6-2022
Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik
Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik
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Bauelemente<br />
Hi-Rel-Silicon-Halbleiter<br />
Infineon bietet hochzuverlässige<br />
Schottky- und PIN-Dioden<br />
in hermetisch verschlossenen<br />
Gehäusen mit Bauteil-Screening<br />
gemäß den Anforderungen der<br />
Raumfahrtindustrie.<br />
Hi-Rel diskrete und<br />
Mikrowellen-Halbleiter:<br />
• Dioden für Highspeed-Schaltung<br />
• Schaltkreisschutz<br />
• Spannungsbegrenzung<br />
• Highlevel Detecting and<br />
Mixing<br />
• hermetisch verschlossenes<br />
Microwave Gehäuse<br />
Hi-Rel diskrete<br />
RF-Transistoren:<br />
• für rauscharme Hochleistungsverstärker<br />
• für Oszillatoren bis zu 10 GHz<br />
• Rauschzahl 1,1 dB bei 1,8<br />
GHz<br />
• Gain 21 dB bei 1,8 GHz<br />
• hermetisch verschlossenes<br />
Mikrowellengehäuse<br />
• Transitfrequenz 22 GHz<br />
Die Bauteile sind<br />
in verschiedenen<br />
Qualitätsvarianten<br />
verfügbar:<br />
• Professional (P) und ESCC<br />
(ES)<br />
Hinweis: (P) wird für Lochrasterplatten<br />
und Schaltkreisevaluationen<br />
verwendet. (ES) erfüllt<br />
die Anforderungen der European<br />
Space Agency (Flight Modules).<br />
■ Infineon<br />
www.infineon.de<br />
Neue SAW-Filter für Positioning-Systeme<br />
ITF präsentierte sein neues<br />
SAW-Filter F1H55 für geographische<br />
Positionierungssysteme.<br />
Das extrem kompakte<br />
HF-Bauelement ist besonders<br />
zuverlässig und trotzt auch widrigen<br />
Temperaturbedingungen<br />
(Einsatzbereich: -40 bis +110<br />
°C). Außerdem überzeugt das<br />
F1H55 mit seinem scharf abgegrenzten<br />
Durchlassbereich und<br />
verzeichnet nur wenig Übertragungsverluste<br />
(speziell zwischen<br />
1560 und 1605 MHz).<br />
Mit seiner hohen Stabilität und<br />
Verlässlichkeit bietet das Filter<br />
Anwendern eine hervorragende<br />
Lösung für GPS, Glonass und<br />
Baidou in Automotive-Applikationen<br />
aller Art.<br />
■ CompoTEK GmbH<br />
www.compotek.de<br />
GaAs E-pHEMT ist besonders<br />
rauscharm<br />
Die Amplifier-Spezialisten von<br />
ASB haben einen weiteren Baustein<br />
im Portfolio, mit dessen<br />
Hilfe Kunden ihre Applikationen<br />
optimieren können. Der<br />
AHL5216T8 ist ein Lownoise-<br />
Amplifier-Bauelement und<br />
verfügt über eine besonders<br />
hohe Linearität bei niedrigem<br />
Gleichstromverbrauch und sehr<br />
rauscharmen Verhalten. Außerdem<br />
sorgt sein aktiver Bias Circuit<br />
für eine stabile Stromversorgung<br />
sowohl bei wechselnden<br />
Temperaturen als auch bei<br />
sich ändernden Prozessvarianten.<br />
Darüber hinaus verfügt der<br />
AHL5216T8 über eine Netzabschaltungs-Kontrollfunktion<br />
und<br />
wurde diversen strengen DCund<br />
RF-Ausfallsicherheitstests<br />
unterzogen.<br />
Dank seiner mittleren Betriebsdauer<br />
bis zum ersten Ausfall von<br />
über 100 Jahren ist der Verstärker<br />
ein extrem zuverlässiges<br />
Bauteil für aktive Antennen, als<br />
Lownoise Amplifier für L-Band-<br />
Applikationen und in anderen<br />
Anwendungen, die niedriges<br />
Rauschen verlangen.<br />
■ CompoTEK GmbH<br />
www.compotek.de<br />
48 hf-praxis 6/<strong>2022</strong>
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