Buehler® SumMet™

Electronic
EM
Materials
Materialien der Elektronik
Die Verwendung von groben SiC-Papieren kann
den Siliziumaufbau ernsthaft beschädigen. Daher
muss zur Anwendung der Methode vorsichtig an
die Zielstelle herangearbeitet oder besser ein präzisen
Schnitt dicht an der zu untersuchenden Stelle
gelegt werden. Dabei sollte genau darauf geachtet
werden, dass ausschließlich speziell entwickelte
Diamanttrennscheiben für das Trennen von Elektronikmaterialien
Anwendung finden.
Silizium lässt sich sehr gut chemisch-mechanisch
mit Hilfe von kolloidalem Siliziumdioxid endpolieren.
Die Verwendung von Aluminiumoxid bringt in
der Regel ein schlechteres Ergebnis, jedoch gibt es
Fälle, bei denen ein Aluminiumoxidprodukt wie die
MasterPrep für das Endpolieren verwendet werden
sollte. Wie zuvor erwähnt, bezieht sich das auf die
Betrachtungsweise bzw. auf den Betrachtungsschwerpunkt.
Ein Beispiel für die entsprechende
Microsection of the Pb Solder Connection, 200x
Verwendung der MasterPrep Tonerde wäre, wenn
ein Siliziumplättchen mit Leiterbahnen aus vernickeltem
Kupfer plattiert ist und ein Zinnlot von
Interesse ist. Welches Material ist wichtig und
welches kann vernachlässigt werden? In diesem
Fall wird normalerweise nicht das Silizium, sondern
eher die Plattierung und die Kontaktierung
untersucht. Ein Problem wäre das Zuschmieren
der Schichten, welches zur Folge hätte, dass diese
nicht klar voneinander unterschieden und vermessen
werden könnten (siehe Methode für Cu und
Ni).
Für den Fall, dass Silizium mit metallischen Schichten
untersucht werden soll, kann die Methode in
Tabelle 34 angewandt werden. Es sollte also ganz
genau darauf geachtet werden, welches Endpoliermedium
verwendet wird. Wie wir nun wissen,
lässt sich Aluminium sehr gut chemisch-mechanisch
polieren, aber bei Vorhandensein von Titan
oder Titan-Wolfram werden sehr schnell unterschiedliche
Abtragsraten der Metalle bemerkbar.
Durch den Einsatz von kolloidalem Siliziumdioxid
bei hitzebeständigen Metallen und dem Aluminium
haben Sie sehr schnell eine Reliefbildung und
können die Aluminiumbahnen aufgrund der hohen
Abtragsgeschwindigkeit nur noch leicht im
Hintergrund wahrnehmen, während das Titan im
Vordergrund steht. Um dem entgegenzuwirken,
kann eine 1 µm Diamantpolierstufe als Endpolierstufe
eingesetzt werden.
Tabelle 47: 5-Stufen Methode für elektronische Komponenten
Trennen
Einbetten
Oberfläche
Präzisionstrenner mit Diamanttrennscheibe, die für Mikroelektronische Bauteile empfohlen ist
Kalteinbetten, z.B. EpoThin
Abrasiv / Größe
Druck in N
je Probe
Geschwindigkeit
[U/min]
Relative Rotation
Zeit [min:sek]
CarbiMet 2
#320 [P400] SiC
Wasser
3 [13] 150
Hit the edge of
the target
TexMet P
VerduTex
VerduTex
ChemoMet
9 μm MetaDi Supreme
Diamantsuspension*
3 μm MetaDi Supreme
Diamantsuspension*
1 μm MetaDi Supreme
Diamantsuspension*
0,05 μm MasterPrep
Al 2 O 3 -Suspension
5 [22] 150 5:00
5 [22] 150 3:00
5 [22] 150 3:00
3 [13] 150 1:30
= Arbeitsscheibe = Probenhalter *MetaDi Fluid Lubrikant nach Bedarf zufügen.
Imaging & Analysis
Härteprüfung
Measurement & Analysis Applications, Coating Layer Thickness
N/A
70