Materiály a technická dokumentace - UMEL - Vysoké uÄÂenà...
Materiály a technická dokumentace - UMEL - Vysoké uÄÂenà...
Materiály a technická dokumentace - UMEL - Vysoké uÄÂenà...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
76 Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brně<br />
V praxi nacházejí uplatnění polovodičové materiály jak s uspořádanou strukturou (krystalické,<br />
polykrystalické) tak materiály s méně uspořádanou až amorfní strukturou. Například křemík<br />
se používá nejčastěji ve formě monokrystalické, známé jsou však i aplikace využívající<br />
polykrystalický, resp. amorfní křemík (sluneční články). Struktura je v tomto případě určena<br />
technologií výroby polovodičového materiálu. Pro organické polovodiče, jejichž význam<br />
roste zejména v posledním období, je typická struktura s menší mírou vnitřního uspořádání,<br />
obvykle amorfní.<br />
4.1.1 Elementární polovodiče<br />
Do této skupiny polovodičových materiálů patří 11 chemických prvků, z nichž dnes<br />
nejvýznamnější jsou křemík a germanium. Oba tyto prvky krystalizují v kubické, plošně<br />
centrované mřížce diamantového typu. Mřížka je znázorněna na obr. 4.3a. Z obrázku je<br />
patrné, že každý atom polovodičového prvku v mřížce je obklopen čtyřmi nejbližšími<br />
sousedními atomy.<br />
a) b)<br />
Obr. 4.3 Mřížka kubická, plošně centrovaná a) diamantového a b) sfaleritového typu<br />
Křemík i germanium mají čtyři valenční elektrony, jednotlivé atomy jsou v mřížce vázány<br />
kovalentní vazbou. Pokud jsou všechny uzlové polohy krystalové mřížky obsazeny atomy<br />
daného prvku, hovoříme o vlastním nebo též intrinsickém polovodiči. Pokud je část uzlových<br />
poloh mřížky obsazena atomy s rozdílným počtem valenčních elektronů polovodič se nazývá<br />
příměsový. V případě křemíku a germania se jako elektricky aktivní příměsi používají prvky<br />
3. a 5. skupiny periodické soustavy prvků, se 3, resp. 5 valenčními elektrony. Tyto příměsi<br />
významným způsobem ovlivňují elektrickou vodivost základního polovodičového materiálu.<br />
Rozdíl energií mezi vodivostním a valenčním pásem (viz kap. 4.2) určuje šířku zakázaného<br />
pásu polovodičového materiálu. Se šířkou zakázaného pásu souvisí i teplota, do které jsou<br />
součástky vyrobené z daného materiálů použitelné. Tato teplota je u křemíku 400 K, u<br />
germania 330 K. Vybrané fyzikální parametry křemíku a germania jsou uvedeny v tab.4.1.<br />
4.1.2 Binární sloučeninové polovodiče<br />
Z binárních sloučeninových polovodičů jsou nejvýznamnější sloučeniny prvků 3. a 5. skupiny<br />
periodické soustavy prvků, které se označují společným symbolem A III B V . Ve většině případů<br />
krystalizují v mřížce kubické plošně centrované, sfaleritového typu. Mřížka je znázorněna na<br />
obr. 4.3b. Vazba u těchto sloučeninových polovodičů je převážně kovalentní s menším<br />
podílem vazby iontového charakteru. Jako elektricky aktivní příměsi se používají prvky 2., 4.,<br />
a 6. skupiny soustavy prvků. Sloučeninové polovodiče A III B V nacházejí uplatnění při vyšších<br />
teplotách, vyšších frekvencích a v optoelektronických aplikacích. Nejužívanějším materiálem<br />
z této skupiny je arzenid galia (GaAs), součástky z tohoto materiálu jsou použitelné do teplot