Nickelreaktivlot / Oxidkeramik-Fügungen als elektrisch ... - JuSER

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Eine genaue Betrachtung der GDOES-Ergebnisse im Bereich des Lot / MgO-Übergangs zeigt,
dass die Titankonzentration im Vergleich zur Siliziumkonzentration zudem ein geringfügig, aber
deutlich in Richtung Magnesiumoxid verschobenes Maximum besitzt. Da diese Beobachtung
auch mit EDX-Daten korreliert, wurden zur genaueren Untersuchung der Grenzflächeneffekte
TEM- und STEM/EDX-Analysen durchgeführt. Deren Ergebnisse beweisen die Ausbildung einer
circa 100 bis 150 nm dünnen, von kleinen Poren durchsetzten Ti-Mg-O-Schicht (Abb. 6-23). Die
Verteilung der Poren ist dabei keiner lokalen Lotphasenzusammensetzung zuordenbar.
MgO (polykristallin)
Pt (Schutzbeschichtung)
1
„Nanopore“
2
Lotmatrix
100 nm
600
S c a n 1
I . . . . I
500
M g S i T i C r
Fe N i (O )
200
Counts []
400
300
MgO
Ti-Mg-O
Lotmatrix
200
100
Mg
O
Ti
I Ni . . . . I
500
Fe
Cr
0
500
0 50 100 150 200 250 300 350
S c a n M g O - > L o t [ n m ]
S c a n 2
400
M g Si Ti C r
Fe N i (O )
Counts []
300
200
100
MgO
Mg
O
Ti
Ti-Mg-O
Ni
Cr
Lotmatrix
Fe
0
0 50 100 150 200 250 300 350
Scan M gO -> Lot [nm ]
Abb. 6-23: Im Zuge der Reaktivreaktion entsteht ein circa 100 – 150 nm dicker Ti-Mg-O-Saum im Übergangsbereich
Lot / MgO {Fügung: Crofer 22 APU / MgO-Beschichtung / Ni102+5TiH 2 / Crofer 22 APU; Lötzyklus 3: 1070°C,
10 -4 mbar; TEM & STEM/EDX}