Nickelreaktivlot / Oxidkeramik-Fügungen als elektrisch ... - JuSER
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Daraus resultierend weisen die gelöteten Verbindungen nahezu optimal angepasste thermische<br />
Wärmedehnungen auf, sind unter den SOFC-Betriebsbedingungen chemisch stabil, verändern<br />
die Eigenschaften der chromferritischen Substrate nicht und besitzen vergleichsweise geringe<br />
Werkstoff- und Herstellungskosten.<br />
Mit den beidseitig eingelöteten 200 μm dicken MgO-Substraten können sowohl Modellproben<br />
<strong>als</strong> auch die komplexen Bauteile des aktuellen CSZ-SOFC-APU-Designs mit hoher Konturtreue<br />
und Homogenität gefügt werden, die Gasleckagen unter 0,3 ml/min aufweisen. Der<br />
flächenspezifische Widerstand beträgt nach dem Fügen über 10 11 Ω*cm 2 bei Raumtemperatur<br />
und 1,7 x 10 7 Ω*cm 2 bei 800°C, nimmt jedoch vermutlich durch die Bildung von Leitpfaden an<br />
den Korngrenzen in den ersten 300 Betriebsstunden kontinuierlich auf 3,5 x 10 5 Ω*cm 2 ab und<br />
stagniert schließlich in diesem Bereich.<br />
Die Lotfügungen mit einer 6 μm dünnen MgO-Beschichtung auf unbehandeltem Crofer 22 APU<br />
besitzen im Vergleich zu den beidseitig eingelöteten MgO-Substraten höhere mechanische<br />
Festigkeiten und sind ausnahmslos gasdicht, homogen, porenarm sowie konturtreu.<br />
Substratunabhängig erfolgt das Versagen der Fügungen in Scherzug-, Schäl- und<br />
Biegeversuchen überwiegend entlang der Grenzfläche Lot / Keramik. Die Untersuchung dieser<br />
Grenzflächen belegte bei der Verwendung titanaktivierter Lote die Bildung einer Mg-Ti-O-<br />
Reaktionszone, welche bei optimaler Prozessführung circa 100 nm dünn, gleichmäßig sowie<br />
porenarm ausgebildet ist. Sowohl die Erhöhung des Titananteils von 5 auf 10 Gew.-% <strong>als</strong> auch<br />
der Fügetemperatur führen zu einem inhomogenen Anwachsen dieser Grenzzone und einer<br />
Vermehrung der Fehlstellen. Folgerichtig sinkt die Festigkeit der geprüften Verbindungen nach<br />
einem Maximalwert wieder ab. Zirkonhaltige Fügungen bilden im Gegensatz dazu keine derart<br />
klar ausgeprägten Grenzzonen aus, besitzen jedoch einen je nach Lotzusammensetzung bis zu<br />
25 μm breiten grenzflächennahen Mischbereich aus Basislot und hochzirkonhaltigen Ni-Si-Zr-<br />
Phasen. Auch mit einem Lotanteil von 10 Gew.-% wurde bei zirkonhaltigen <strong>Nickelreaktivlot</strong>en die<br />
maximale Festigkeit nicht erreicht. Auf eine weitere Steigerung wurde jedoch verzichtet, da die<br />
Festigkeit für den Einsatz in SOFC-APUs ausreichend schien und bei noch höheren<br />
Reaktivelementanteilen die Korrosionsneigung drastisch zunimmt. Grundsätzlich konnte sowohl<br />
bei titan- <strong>als</strong> auch zirkonaktivierten Systemen festgestellt werden, dass die Variation der Anteile<br />
der Reaktivkomponenten und des Fügeprozesses in Kombination mit den MgO-Substraten<br />
einen geringeren Einfluss <strong>als</strong> mit den PVD-Beschichtungen hat. Erklärbar ist dies durch die<br />
zusätzliche mechanische Verklammerung der Lotsysteme auf der rauen Oberfläche der<br />
foliengegossenen MgO-Substrate. Die glatte Oberfläche der Beschichtung bewirkt dagegen<br />
eine größere Abhängigkeit von der Qualität der ausgebildeten Reaktivschicht.<br />
Die Metallisierung der MgO-Beschichtung mit reinem Titanmonoxid in Kombination mit<br />
anschließendem konventionellem Fügen ist nicht zielführend, da die Fügequalität lokal sehr<br />
inhomogen und daher nicht zufriedenstellend ist. Abhilfe schafft der Schutz der Ti-Metallisierung<br />
mit einer dünnen Kupferschicht, die im Lötprozess in dem Nickelbasislot auflegiert. Die<br />
Weiterentwicklung dieser Variante führte schließlich durch die Metallisierung mit 30 nm TiO /<br />
300 nm Cu / 1 μm Ti / 300 nm Cu zu homogenen und festen Fügungen, deren Schälfestigkeit<br />
hoch genug ist, dass es durchgängig zum Versagen der 0,5 mm dicken Crofer 22 APU – Bleche<br />
kommt.<br />
Die Korrosionsbeständigkeit ist in Verbindungen mit niedrigen Titan- oder Zirkongehalten durch<br />
die Ausbildung von schützenden Chromoxidschichten trotz lokaler Anteile an Ti, Zr und Si auch