Materiály a technická dokumentace - UMEL - Vysoké uÄÂenà...
Materiály a technická dokumentace - UMEL - Vysoké uÄÂenà...
Materiály a technická dokumentace - UMEL - Vysoké uÄÂenà...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Materiály a technická <strong>dokumentace</strong>, část Materiály v elektrotechnice 89<br />
Příměsový polovodič je charakterizován zabudováním elektricky aktivních atomů příměsí do<br />
substitučních míst krystalové mřížky polovodiče vlastního. Pro příměsový polovodič platí pro<br />
koncentraci volných elektronů a děr formálně stejné vztahy jako pro polovodič vlastní,<br />
⎛ Wc −WF<br />
n= Nc<br />
exp ⎜ −<br />
⎝ kT<br />
⎞<br />
⎟<br />
⎠<br />
(4.9)<br />
N<br />
c<br />
3<br />
2<br />
⎛2 π. mn.<br />
kT ⎞<br />
= 2⎜ 2 ⎟ (4.9a)<br />
⎝ h ⎠<br />
⎛ WF −Wv<br />
⎞<br />
p = Nv.exp ⎜ − ⎟<br />
⎝ kT ⎠<br />
(4.10)<br />
N<br />
v<br />
3<br />
2<br />
⎛2 π mp.<br />
kT ⎞<br />
= 2⎜ ⎜⎝ 2 ⎟ , (4.10a)<br />
h<br />
⎠<br />
s tím rozdílem, že koncentrace volných elektronů se nerovná koncentraci volných děr n ≠ p<br />
a Fermiho hladina má jinou polohu, než odpovídá vztahům (4.11) a (4.12), platným pro<br />
vlastní polovodič.<br />
Podmínky, které se změnily zabudováním donorů o koncentraci N D do substitučních míst<br />
v polovodiči typu N ukazuje obr. 4.14.<br />
a) b) c) d)<br />
Obr. 4.14 Příměsový polovodič typu N<br />
a) Redukovaný pásový model<br />
b) Funkce hustoty stavů v pásu vodivostním a valenčním, s vyznačením stavů<br />
na donorové hladině W D<br />
c) Rozdělovací funkce pro elektrony a díry<br />
d) Součin hustoty stavů a pravděpodobnosti jejich obsazení
Change language