Сборник списков контролируемых товаров и технологий

Категория 6. ДАТЧИКИ И ЛАЗЕРЫ
6.1. Системы, оборудование и компоненты (продолжение)
6.1.5. Лазеры, компоненты и оптическое оборудование:
6.1.5.4. Другие лазеры, не контролируемые по пунктам 6.1.5.1 - 6.1.5.3:
6.1.5.4.1. Полупроводниковые лазеры:
Список 580
Примечания:
1. Пункт 6.1.5.4.1 включает полупроводниковые лазеры, имеющие оптические
волоконные выходы
2. Контрольный статус полупроводниковых лазеров, специально разработанных
для другого оборудования, определяется по контрольному статусу
этого другого оборудования
Технические примечания:
1. Полупроводниковые лазеры обычно называются лазерными диодами
2. Линейка состоит из многочисленных полупроводниковых лазерных излучателей,
выполненных в виде кристалла (чипа) таким образом, чтобы
центры испускаемых лучей находились на параллельных траекториях
3. Решетки полупроводниковых лазеров получают путем размещения линеек
друг над другом или иным способом их сборки так, чтобы центры испускаемых
лучей находились на параллельных траекториях;
Раздел 1
6.1.5.4.1.1. Одиночные полупроводниковые лазеры, работающие в режиме генерации одной
поперечной моды, имеющие любую из следующих характеристик:
а) длину волны, равную или меньше 1510 нм, и среднюю выходную мощность или
мощность непрерывного излучения более 1,5 Вт;
или
б) длину волны более 1510 нм и среднюю выходную мощность или мощность непрерывного
излучения более 500 мВт;
8541 40 100 0
6.1.5.4.1.2. Одиночные многомодовые (по поперечной моде) полупроводниковые лазеры,
имеющие любую из следующих характеристик:
а) длину волны менее 1400 нм и среднюю выходную мощность или мощность непрерывного
излучения более 10 Вт;
б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и среднюю выходную
мощность или мощность непрерывного излучения более 2,5 Вт;
или
в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и среднюю выходную мощность или
мощность непрерывного излучения более 1 Вт;
8541 40 100 0
6.1.5.4.1.3. Отдельные линейки полупроводниковых лазеров, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) длину волны менее 1400 нм и среднюю выходную мощность или мощность непрерывного
излучения более 80 Вт;
б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и среднюю выходную
мощность или мощность непрерывного излучения более 25 Вт;
или
в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и среднюю выходную мощность или
мощность непрерывного излучения более 10 Вт;
8541 40 100 0
6.1.5.4.1.4. Решетки полупроводниковых лазеров, содержащие, по крайней мере, одну линейку,
контролируемую по пункту 6.1.5.4.1.3
8541 40 100 0
см. продолжение п. 6.1.5.4
ДН (05) Лист 143 из 286