t - im ZESS - Universität Siegen
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XII Verzeichnis der Formelzeichen und Abkürzungen<br />
EC<br />
EF<br />
Eg<br />
Ei<br />
Esat<br />
EV<br />
Ez<br />
fg<br />
Fg<br />
Fm<br />
Kante des Leitungsbandes<br />
Ferminiveau<br />
Bandabstand, Leitungsband zu Valenzband<br />
Intrinsicniveau<br />
Feldstärke für die Sättigungsgeschwindigkeit<br />
Kante des Valenzbandes<br />
elektrische Feldstärke in Ausbreitungsrichtung<br />
Grenzfrequenz<br />
Gravitationskraft<br />
Reibungskraft<br />
fPMD Arbeitsfrequenz des PMDs<br />
Fs Federkraft<br />
G(x) Generationsrate der Elektronen-Loch-Paare<br />
I Lichtintensität<br />
a, b<br />
IPh<br />
mittlerer Photostrom, Seite a und Seite b<br />
Photostrom<br />
ITO Indium Tin Oxide<br />
K Elektronenaffinität<br />
K Klirrfaktor<br />
l Kanallänge<br />
L Länge<br />
effektive Gatestrecke<br />
leff<br />
µn<br />
M1, Mn<br />
meff<br />
Elektronenbeweglichkeit<br />
charakteristische Matrix<br />
effektive Masse<br />
MIS Metal Insulator Semiconductor<br />
n Brechungsindex<br />
n, p Elektronen- und Löcherkonzentration<br />
n1, n2, n3 Brechungsindex des Mediums 1,2 und 3<br />
NA Akzeptorendichte<br />
Brechungsindex in Ausbreitungsrichtung<br />
no<br />
p0, n0<br />
Gleichgewichtskonzentrationen<br />
P opt (t-τd) optische Leistung
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