07.04.2013 Views

Сборник списков контролируемых товаров и технологий

Сборник списков контролируемых товаров и технологий

Сборник списков контролируемых товаров и технологий

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Категор<strong>и</strong>я 3. ЭЛЕКТРОНИКА<br />

Сп<strong>и</strong>сок 580<br />

Раздел 1<br />

3.5. Технолог<strong>и</strong>я (продолжен<strong>и</strong>е)<br />

3.5.3. Проч<strong>и</strong>е технолог<strong>и</strong><strong>и</strong> для разработк<strong>и</strong> <strong>и</strong>л<strong>и</strong> про<strong>и</strong>зводства:<br />

а) вакуумных м<strong>и</strong>кроэлектронных пр<strong>и</strong>боров;<br />

б) полупроводн<strong>и</strong>ковых пр<strong>и</strong>боров на гетероструктурах, так<strong>и</strong>х, как транз<strong>и</strong>сторы<br />

с высокой подв<strong>и</strong>жностью электронов, б<strong>и</strong>полярных транз<strong>и</strong>сторов на гетероструктуре,<br />

пр<strong>и</strong>боров с квантовым<strong>и</strong> ямам<strong>и</strong> <strong>и</strong>л<strong>и</strong> пр<strong>и</strong>боров на сверхрешетках;<br />

Пр<strong>и</strong>мечан<strong>и</strong>е. По подпункту "б" пункта 3.5.3 не контрол<strong>и</strong>руются технолог<strong>и</strong><strong>и</strong><br />

для транз<strong>и</strong>сторов с высокой подв<strong>и</strong>жностью электронов (ТВПЭ),<br />

работающ<strong>и</strong>х на частотах н<strong>и</strong>же 31,8 ГГц, <strong>и</strong> б<strong>и</strong>полярных транз<strong>и</strong>сторов<br />

на гетероструктуре (ГБТ), работающ<strong>и</strong>х на частотах н<strong>и</strong>же 31,8 ГГц;<br />

в) сверхпроводящ<strong>и</strong>х электронных пр<strong>и</strong>боров;<br />

г) подложек <strong>и</strong>з алмазных пленок для электронных компонентов;<br />

д) подложек <strong>и</strong>з структур кремн<strong>и</strong>я на д<strong>и</strong>электр<strong>и</strong>ке (КНД-структур) для <strong>и</strong>нтегральных<br />

схем, в которых д<strong>и</strong>электр<strong>и</strong>ком является д<strong>и</strong>окс<strong>и</strong>д кремн<strong>и</strong>я;<br />

е) подложек <strong>и</strong>з карб<strong>и</strong>да кремн<strong>и</strong>я для электронных компонентов;<br />

ж) электронных вакуумных ламп, работающ<strong>и</strong>х на частотах 31,8 ГГц <strong>и</strong>л<strong>и</strong> выше.<br />

ДН (05) Л<strong>и</strong>ст 99 <strong>и</strong>з 286

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!