6-2022

Messtechnik
Analyse von GaN- und SiC-Halbleitern
Teledyne LeCroy gab die Markteinführung
der neuen DL-ISO High-Voltage Optically
Isolated 1 GHz Probe und Power Device
Testsoftware bekannt, die in Kombination
mit den High-Definition Oszilloskopen
(HDO) die genaueste elektrische Charakterisierung
von Galliumnitrid (GaN) und
Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleitern
ermöglicht.
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Background: Seit mehr als 30 Jahren verwenden
Ingenieure Silizium-MOSFETs
und Bipolartransistoren mit isoliertem Gate
(IGBTs) für Stromversorgungen und Stromumwandlungssystemen.
Die Verbraucher
verlangen jedoch immer kleinere und
leichtere Stromversorgungen und Systeme,
und die Regierungen schreiben höhere Wirkungsgrade
vor. Wide-Bandgap-Materialien
(WBG) wie GaN und SiC schalten in
Halbleiterbauelementen mehr als zehnmal
schneller als Si und verringern Größe und
Gewicht bei gleichzeitig höherer Effizienz.
Viele Ingenieure setzen jedoch zum ersten
Mal WBG-Halbleiter ein und benötigen
daher nun eine größere Messbandbreite
sowie genauere und detailliertere Analysemöglichkeiten
der Halbleiterbauelemente.
Der neue optisch isolierte Hochspannungstastkopf
DL-ISO von Teledyne LeCroy ermöglicht
es Entwicklungsingenieuren, Messungen
an GaN- und SiC-Leistungshalbleitern
mit höchster Zuverlässigkeit durchzuführen.
Der neue Tastkopf bietet die beste Signaltreue,
das geringste Überschwingen und die
höchste Genauigkeit: 1,5% in Kombination
mit den branchenführenden HDOs mit 12
Bit Vertikalauflösung von Teledyne LeCroy.
Er ist damit fast doppelt so gut wie der einzige
Mitbewerber.
Die Bandbreite von 1 GHz erfüllt die Anforderungen
zur Messung von 1-ns-Anstiegszeiten
von GaN-Bauelementen. Die HDO
Oszilloskope bieten außerdem eine Abtastrate
von bis zu 20 GS/s bei einer Auflösung
von 12 Bit für die originalgetreue
Erfassung und Anzeige der sehr schnellen
Signale bei GaN- und SiC-Bauelementen.
Diese Kombination aus bester Signaltreue,
geringem Überschwingen, hoher Genauigkeit,
hoher Bandbreite und hoher Abtastrate
ist für die erfolgreiche Implementierung von
GaN- und SiC-Technologien in neue Designs
von entscheidender Bedeutung. Das neue
Power-Device-Softwarepaket von Teledyne
LeCroy vereinfacht zusätzlich die Analyse
von GaN- und SiC-Bauelementen mit automatisierten
JEDEC-Schaltverlustmessungen
und weiteren Messfunktionen sowie farbcodierten
Overlays zur Hervorhebung der
relevanten vermessenen Signalbereiche.
■ Teledyne GmbH
LeCroy Division
www.teledynelecroy.com
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• Die A-Varianten enthalten alle verfügbaren Optionen
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1 Kanal - DP811(A) : Bis zu 200 W, 20 V / 10 A oder 40 V / 5 A
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3 Kanäle - DP832(A): Bis zu 195 W, K1: 30 V / 3 A, K2: 30 V / 3 A, K3: 5 V / 3 A
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