<br />

auf einem gemeinsamen Siliziumsubstrat<br />

VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Was sind <strong>MEMS</strong> ?<br />

� Simultane Herstellung vieler <strong>MEMS</strong> auf Wafern (wie bei Chips) mit ähnlichen Technologien<br />

� Meist werden zu einem 'normalen' Chip-Prozess weitere 'Micromachining' Schritte hinzugefügt.<br />

� Diese Prozessschritte dürfen die fertigen Schaltungen (CMOS, Bipolar oder BiCMOS) nicht zerstören!<br />

� Hauptschritte sind<br />

- Ablagerung von ('dicken') Materialschichten<br />

- selektives, meist anisotropes Ätzen<br />

� Man unterscheidet<br />

- 'bulk micromachining' (tiefe Löcher, Waferbonden,.. – hier nicht weiter behandelt)<br />

- 'surface micromachining' (flache Strukturen auf der Oberfläche)<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 2


� Sehr einfach (Wafer wird in Flüssigkeit getaucht)<br />

� Für sehr feine Strukturen weniger geeignet<br />

� Meist Isotrop, d.h. gleichmäßig in alle Richtungen)<br />

� Mit speziellen Chemikalien (KOH) auch anisotrop<br />

VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Naßchemisches Ätzen<br />

� Verschiedene Lagen können als Ätzstopp dienen, z.B.<br />

- eine dotierte (implantierte) Schicht in der Tiefe<br />

- eine SiO 2 Schicht in der Tiefe (SIMOX)<br />

Lack<br />

Silizium<br />

Dotiertes Silizium<br />

Silizium (Substrat)<br />

anisotrop (KOH)<br />

isotrop<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 3


� Wafer wird mit einem Plasma 'bombardiert'<br />

VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Trockenes Plasma - Ätzen<br />

� Die Ionen des Plasmas werden durch elektrisches Feld senkrecht auf den Wafer zu beschleunigt<br />

� Dadurch sehr anisotropes Ätzen möglich (Ionen treffen hauptsächlich den Boden ⇒ senkrechte Wände!)<br />

� Die Chemie des Ätzens wird durch die Zusammensetzung des Plasmas bestimmt<br />

� Beispiel für Reactive Ione Etching (RIE):<br />

Plasma aus 3 Komponenten:<br />

- SF 6 ⇒ F* - Radikale<br />

- O 2 ⇒ O* - Radikale<br />

- CHF 3 ⇒ CF x + - Ionen<br />

Jede der Komponenten hat eine spezielle Aufgabe:<br />

- F* ätzt chemisch Silizium zu flüchtigem SiF 4<br />

- O* passiviert die Si-Oberfläche mit SiO x F y<br />

- CF x + löst die SiOx F y – Schicht vom Boden zum flüchtigen CO x F y<br />

� Dadurch bei 'richtiger' Mischung sehr glatte Wände.<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 4


VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Beispiel für Plasma Ätzen<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 5


VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Opferschichten<br />

� Werden benötigt, um freitragende Strukturen und Membranen herzustellen<br />

Opferschicht aufbringen<br />

Opferschicht strukturieren (spätere Befestigungspunkte)<br />

obere Lage aufbringen<br />

obere Lage strukturieren<br />

Entfernen der Opferschicht<br />

Eine geschlossene Struktur<br />

(Membran) benötigt Löcher in<br />

der oberen Lage zum Ätzen<br />

der Opferschicht. Die Löcher<br />

können später z.B. mit CVD<br />

verschlossen werden<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 6


VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

freitragende Strukturen<br />

� Mit zunehmender Reduktion der Strukturgröße L werden Strukturen immer steifer:<br />

Die Massen sinken wie L 3 , die Biegemomente aber nur wie L 2 .<br />

'Gewicht'<br />

Aufhängung<br />

Aufhängung<br />

Auslese<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 7


VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Probleme<br />

� Die Technologie ist nicht ganz so einfach, da sich die Strukturen durch Spannungen durchbiegen können<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 8


1. Widerstand mit<br />

Piezoeigenschaften<br />

('Dehnungsmeßstreifen')<br />

2. Kapazität<br />

VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Messung der Ablenkung<br />

Beispiel:<br />

Drucksensor<br />

Poly-Si Meßstreifen<br />

Membran aus Nitride<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 9


� Kraft wird elektrostatisch erzeugt: 'Comb-Drive':<br />

VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Bewegliches Teil<br />

Bewegung<br />

� Mit diesem Prinzip sind nur kleine Auslenkungen möglich<br />

U = 0: keine Kraft<br />

U < 0: Kraft nach links<br />

U > 0: Kraft nach rechts<br />

� Die elektrostatische Kraft kann benutzt werden, um bei der Messung von Auslenkungen gegenzuregeln,<br />

so daß die Kapazität konstant bleibt. Dadurch ist ein größerer Meßbereich möglich.<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 10


Messung und<br />

Gegenregelung x<br />

(Combdrive)<br />

VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Beispiel: xy-Beschleunigungssensor<br />

Aufhängungspunkt<br />

freitragende Masse<br />

Anschlag ?<br />

Federn<br />

Löcher zum Ätzen<br />

ADXL202(E) der Firma Analog Devices<br />

Messung und<br />

Gegenregelung x<br />

(Combdrive)<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 11


� Verschiedene Möglichkeiten, z.B.<br />

VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Verkippungen<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 12


VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

<strong>Mikro</strong>spiegel mit 2 Freiheitsgraden<br />

http://buffy.eecs.berkeley.edu/ResearchSummary/03abstracts/chapter4.html<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 13


VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Größere Wege<br />

� Ein bewegliches Element wird stückweise weiterbewegt.<br />

� Eine Kupplung verbindet das Element jeweils mit einem Vorschubelement:<br />

Rückstellfeder<br />

Vorschub<br />

Kupplung<br />

BIDIRECTIONAL INCHWORM MOTORS AND TWO- DOF ROBOT LEG OPERATION<br />

Presented by Dr. Seth Hollar with Sarah Bergbreiter, Professor Kris Pister<br />

University of California, Berkeley - BSAC<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 14


VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Beispiel: 'Walking Robot'<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 15


� Erste Gehversuche: Siehe Videos<br />

VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

'Walking Robot'<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 16


VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Details der Beine<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 17


VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Wozu <strong>MEMS</strong> ?<br />

� Viele Anwendungen in unterschiedlichen Bereichen:<br />

einige existieren bereits, andere sind in der Entwicklung, weitere werden folgen<br />

� Niedrige Kosten durch parallele Massenfabrikation und Integration aller (oder vieler) Systemkomponenten<br />

� Miniaturisierung<br />

� Bei Sensoren ist Auswerteelektronik direkt am Sensor, so daß S/N optimal ist<br />

� Beschleunigungs-, Drehraten-, Vibrationssensoren<br />

� Magnetsensoren, Temperatursensoren, chemische Sensoren<br />

� <strong>Mikro</strong>motoren, <strong>Mikro</strong>roboter<br />

� <strong>Mikro</strong>ventile, Pumpen, ... ('lab on a chip')<br />

� Druckköpfe<br />

� <strong>Mikro</strong>spiegel (Beamer, optische Crossbars,...)<br />

� Mini-<strong>Mikro</strong>phone<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 18


VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />

Wer kann <strong>MEMS</strong> herstellen ?<br />

� Die meisten großen Firmen arbeiten massiv an der Entwicklung von Technologien<br />

� Immer mehr Produkte kommen auf den Markt.<br />

� In Europa gibt es von Europractice eine <strong>MEMS</strong>-Initiative:<br />

Wie bei den Chips können Universitäten und kleine Unternehmen Software für den Entwurf erhalten und<br />

die <strong>MEMS</strong> auf MPW (Multi Project Wafer) Runs fabrizieren lassen.<br />

P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 19

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