Сборник списков контролируемых товаров и технологий
Сборник списков контролируемых товаров и технологий
Сборник списков контролируемых товаров и технологий
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Категор<strong>и</strong>я 3. ЭЛЕКТРОНИКА<br />
3.1. С<strong>и</strong>стемы, оборудован<strong>и</strong>е <strong>и</strong> компоненты<br />
Сп<strong>и</strong>сок 580<br />
Пр<strong>и</strong>мечан<strong>и</strong>я:<br />
1. Контрольный статус оборудован<strong>и</strong>я <strong>и</strong> компонентов, указанных в пункте 3.1,<br />
друг<strong>и</strong>х, нежел<strong>и</strong> указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 <strong>и</strong>л<strong>и</strong> пункте 3.1.1.1.11,<br />
<strong>и</strong> которые спец<strong>и</strong>ально разработаны <strong>и</strong>л<strong>и</strong> <strong>и</strong>меют те же самые функц<strong>и</strong>ональные<br />
характер<strong>и</strong>ст<strong>и</strong>к<strong>и</strong>, как <strong>и</strong> другое оборудован<strong>и</strong>е, определяется по контрольному<br />
статусу такого оборудован<strong>и</strong>я.<br />
2. Контрольный статус <strong>и</strong>нтегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 –<br />
3.1.1.1.8 <strong>и</strong>л<strong>и</strong> пункте 3.1.1.1.11, которые являются не<strong>и</strong>зменно запрограмм<strong>и</strong>рованным<strong>и</strong><br />
<strong>и</strong>л<strong>и</strong> разработанным<strong>и</strong> для выполнен<strong>и</strong>я функц<strong>и</strong>й другого оборудован<strong>и</strong>я,<br />
определяется по контрольному статусу такого оборудован<strong>и</strong>я<br />
Особое пр<strong>и</strong>мечан<strong>и</strong>е. В тех случаях, когда <strong>и</strong>зготов<strong>и</strong>тель <strong>и</strong>л<strong>и</strong> заяв<strong>и</strong>тель не может<br />
определ<strong>и</strong>ть контрольный статус другого оборудован<strong>и</strong>я, этот статус определяется<br />
контрольным статусом <strong>и</strong>нтегральных схем, указанных в пунктах<br />
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 <strong>и</strong>л<strong>и</strong> пункте 3.1.1.1.11. Есл<strong>и</strong> <strong>и</strong>нтегральная схема является<br />
кремн<strong>и</strong>евой м<strong>и</strong>кросхемой м<strong>и</strong>кроЭВМ <strong>и</strong>л<strong>и</strong> м<strong>и</strong>кросхемой м<strong>и</strong>кроконтроллера,<br />
указанным<strong>и</strong> в пункте 3.1.1.1.3 <strong>и</strong> <strong>и</strong>меющ<strong>и</strong>м<strong>и</strong> дл<strong>и</strong>ну слова операнда<br />
(данных) 8 б<strong>и</strong>т <strong>и</strong>л<strong>и</strong> менее, то ее статус контроля должен определяться в<br />
соответств<strong>и</strong><strong>и</strong> с пунктом 3.1.1.1.3<br />
3.1.1. Электронные компоненты:<br />
3.1.1.1. Н<strong>и</strong>жепереч<strong>и</strong>сленные <strong>и</strong>нтегральные м<strong>и</strong>кросхемы общего назначен<strong>и</strong>я:<br />
Пр<strong>и</strong>мечан<strong>и</strong>я:<br />
1. Контрольный статус подложек (готовых <strong>и</strong>л<strong>и</strong> полуфабр<strong>и</strong>катов), на которых<br />
воспро<strong>и</strong>зведена конкретная функц<strong>и</strong>я, оцен<strong>и</strong>вается по параметрам, указанным<br />
в пункте 3.1.1.1<br />
2. Понят<strong>и</strong>е "<strong>и</strong>нтегральные схемы" включает следующ<strong>и</strong>е т<strong>и</strong>пы:<br />
монол<strong>и</strong>тные <strong>и</strong>нтегральные схемы;<br />
г<strong>и</strong>бр<strong>и</strong>дные <strong>и</strong>нтегральные схемы;<br />
многокр<strong>и</strong>стальные <strong>и</strong>нтегральные схемы;<br />
пленочные <strong>и</strong>нтегральные схемы, включая <strong>и</strong>нтегральные схемы т<strong>и</strong>па<br />
"кремн<strong>и</strong>й на сапф<strong>и</strong>ре";<br />
опт<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>е <strong>и</strong>нтегральные схемы;<br />
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроект<strong>и</strong>рованные <strong>и</strong>л<strong>и</strong> относящ<strong>и</strong>еся к классу рад<strong>и</strong>ац<strong>и</strong>онно-стойк<strong>и</strong>х,<br />
выдерж<strong>и</strong>вающ<strong>и</strong>е любое <strong>и</strong>з следующ<strong>и</strong>х воздейств<strong>и</strong>й:<br />
а) суммарную дозу 5×10 3 Гр (Si) [5×10 5 рад] <strong>и</strong>л<strong>и</strong> выше;<br />
б) мощность дозы 5×10 6 Гр (Si)/c [5×10 8 рад/с] <strong>и</strong>л<strong>и</strong> выше; <strong>и</strong>л<strong>и</strong><br />
в) флюенс (<strong>и</strong>нтегральный поток) нейтронов (соответствующ<strong>и</strong>й энерг<strong>и</strong><strong>и</strong> в 1 МэВ)<br />
5×10 13 н/кв. см <strong>и</strong>л<strong>и</strong> более по кремн<strong>и</strong>ю <strong>и</strong>л<strong>и</strong> его экв<strong>и</strong>валент для друг<strong>и</strong>х матер<strong>и</strong>алов.<br />
Пр<strong>и</strong>мечан<strong>и</strong>е. Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не пр<strong>и</strong>меняется к структуре металлд<strong>и</strong>электр<strong>и</strong>к-полупроводн<strong>и</strong>к<br />
(МДП-структуре);<br />
Раздел 1<br />
8542<br />
ДН (05) Л<strong>и</strong>ст 76 <strong>и</strong>з 286
Change language