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PDF (tesi dottorato ROTIROTI) - FedOA - Università degli Studi di ...

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Reflectivity (a.u.)<br />

1.4<br />

1.2<br />

1.0<br />

0.8<br />

0.6<br />

0.4<br />

0.2<br />

ss-DNA<br />

ss-DNA+c-DNA 6μM<br />

ss-DNA+c-DNA 15μM<br />

ss-DNA+c-DNA 60μM<br />

0.0<br />

1150 1200 1250 1300 1350<br />

Wavelength (nm)<br />

Δλ (nm)<br />

35<br />

30<br />

25<br />

20<br />

15<br />

10<br />

5<br />

LOD cDNA = 350nM<br />

S cDNA =0.85 (4) nm/μM<br />

0<br />

0 20 40 60 80<br />

c-DNA concentration (μM)<br />

A B<br />

Figura 13: A) spostamento dello spettro <strong>di</strong> riflessione dovuto all’interazione ssDNA-cDNA. B) curva Doseresposta<br />

in funzione della concentrazione <strong>di</strong> cDNA.<br />

È stato possibile determinare per ogni coppia sonda-ligando i limiti <strong>di</strong> rivelazione (LOD) del<br />

nostro <strong>di</strong>spositivo e la sensibilità (S) <strong>di</strong> misura dello stesso.<br />

Di seguito è riportata la tabella con i valori <strong>di</strong> concentrazione per le sonde ed i valori <strong>di</strong><br />

LOD ed S calcolati secondo la metodologia IUPAC (IUPAC Compen<strong>di</strong>um of Analytical<br />

Nomenclature, Definitive Rules, 3d E<strong>di</strong>tion, Section 10.3.3.3.14 “Limit of Detection”,1997).<br />

Sonda Concentrazione Ligando Controllo<br />

negativo<br />

LOD S<br />

DNA 60 μM cDNA ncDNA 350nM 0.85 nm/μM<br />

GlnBP 1mM Gln Glucosio 9nM 3*10 -2 nm/nM<br />

GlnBP 1mM Glia<strong>di</strong>na Prolamina del riso 670pM 448 nm/μM<br />

TMBP 7.5 μM Glucosio Gln 10 μM 0.03 nm/μM<br />

Integrazione del silicio poroso in un lab-on-chip (J1, J7, J9, J13, J15)<br />

La realizzazione <strong>di</strong> sistemi multifunzionali complessi ove circuiti e componenti elettronici<br />

ed ottici, ed elementi <strong>di</strong> sensing coesistono e operano sinergicamente, è <strong>di</strong> importanza<br />

strategica in <strong>di</strong>versi settori (produzione-automazione, trasporti, me<strong>di</strong>cina, biochimica,<br />

sicurezza e ambiente). La <strong>di</strong>ffusione <strong>di</strong> tali sistemi multifunzionali, in grado <strong>di</strong> operare nei<br />

più svariati ambienti, anche potenzialmente pericolosi, e che svolgono molteplici funzioni<br />

<strong>di</strong> monitoraggio e <strong>di</strong> <strong>di</strong>agnostica, presuppone una drastica riduzione dei costi ed un<br />

significativo incremento della loro affidabilità.<br />

L’attività <strong>di</strong> ricerca relativa a quest’ultima fase del lavoro <strong>di</strong> <strong>tesi</strong> è stata volta alla<br />

progettazione, realizzazione e caratterizzazione <strong>di</strong> microsistemi dotati <strong>di</strong> funzionalità <strong>di</strong><br />

trasduzione ottica, basati sulle tecnologie <strong>di</strong> fabbricazione del silicio e dei materiali<br />

tecnologicamente compatibili. Poiché la produzione <strong>di</strong> microsensori ottici, integrabili su<br />

chip con altri componenti optoelettronici e microflui<strong>di</strong>ci, necessita della compatibilità con i<br />

processi ed i circuiti microelettronici, è stato affrontato il problema dell’integrazione<br />

dell’elemento sensibile in silicio poroso in un microsistema ottico in cui tutte le funzioni<br />

(alimentazione, analisi, spurgo, e così via) per il funzionamento del trasduttore sono<br />

miniaturizzate in un micro<strong>di</strong>spositivo.<br />

Per la realizzazione del <strong>di</strong>spositivo sono state ottimizzate alcune delle tecniche classiche<br />

della microelettronica e delle microlavorazioni, quali gli attacchi anisotropi in KOH, la<br />

fotolitografia e gli attacchi aci<strong>di</strong> del vetro.<br />

È stato inoltre definito un processo <strong>di</strong> incollaggio ano<strong>di</strong>co “ano<strong>di</strong>c bon<strong>di</strong>ng” per sigillare il<br />

silicio con vetro trasparente compatibilmente con le caratteristiche del silicio poroso.<br />

Il silicio poroso infatti per la sua morfologia spugnosa è abbastanza fragile dal punto <strong>di</strong><br />

vista meccanico; inoltre la sua superficie idrogenata tende ad ossidarsi facilmente alle<br />

temperature tipiche dell’“ano<strong>di</strong>c bon<strong>di</strong>ng” (400-800 °C) e poiché l’ossido cresce per un<br />

xii

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