PDF (tesi dottorato ROTIROTI) - FedOA - Università degli Studi di ...
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Reflectivity (a.u.)<br />
1.4<br />
1.2<br />
1.0<br />
0.8<br />
0.6<br />
0.4<br />
0.2<br />
ss-DNA<br />
ss-DNA+c-DNA 6μM<br />
ss-DNA+c-DNA 15μM<br />
ss-DNA+c-DNA 60μM<br />
0.0<br />
1150 1200 1250 1300 1350<br />
Wavelength (nm)<br />
Δλ (nm)<br />
35<br />
30<br />
25<br />
20<br />
15<br />
10<br />
5<br />
LOD cDNA = 350nM<br />
S cDNA =0.85 (4) nm/μM<br />
0<br />
0 20 40 60 80<br />
c-DNA concentration (μM)<br />
A B<br />
Figura 13: A) spostamento dello spettro <strong>di</strong> riflessione dovuto all’interazione ssDNA-cDNA. B) curva Doseresposta<br />
in funzione della concentrazione <strong>di</strong> cDNA.<br />
È stato possibile determinare per ogni coppia sonda-ligando i limiti <strong>di</strong> rivelazione (LOD) del<br />
nostro <strong>di</strong>spositivo e la sensibilità (S) <strong>di</strong> misura dello stesso.<br />
Di seguito è riportata la tabella con i valori <strong>di</strong> concentrazione per le sonde ed i valori <strong>di</strong><br />
LOD ed S calcolati secondo la metodologia IUPAC (IUPAC Compen<strong>di</strong>um of Analytical<br />
Nomenclature, Definitive Rules, 3d E<strong>di</strong>tion, Section 10.3.3.3.14 “Limit of Detection”,1997).<br />
Sonda Concentrazione Ligando Controllo<br />
negativo<br />
LOD S<br />
DNA 60 μM cDNA ncDNA 350nM 0.85 nm/μM<br />
GlnBP 1mM Gln Glucosio 9nM 3*10 -2 nm/nM<br />
GlnBP 1mM Glia<strong>di</strong>na Prolamina del riso 670pM 448 nm/μM<br />
TMBP 7.5 μM Glucosio Gln 10 μM 0.03 nm/μM<br />
Integrazione del silicio poroso in un lab-on-chip (J1, J7, J9, J13, J15)<br />
La realizzazione <strong>di</strong> sistemi multifunzionali complessi ove circuiti e componenti elettronici<br />
ed ottici, ed elementi <strong>di</strong> sensing coesistono e operano sinergicamente, è <strong>di</strong> importanza<br />
strategica in <strong>di</strong>versi settori (produzione-automazione, trasporti, me<strong>di</strong>cina, biochimica,<br />
sicurezza e ambiente). La <strong>di</strong>ffusione <strong>di</strong> tali sistemi multifunzionali, in grado <strong>di</strong> operare nei<br />
più svariati ambienti, anche potenzialmente pericolosi, e che svolgono molteplici funzioni<br />
<strong>di</strong> monitoraggio e <strong>di</strong> <strong>di</strong>agnostica, presuppone una drastica riduzione dei costi ed un<br />
significativo incremento della loro affidabilità.<br />
L’attività <strong>di</strong> ricerca relativa a quest’ultima fase del lavoro <strong>di</strong> <strong>tesi</strong> è stata volta alla<br />
progettazione, realizzazione e caratterizzazione <strong>di</strong> microsistemi dotati <strong>di</strong> funzionalità <strong>di</strong><br />
trasduzione ottica, basati sulle tecnologie <strong>di</strong> fabbricazione del silicio e dei materiali<br />
tecnologicamente compatibili. Poiché la produzione <strong>di</strong> microsensori ottici, integrabili su<br />
chip con altri componenti optoelettronici e microflui<strong>di</strong>ci, necessita della compatibilità con i<br />
processi ed i circuiti microelettronici, è stato affrontato il problema dell’integrazione<br />
dell’elemento sensibile in silicio poroso in un microsistema ottico in cui tutte le funzioni<br />
(alimentazione, analisi, spurgo, e così via) per il funzionamento del trasduttore sono<br />
miniaturizzate in un micro<strong>di</strong>spositivo.<br />
Per la realizzazione del <strong>di</strong>spositivo sono state ottimizzate alcune delle tecniche classiche<br />
della microelettronica e delle microlavorazioni, quali gli attacchi anisotropi in KOH, la<br />
fotolitografia e gli attacchi aci<strong>di</strong> del vetro.<br />
È stato inoltre definito un processo <strong>di</strong> incollaggio ano<strong>di</strong>co “ano<strong>di</strong>c bon<strong>di</strong>ng” per sigillare il<br />
silicio con vetro trasparente compatibilmente con le caratteristiche del silicio poroso.<br />
Il silicio poroso infatti per la sua morfologia spugnosa è abbastanza fragile dal punto <strong>di</strong><br />
vista meccanico; inoltre la sua superficie idrogenata tende ad ossidarsi facilmente alle<br />
temperature tipiche dell’“ano<strong>di</strong>c bon<strong>di</strong>ng” (400-800 °C) e poiché l’ossido cresce per un<br />
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