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LeistungselektronikNeue ProdukteBild: International RectifierInternational Rectifier hat die Automotive-qualifizierte600-V-IGBT-Plattform Coolir IGBT mit einerMindest-Kurzschlussfestigkeitvon 5 μs, einer niedrige V ce (on)sowie einem positiven V ce (on)-Temperaturkoeffizientenausgestattet.Bild: InfineonBild: SemikronCoolir IGBTs für den Automotive-Bereich600-V-Hochfrequenz-IGBTsNeue SiC (Siliciumcarbid)-PoduktfamilieSehr geringe SchaltverlusteMit der neuen SiC (Siliciumcarbid)-Produktfamilie CoolSiC 1200V SiCJFET von Infineon können sehrhohe Wirkungsgrade erzielt werden.Sie weisen im Vergleich zuIGBTs geringere Schaltverlusteauf. Damit sind höhere Schaltfre-Semikron startet mit der Serienproduktiondes SKiiP 4, ein IGBT-Modul, bei dem Treiber und Kühlkörperintegriert sind. Die Leistungshalbleiterkönnen bis zu einerJunction Temperatur von 175°C betrieben werden. Damit dieseWeitere Eigenschaften sind einrechteckförmiger sicherer Reverse-Bias-Arbeitsbereich(SRBSOA)sowie eine maximale Sperrschichttemperaturvon 175°C. Der AUIRGC655A1N0 eignetsich für große Wechselrichter undMotorantriebe, wohingegen derAUIRGC65A20N0 und der AUIRG-C65G20N0 auf die Stromversorgungsowie auf Applikationen mithoher Schaltfrequenz ausgerichtetsind. Collir IGBT verträgt harteSchaltvorgänge bis 200 kHz.infoDIREKT IGBT-Modul mit Treiber und KühlkörperFür Leistungen von Umrichtern bis 2,1 MW533ei0612quenzen möglich, ohne die Gesamteffizienzeines Systems zubeeinträchtigen. Alternativ kannim gleichen Gehäuse eine Lösungmit einer höheren Ausgangsleistungumgesetzt werden. Damitdie selbstleitende JFET-Technologiesicher und einfach zu nutzenist, hat Infineon das Konzept derDirect-Drive-Technologie entwickelt.Diese kombiniert den JFETmit einem externen Niederspannungs-MOSFETund einem speziellenTreiber-IC.infoDIREKT628ei0612Temperaturen auch zuverlässigangewendet werden können, wirddas Leistungsteil zu 100 Prozentlotfrei aufgebaut. Zum einen wirdbeim SKiiP 4 auf eine Bodenplatteverzichtet. Die Zuverlässigkeit unterpassiven Temperaturzyklensteigt damit um das Fünffache.Zum anderen wird durch dieSKinter-Sintertechnologie die Lotschichtdurch einen Silberschichtersetzt. Die Lastzyklenfestigkeiterhöht sich um den Faktor zweibis drei.infoDIREKT630ei0612Bild: MurataBild: SemiSouthGleichspannungswandlerNeue ModelleMurata Power Solutions kündigtdie aus miniaturisierten, nicht isoliertenGleichspannungswandlernmit einem Ausgang bestehendeOKX-Serie für Point-of-Load-Anwendungen(PoL) an. Diese Seriebesteht aus vier Modellen, die bei5 oder 12 V Nenneingangsspannungeinen Ausgangsstrom von 3oder 5 A unterstützen. Als Ergänzungzu den oberflächenmontierbarenPoL-Wandlern der OKY-Reihe werden die neuen Produkteder Serien OKX-T/3 und OKX-T/5in einem Single-In-Line-Package(SIP) mit fünf Pins angeboten.infoDIREKT 644ei0612LeistungstransistorenSpannungsgesteuertSemisouth stellt neue 650-V-Siliziumkarbid-JFET-Leistungstransistorenvor. Durch die Kombinationaus hoher Schaltgeschwindigkeitund hoher Strombelastbarkeitsowie den thermischen Eigenschaftenvon SiC eignen sich dieJFETs für die Leistungselektronik.Mit vertikalen Trench-JFET-Strukturenerzie len sie einen niedrigenOn -Wider stand pro Flächeneinheit.Die 650 V / 55 mΩ SiC-JFETsSJDA065R055 weisen einenposi tiven Temperaturkoeffizientenauf; sie lassen sich parallelschalten,schalten schnell, ohne „Tail“-Strom bei 150 °C.infoDIREKT643ei0612www.elektronik-industrie.de