Сборник списков контролируемых товаров и технологий
Сборник списков контролируемых товаров и технологий
Сборник списков контролируемых товаров и технологий
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Категор<strong>и</strong>я 3. ЭЛЕКТРОНИКА<br />
Сп<strong>и</strong>сок 580<br />
Раздел 1<br />
3.2. Испытательное, контрольное <strong>и</strong> про<strong>и</strong>зводственное оборудован<strong>и</strong>е (продолжен<strong>и</strong>е)<br />
3.2.1. Н<strong>и</strong>жепереч<strong>и</strong>сленное оборудован<strong>и</strong>е для про<strong>и</strong>зводства полупроводн<strong>и</strong>ковых пр<strong>и</strong>боров<br />
<strong>и</strong>л<strong>и</strong> матер<strong>и</strong>алов <strong>и</strong> спец<strong>и</strong>ально разработанные компоненты <strong>и</strong> оснастка для н<strong>и</strong>х:<br />
(продолжен<strong>и</strong>е)<br />
3.2.1.4. Оборудован<strong>и</strong>е х<strong>и</strong>м<strong>и</strong>ческого осажден<strong>и</strong>я <strong>и</strong>з паровой фазы с пр<strong>и</strong>менен<strong>и</strong>ем плазменного<br />
разряда, ускоряющего процесс:<br />
8486 20 900 9; 8419 89 300 0<br />
3.2.1.4.1. Оборудован<strong>и</strong>е с подачей заготовок <strong>и</strong>з кассеты в кассету <strong>и</strong> шлюзовой загрузкой,<br />
разработанное в соответств<strong>и</strong><strong>и</strong> с техн<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>м<strong>и</strong> услов<strong>и</strong>ям<strong>и</strong> про<strong>и</strong>звод<strong>и</strong>теля <strong>и</strong>л<strong>и</strong> опт<strong>и</strong>м<strong>и</strong>з<strong>и</strong>рованное<br />
для <strong>и</strong>спользован<strong>и</strong>я в про<strong>и</strong>зводстве полупроводн<strong>и</strong>ковых устройств<br />
с кр<strong>и</strong>т<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>м размером 180 нм <strong>и</strong>л<strong>и</strong> менее;<br />
3.2.1.4.2. Оборудован<strong>и</strong>е, спец<strong>и</strong>ально спроект<strong>и</strong>рованное для с<strong>и</strong>стем, <strong>контрол<strong>и</strong>руемых</strong> по<br />
пункту 3.2.1.5, <strong>и</strong> разработанное в соответств<strong>и</strong><strong>и</strong> с техн<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>м<strong>и</strong> услов<strong>и</strong>ям<strong>и</strong> про<strong>и</strong>звод<strong>и</strong>теля<br />
<strong>и</strong>л<strong>и</strong> опт<strong>и</strong>м<strong>и</strong>з<strong>и</strong>рованное для <strong>и</strong>спользован<strong>и</strong>я в про<strong>и</strong>зводстве полупроводн<strong>и</strong>ковых<br />
устройств с кр<strong>и</strong>т<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>м размером 180 нм <strong>и</strong>л<strong>и</strong> менее;<br />
3.2.1.5. Автомат<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong> загружаемые многокамерные с<strong>и</strong>стемы с центральной загрузкой<br />
полупроводн<strong>и</strong>ковых пласт<strong>и</strong>н (подложек), <strong>и</strong>меющ<strong>и</strong>е все следующ<strong>и</strong>е характер<strong>и</strong>ст<strong>и</strong>к<strong>и</strong>:<br />
а) <strong>и</strong>нтерфейсы для загрузк<strong>и</strong> <strong>и</strong> выгрузк<strong>и</strong> пласт<strong>и</strong>н (подложек), к которым<br />
пр<strong>и</strong>соед<strong>и</strong>няется более двух ед<strong>и</strong>н<strong>и</strong>ц оборудован<strong>и</strong>я для обработк<strong>и</strong> полупроводн<strong>и</strong>ков;<br />
<strong>и</strong> б) предназначенные для <strong>и</strong>нтегр<strong>и</strong>рованной с<strong>и</strong>стемы последовательной многопоз<strong>и</strong>ц<strong>и</strong>онной<br />
обработк<strong>и</strong> пласт<strong>и</strong>н (подложек) в вакууме<br />
8456 10 00; 8486 20 900 2; 8456 90 000 0;<br />
8486 20 900 3; 8479 50 000 0<br />
Пр<strong>и</strong>мечан<strong>и</strong>е. По пункту 3.2.1.5 не контрол<strong>и</strong>руются автомат<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>е робототехн<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>е<br />
с<strong>и</strong>стемы управлен<strong>и</strong>я загрузкой пласт<strong>и</strong>н (подложек), не предназначенные<br />
для работы в вакууме;<br />
3.2.1.6. Оборудован<strong>и</strong>е для л<strong>и</strong>тограф<strong>и</strong><strong>и</strong>:<br />
3.2.1.6.1. Оборудован<strong>и</strong>е для обработк<strong>и</strong> пласт<strong>и</strong>н с <strong>и</strong>спользован<strong>и</strong>ем методов опт<strong>и</strong>ческой <strong>и</strong>л<strong>и</strong><br />
рентгеновской л<strong>и</strong>тограф<strong>и</strong><strong>и</strong> с пошаговым совмещен<strong>и</strong>ем <strong>и</strong> экспоз<strong>и</strong>ц<strong>и</strong>ей (непосредственно<br />
на пласт<strong>и</strong>не) <strong>и</strong>л<strong>и</strong> скан<strong>и</strong>рован<strong>и</strong>ем (сканер), <strong>и</strong>меющее любое <strong>и</strong>з следующего:<br />
а) <strong>и</strong>сточн<strong>и</strong>к света с дл<strong>и</strong>ной волны короче 245 нм;<br />
<strong>и</strong>л<strong>и</strong><br />
б) возможность форм<strong>и</strong>рован<strong>и</strong>я р<strong>и</strong>сунка с м<strong>и</strong>н<strong>и</strong>мальным разрешаемым размером<br />
элемента 180 нм <strong>и</strong> менее<br />
8443 39 290 0<br />
Техн<strong>и</strong>ческое пр<strong>и</strong>мечан<strong>и</strong>е. М<strong>и</strong>н<strong>и</strong>мальный разрешаемый размер элемента (МРР)<br />
рассч<strong>и</strong>тывается по следующей формуле:<br />
МРР = (дл<strong>и</strong>на волны <strong>и</strong>сточн<strong>и</strong>ка света в нанометрах)×<br />
×(К фактор)/(ч<strong>и</strong>словая апертура),<br />
где К фактор = 0,45;<br />
3.2.1.6.2. Л<strong>и</strong>тограф<strong>и</strong>ческое оборудован<strong>и</strong>е для печат<strong>и</strong>, способное создавать элементы размером<br />
180 нм <strong>и</strong>л<strong>и</strong> менее<br />
8443 39; 8486 20 900<br />
Пр<strong>и</strong>мечан<strong>и</strong>е. Пункт 3.2.1.6.2 включает:<br />
а) <strong>и</strong>нструментальные средства для м<strong>и</strong>кроконтактной л<strong>и</strong>тограф<strong>и</strong><strong>и</strong>;<br />
б) <strong>и</strong>нструментальные средства для горячего т<strong>и</strong>снен<strong>и</strong>я;<br />
в) л<strong>и</strong>тограф<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>е <strong>и</strong>нструментальные средства для нанопечат<strong>и</strong>;<br />
г) л<strong>и</strong>тограф<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>е <strong>и</strong>нструментальные средства для поэтапной <strong>и</strong> мгновенной<br />
печат<strong>и</strong>;<br />
ДН (05) Л<strong>и</strong>ст 94 <strong>и</strong>з 286
Change language