Сборник списков контролируемых товаров и технологий
Сборник списков контролируемых товаров и технологий
Сборник списков контролируемых товаров и технологий
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Категор<strong>и</strong>я 3. ЭЛЕКТРОНИКА<br />
Сп<strong>и</strong>сок 580<br />
Раздел 1<br />
3.3. Матер<strong>и</strong>алы (продолжен<strong>и</strong>е)<br />
3.3.4. Г<strong>и</strong>др<strong>и</strong>ды фосфора, мышьяка <strong>и</strong>л<strong>и</strong> сурьмы, <strong>и</strong>меющ<strong>и</strong>е ч<strong>и</strong>стоту более 99,999%, даже<br />
будуч<strong>и</strong> растворенным<strong>и</strong> в <strong>и</strong>нертных газах <strong>и</strong>л<strong>и</strong> водороде<br />
2848 00 000 0; 2850 00 200 0<br />
Пр<strong>и</strong>мечан<strong>и</strong>е. По пункту 3.3.4 не контрол<strong>и</strong>руются г<strong>и</strong>др<strong>и</strong>ды, содержащ<strong>и</strong>е 20% <strong>и</strong><br />
более молей <strong>и</strong>нертных газов <strong>и</strong>л<strong>и</strong> водорода<br />
3.3.5. Подложк<strong>и</strong> <strong>и</strong>з карб<strong>и</strong>да кремн<strong>и</strong>я (SiC), н<strong>и</strong>тр<strong>и</strong>да галл<strong>и</strong>я (GaN), н<strong>и</strong>тр<strong>и</strong>да алюм<strong>и</strong>н<strong>и</strong>я<br />
(AlN) <strong>и</strong>л<strong>и</strong> н<strong>и</strong>тр<strong>и</strong>да галл<strong>и</strong>я-алюм<strong>и</strong>н<strong>и</strong>я (AlGaN) <strong>и</strong>л<strong>и</strong> сл<strong>и</strong>тк<strong>и</strong>, бул<strong>и</strong>, а также друг<strong>и</strong>е<br />
преформы <strong>и</strong>з указанных матер<strong>и</strong>алов, <strong>и</strong>меющ<strong>и</strong>е удельное сопрот<strong>и</strong>влен<strong>и</strong>е более<br />
10000 Ом×см пр<strong>и</strong> 20°C<br />
3818 00 900 0<br />
3.3.6. Подложк<strong>и</strong>, определенные в пункте 3.3.5, содержащ<strong>и</strong>е по крайней мере од<strong>и</strong>н эп<strong>и</strong>такс<strong>и</strong>альный<br />
слой <strong>и</strong>з карб<strong>и</strong>да кремн<strong>и</strong>я (SiC), н<strong>и</strong>тр<strong>и</strong>да галл<strong>и</strong>я (GaN), н<strong>и</strong>тр<strong>и</strong>да<br />
алюм<strong>и</strong>н<strong>и</strong>я (AlN) <strong>и</strong>л<strong>и</strong> н<strong>и</strong>тр<strong>и</strong>да галл<strong>и</strong>я-алюм<strong>и</strong>н<strong>и</strong>я (AlGaN)<br />
3818 00 900 0<br />
3.4. Программное обеспечен<strong>и</strong>е<br />
3.4.1. Программное обеспечен<strong>и</strong>е, спец<strong>и</strong>ально разработанное для разработк<strong>и</strong> <strong>и</strong>л<strong>и</strong> про<strong>и</strong>зводства<br />
оборудован<strong>и</strong>я, контрол<strong>и</strong>руемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 <strong>и</strong>л<strong>и</strong> по<br />
пункту 3.2<br />
3.4.2. Программное обеспечен<strong>и</strong>е, спец<strong>и</strong>ально разработанное для пр<strong>и</strong>менен<strong>и</strong>я в любом<br />
н<strong>и</strong>жеследующем оборудован<strong>и</strong><strong>и</strong>: а) контрол<strong>и</strong>руемом по пунктам 3.2.1.1 - 3.2.1.6;<br />
<strong>и</strong>л<strong>и</strong> б) контрол<strong>и</strong>руемом по пункту 3.2.2<br />
3.4.3. Ф<strong>и</strong>з<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong> обоснованное программное обеспечен<strong>и</strong>е модел<strong>и</strong>рован<strong>и</strong>я, спец<strong>и</strong>ально<br />
разработанное для разработк<strong>и</strong> процессов л<strong>и</strong>тограф<strong>и</strong><strong>и</strong>, травлен<strong>и</strong>я <strong>и</strong>л<strong>и</strong> осажден<strong>и</strong>я<br />
с целью воплощен<strong>и</strong>я маск<strong>и</strong>рующ<strong>и</strong>х шаблонов в конкретные топограф<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>е<br />
р<strong>и</strong>сунк<strong>и</strong> на проводн<strong>и</strong>ках, д<strong>и</strong>электр<strong>и</strong>ках <strong>и</strong>л<strong>и</strong> полупроводн<strong>и</strong>ках<br />
Техн<strong>и</strong>ческое пр<strong>и</strong>мечан<strong>и</strong>е. Под терм<strong>и</strong>ном "ф<strong>и</strong>з<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong> обоснованное" в пункте<br />
3.4.3 пон<strong>и</strong>мается <strong>и</strong>спользован<strong>и</strong>е выч<strong>и</strong>слен<strong>и</strong>й для определен<strong>и</strong>я последовательност<strong>и</strong><br />
ф<strong>и</strong>з<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>х факторов <strong>и</strong> результатов воздейств<strong>и</strong>я, основанных<br />
на ф<strong>и</strong>з<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>х свойствах (напр<strong>и</strong>мер, температура, давлен<strong>и</strong>е, коэфф<strong>и</strong>ц<strong>и</strong>ент<br />
д<strong>и</strong>ффуз<strong>и</strong><strong>и</strong> <strong>и</strong> полупроводн<strong>и</strong>ковые свойства матер<strong>и</strong>алов)<br />
Пр<strong>и</strong>мечан<strong>и</strong>е. Б<strong>и</strong>бл<strong>и</strong>отек<strong>и</strong>, проектные атр<strong>и</strong>буты <strong>и</strong>л<strong>и</strong> сопутствующ<strong>и</strong>е данные для<br />
проект<strong>и</strong>рован<strong>и</strong>я полупроводн<strong>и</strong>ковых пр<strong>и</strong>боров <strong>и</strong>л<strong>и</strong> <strong>и</strong>нтегральных схем<br />
рассматр<strong>и</strong>ваются как технолог<strong>и</strong>я<br />
3.4.4. Программное обеспечен<strong>и</strong>е, спец<strong>и</strong>ально разработанное для разработк<strong>и</strong> оборудован<strong>и</strong>я,<br />
контрол<strong>и</strong>руемого по пункту 3.1.3<br />
ДН (05) Л<strong>и</strong>ст 97 <strong>и</strong>з 286
Change language