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LeistungselektronikNeue ProdukteBild: LEM Bild: ToshibaBild: Agilent TechnologiesLeistungsbauteilanalysator und KennlinienschreiberBauteilcharakteristiken bis 1500 A/10 kVAgilent Technologies hat dieSpannungs- und Strombereicheseines LeistungsanalysatorsB1505A wesentlich erweitert. DerLeistungsanalysator B1505A istzur Evaluierung von Leistungs-Low-Voltage-MOSFETsHoher Wirkungsgrad in AntriebssteuerungenToshiba Electronics erweitert dieFamilien schneller Low-Voltage-MOSFETs um hocheffiziente 60-und 120-V-Typen, die das Designkompakterer und verlustärmererSekundär-SynchrongleichrichterMit neuem ASIC für bessere EigenschaftenFrei programmierbare StromwandlerDie Stromwandler der Serie HOvon LEM sind Wandler in OpenloopTechnik die auf dem Hall-Effekt-Prinzipbasieren. Sie messenWechsel-, Gleich- und Pulsströmemit einem Nennwert von 8, 15oder 25 A effund einer Ansprechzeitvon 2 bis 6 μs. Beide Parameterund verschiedene andere sindfrei programmierbar über einebauteilen geeignet, die mit Stromcharakteristikenvom Sub-pA-Bereichbis 10 kV/1500 A bei Impulsbreitenbis hinab zu 10 µsgemessen werden können.Weiter hin gibt es jetzt denB1505AP – eine vorkonfi gu rierteVersion des B1505A, die sämtlicheModule, Kabel und Zubehörteileumfasst, die für einenSchnell start benö tigt werden. EineVerbes se rung am B1505A, istder erwei terte I/V-Bereich für präziseMessungen bis 1500 A/10 kV.infoDIREKT 532ei0612ermöglichen. Die 16 Trench-MOSFETs basieren auf der 8. Generationvon Toshibas U-MOSVIII-H-Prozesses. Dieser bietet Verbesserungenbezüglich niedrigemDurchlasswiderstand und einerniedrigen Eingangskapazität. DieBausteine werden mit acht 60-V-MOSFETs sowie acht 120-V-MOSFETs im TO-220- oder TO-220SIS-„Smart-Isolation"-Gehäuseausgeliefert.infoDIREKT 629ei0612einfache serielle digitale Bit-Sequenz,die der Host-Mikrocontrollerdes Systems generiert. Zu denanderen frei programmierbarenParametern zählen die Referenzspannung,die Grenze der Überstromerkennung,die Fehlermeldungund der Stromsparmodus.Die HO-Wandler stellen ihr Ausgangssignalals skalierte Analogspannungbereit. In den meistenSystemen wird diese über einenA/D-Wandler, der eine Referenzspannungbenötigt, in einen Digitalwertumgewandelt. Man kanndie Wandler so programmieren,dass eine Referenzspannung von0,5, 1,5, 1,65 oder 2,5 V an einemBild: Cree Bild: ADIIsolierte Halbbrücken-GatetreiberIn Digitalisolator-TechnologieDie isolierten Halbbrücken-GatetreiberADuM322 und ADuM4223von Analog Devices sind für 4 ANennstrom ausgelegt. Sie habeneine Lebensdauer von 50 Jahrenund sind dafür konzipiert, dieLeistungsfähigkeit und den Wir-50 A-taugliche SiC-LeistungsbausteineHochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFETsCree präsentierte jetzt Siliziumkarbid-Bausteinemit 50 ANennstrom, darunter der branchenweiterste Z-FET SiC-MOS-FET für 1700 V. Zu diesen Bausteinengehören zudem ein 1200V Z-FET SiC-MOSFET und drei Z-kungsgrad von AC/DC‐ und DC/DC-Stromversorgungen, Photovoltaik-Wechselrichternund Motorregelungenzu verbessern.Weiterhin haben sie eine Signallaufzeitvon unter 55 ns und eineAbweichung der Laufzeit von wenigerals 5 ns. Die Gatetreiber erfüllendie Forderung nach verstärkterIsolation bis zu 5 kV rmsund bieten eine galvanische Isolationbis 700 V peakzwischen denhigh‐ und low-seitigen Treiberausgängen.infoDIREKT Rec SiC-Schottkydioden. Die Bausteinesind auch als Die verfügbar.Zur umfassenden Serie gehörenein 1700 V MOSFET mit40 mΩ, ein 1200 V MOSFET mit25 mΩ sowie Schottkydioden für50 A/1700 V, 50 A/1200 V und50 A/650 V. Muster dieser Bausteinesind erhältlich, währendProduktionsstückzahlen abHerbst 2012 verfügbar seinsollen.infoDIREKT 627ei0612531ei0612entsprechenden Pin bereit steht.Alternativ kann die Stromwandlerserieso konfiguriert werden,dass Messungen in Bezug zu einerexternen Referenz durchgeführtwerden. Für die HO-Modellewurden völlig neue ASICs entwickelt.Die Wandler weisen OffsetundVerstärkungsdriften auf, dieüber den Temperaturbereich von-25 bis +85 °C um den Faktor 2besser sind als frühere GenerationenOpen-loop Hall-Effekt-Stromwandler. Die Wandler habeneine Ungenauigkeit von 1 %bei +25 °C und 2,8 % über denTemperaturbereich bis +85 °C.Ein neues Merkmal ist die programmierbareÜberstromerkennung,die getrennt von der Hauptstrommessungerfolgt, da dies beieinem einzigen Messbereich (fürdie Erkennungs- und Messfunktionen)die erreichbare Messgenauigkeitdes Nominalstromesverringern würde. Die Stromwandlerarbeiten mit einer einzigenSpannungsversorgung, wählbarmit 3,3 oder 5 V. Die auf Leiterplattenmontierbaren Wandlernehmen eine Fläche von 12 mm x23 mm ein und haben eine Höhevon 12 mm. Der Betriebstemperaturbereichist -40...+115 °C. infoDIREKT 530ei061242 elektronik industrie 06/2012www.elektronik-industrie.de