1-2023

Von der Idee
bis zum Service.
Hochfrequenztechnik,
Elektronik und Mechanik.
Individuell & kundenspezifisch.
// Mechanik, Präzisionsfrästeile
& Gehäuse
// Schirmboxsysteme
// Schalten & Verteilen
von HF-Signalen
// Mobilfunk- & EMV-
Messtechnik
// Distribution von IMS
Connector Systems
// HF-Komponenten
Die MTS Systemtechnik
wünscht Ihnen für das
Jahr 2023 alles Gute,
Gesundheit, Glück und
Erfolg!
MTS individuelle Lösungen
// HF geschirmte Gehäuse
// Schirmboxsysteme
// Relaisschaltfelder
// Matrixsysteme
// HF-Komponenten und Kabel
// Gefilterte Schnittstellen
// Air Interface Emulation
mts-systemtechnik.de
Bauelemente
50-mOhm-GaN-FET im TO-263-Gehäuse
GaN-Halbleiter zeigen ihr volles Potential
in Gehäusen mit möglichst geringer parasitärer
Induktivität. HY-LINE Power Components
erweitert daher das Angebot für solche
Schalter um ein Power-SMD-Gehäuse,
welches die Vorteile der GaN Technologie
optimal nutzen kann.
Bei dem neuen SMD-Bauelement mit
höherer Leistung handelt es sich um einen
selbstsperrenden 650-V-SuperGaN-FET
im TO-263-Gehäuse (D2PAK) mit einem
typischen On-Widerstand von 50 Milliohm
in Kaskodentechnologie. Es ist der
siebte SMD-Baustein von Transphorm, der
die Palette der derzeit erhältlichen PQFN-
Bauteile für Anwendungen mit geringer bis
mittlerer Leistung nach oben ergänzt.
Der JEDEC-qualifizierte TP65H050G4BS
bietet Designern und Herstellern Vorteile,
die Systeme mit hoher Leistung von einem
bis zu mehreren Kilowatt entwickeln, wie
sie in industriellen Anwendungen genutzt
werden. Er bietet die höchste Zuverlässigkeit
in seiner Klasse, ein robustes Gate (±20
V max) und eine hohe Störfestigkeit von 4
V, wie man sie von Silizium gewohnt ist,
bei einfachem Design und Ansteuerbarkeit.
Der größere D2PAK wird eingesetzt, wenn
ein oberflächenmontierbares Gehäuse
gewünscht ist mit einer besseren thermischen
Leistung im Vergleich zum PQFN-Gehäuse.
Mit dem neuen GaNFET im TO-263-Gehäuse
steigert sich auch die Leistungsdichte
des TDTTP2500B066B-KIT von Transphorm,
einer 2,5 kW leistenden AC/DC-
Totem-Pole-Evaluierungsplatine mit brückenloser
Leistungsfaktorkorrektur (PFC).
HY-LINE Power Components
www.hy-line-group.com/gan
THT-Ringkern-Gleichtaktdrosseln
Die toroidalen Gleichtaktdrosseln in THT
von knitter-inductive ergänzen das bisherige
Produktportfolio von Rutronik, um die
Anforderungen u.a. des E-Mobility-Marktes
zu erfüllen. Hauptanwendungsbereich ist
die Unterdrückung von EMV-Störungen in
1- und 3-phasigen Applikationen bei Nennspannungen
von 230 und 400 V AC. Da diese
Störungen in unterschiedlichen Frequenzbereichen
auftreten können, bietet knitterinductive
neben den Standardversionen
auch individualisierte Lösungen an. Dabei
ist die exakte Auswahl entscheidend für die
zuverlässige Performanz der Bauteile. Für
weitere Informationen, Verfügbarkeiten und
Bestellmöglichkeiten stehen die Experten
von Rutronik gerne zur Verfügung.
Die Individualisierung beginnt bei der
passenden Auswahl des benötigten Kernmaterials:
• Mangan-Zink eignet sich für die
Anwendung bei niedrigen Frequenzen,
• Nickel-Zink wird bei höheren
Frequenzen empfohlen,
• ein nano-kristalliner Kern kann beide
Bereiche abdecken.
Letzterer überzeugt zudem durch seine
deutlich geringere Baugröße bei gleichem
Stromrating und die Verträglichkeit von sehr
hohen Umgebungstemperaturen.
Um noch mehr Individualisierung zu ermöglichen,
erlauben die toroidale Gleichtaktdrosseln
eine horizontale wie auch vertikale
Trägerplattenmontage des Kerns. Eine
höhere Durchschlagsfestigkeit wird durch
das Hinzufügen eines Separators erreicht.
Weiterer Pluspunkt ist die mögliche Wahl
des Leiterplatten-Layouts entsprechend der
Kundenanforderung.
Rutronik Elektronische Bauelemente
GmbH
www.rutronik.com
28 hf-praxis 1/2023