MEMS: Mikro Elektro Mechanische Systeme
MEMS: Mikro Elektro Mechanische Systeme
MEMS: Mikro Elektro Mechanische Systeme
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
<strong>MEMS</strong>:<br />
<strong>Mikro</strong> <strong>Elektro</strong> <strong>Mechanische</strong> <strong>Systeme</strong><br />
http://www.mems-exchange.org/<strong>MEMS</strong>/what-is.html<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 1
� Die Integration von<br />
- mechanischen Elementen<br />
- Sensoren<br />
- Aktuatoren<br />
- <strong>Elektro</strong>nik<br />
auf einem gemeinsamen Siliziumsubstrat<br />
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Was sind <strong>MEMS</strong> ?<br />
� Simultane Herstellung vieler <strong>MEMS</strong> auf Wafern (wie bei Chips) mit ähnlichen Technologien<br />
� Meist werden zu einem 'normalen' Chip-Prozess weitere 'Micromachining' Schritte hinzugefügt.<br />
� Diese Prozessschritte dürfen die fertigen Schaltungen (CMOS, Bipolar oder BiCMOS) nicht zerstören!<br />
� Hauptschritte sind<br />
- Ablagerung von ('dicken') Materialschichten<br />
- selektives, meist anisotropes Ätzen<br />
� Man unterscheidet<br />
- 'bulk micromachining' (tiefe Löcher, Waferbonden,.. – hier nicht weiter behandelt)<br />
- 'surface micromachining' (flache Strukturen auf der Oberfläche)<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 2
� Sehr einfach (Wafer wird in Flüssigkeit getaucht)<br />
� Für sehr feine Strukturen weniger geeignet<br />
� Meist Isotrop, d.h. gleichmäßig in alle Richtungen)<br />
� Mit speziellen Chemikalien (KOH) auch anisotrop<br />
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Naßchemisches Ätzen<br />
� Verschiedene Lagen können als Ätzstopp dienen, z.B.<br />
- eine dotierte (implantierte) Schicht in der Tiefe<br />
- eine SiO 2 Schicht in der Tiefe (SIMOX)<br />
Lack<br />
Silizium<br />
Dotiertes Silizium<br />
Silizium (Substrat)<br />
anisotrop (KOH)<br />
isotrop<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 3
� Wafer wird mit einem Plasma 'bombardiert'<br />
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Trockenes Plasma - Ätzen<br />
� Die Ionen des Plasmas werden durch elektrisches Feld senkrecht auf den Wafer zu beschleunigt<br />
� Dadurch sehr anisotropes Ätzen möglich (Ionen treffen hauptsächlich den Boden ⇒ senkrechte Wände!)<br />
� Die Chemie des Ätzens wird durch die Zusammensetzung des Plasmas bestimmt<br />
� Beispiel für Reactive Ione Etching (RIE):<br />
Plasma aus 3 Komponenten:<br />
- SF 6 ⇒ F* - Radikale<br />
- O 2 ⇒ O* - Radikale<br />
- CHF 3 ⇒ CF x + - Ionen<br />
Jede der Komponenten hat eine spezielle Aufgabe:<br />
- F* ätzt chemisch Silizium zu flüchtigem SiF 4<br />
- O* passiviert die Si-Oberfläche mit SiO x F y<br />
- CF x + löst die SiOx F y – Schicht vom Boden zum flüchtigen CO x F y<br />
� Dadurch bei 'richtiger' Mischung sehr glatte Wände.<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 4
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Beispiel für Plasma Ätzen<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 5
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Opferschichten<br />
� Werden benötigt, um freitragende Strukturen und Membranen herzustellen<br />
Opferschicht aufbringen<br />
Opferschicht strukturieren (spätere Befestigungspunkte)<br />
obere Lage aufbringen<br />
obere Lage strukturieren<br />
Entfernen der Opferschicht<br />
Eine geschlossene Struktur<br />
(Membran) benötigt Löcher in<br />
der oberen Lage zum Ätzen<br />
der Opferschicht. Die Löcher<br />
können später z.B. mit CVD<br />
verschlossen werden<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 6
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
freitragende Strukturen<br />
� Mit zunehmender Reduktion der Strukturgröße L werden Strukturen immer steifer:<br />
Die Massen sinken wie L 3 , die Biegemomente aber nur wie L 2 .<br />
'Gewicht'<br />
Aufhängung<br />
Aufhängung<br />
Auslese<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 7
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Probleme<br />
� Die Technologie ist nicht ganz so einfach, da sich die Strukturen durch Spannungen durchbiegen können<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 8
1. Widerstand mit<br />
Piezoeigenschaften<br />
('Dehnungsmeßstreifen')<br />
2. Kapazität<br />
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Messung der Ablenkung<br />
Beispiel:<br />
Drucksensor<br />
Poly-Si Meßstreifen<br />
Membran aus Nitride<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 9
� Kraft wird elektrostatisch erzeugt: 'Comb-Drive':<br />
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Bewegliches Teil<br />
Bewegung<br />
� Mit diesem Prinzip sind nur kleine Auslenkungen möglich<br />
U = 0: keine Kraft<br />
U < 0: Kraft nach links<br />
U > 0: Kraft nach rechts<br />
� Die elektrostatische Kraft kann benutzt werden, um bei der Messung von Auslenkungen gegenzuregeln,<br />
so daß die Kapazität konstant bleibt. Dadurch ist ein größerer Meßbereich möglich.<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 10
Messung und<br />
Gegenregelung x<br />
(Combdrive)<br />
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Beispiel: xy-Beschleunigungssensor<br />
Aufhängungspunkt<br />
freitragende Masse<br />
Anschlag ?<br />
Federn<br />
Löcher zum Ätzen<br />
ADXL202(E) der Firma Analog Devices<br />
Messung und<br />
Gegenregelung x<br />
(Combdrive)<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 11
� Verschiedene Möglichkeiten, z.B.<br />
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Verkippungen<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 12
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
<strong>Mikro</strong>spiegel mit 2 Freiheitsgraden<br />
http://buffy.eecs.berkeley.edu/ResearchSummary/03abstracts/chapter4.html<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 13
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Größere Wege<br />
� Ein bewegliches Element wird stückweise weiterbewegt.<br />
� Eine Kupplung verbindet das Element jeweils mit einem Vorschubelement:<br />
Rückstellfeder<br />
Vorschub<br />
Kupplung<br />
BIDIRECTIONAL INCHWORM MOTORS AND TWO- DOF ROBOT LEG OPERATION<br />
Presented by Dr. Seth Hollar with Sarah Bergbreiter, Professor Kris Pister<br />
University of California, Berkeley - BSAC<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 14
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Beispiel: 'Walking Robot'<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 15
� Erste Gehversuche: Siehe Videos<br />
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
'Walking Robot'<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 16
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Details der Beine<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 17
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Wozu <strong>MEMS</strong> ?<br />
� Viele Anwendungen in unterschiedlichen Bereichen:<br />
einige existieren bereits, andere sind in der Entwicklung, weitere werden folgen<br />
� Niedrige Kosten durch parallele Massenfabrikation und Integration aller (oder vieler) Systemkomponenten<br />
� Miniaturisierung<br />
� Bei Sensoren ist Auswerteelektronik direkt am Sensor, so daß S/N optimal ist<br />
� Beschleunigungs-, Drehraten-, Vibrationssensoren<br />
� Magnetsensoren, Temperatursensoren, chemische Sensoren<br />
� <strong>Mikro</strong>motoren, <strong>Mikro</strong>roboter<br />
� <strong>Mikro</strong>ventile, Pumpen, ... ('lab on a chip')<br />
� Druckköpfe<br />
� <strong>Mikro</strong>spiegel (Beamer, optische Crossbars,...)<br />
� Mini-<strong>Mikro</strong>phone<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 18
VLSI Design 03/04 - <strong>MEMS</strong><br />
Wer kann <strong>MEMS</strong> herstellen ?<br />
� Die meisten großen Firmen arbeiten massiv an der Entwicklung von Technologien<br />
� Immer mehr Produkte kommen auf den Markt.<br />
� In Europa gibt es von Europractice eine <strong>MEMS</strong>-Initiative:<br />
Wie bei den Chips können Universitäten und kleine Unternehmen Software für den Entwurf erhalten und<br />
die <strong>MEMS</strong> auf MPW (Multi Project Wafer) Runs fabrizieren lassen.<br />
P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 19