Сборник списков контролируемых товаров и технологий
Сборник списков контролируемых товаров и технологий
Сборник списков контролируемых товаров и технологий
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Категор<strong>и</strong>я 3. ЭЛЕКТРОНИКА<br />
3.2. Испытательное, контрольное <strong>и</strong> про<strong>и</strong>зводственное оборудован<strong>и</strong>е<br />
Сп<strong>и</strong>сок 580<br />
3.2.1. Н<strong>и</strong>жепереч<strong>и</strong>сленное оборудован<strong>и</strong>е для про<strong>и</strong>зводства полупроводн<strong>и</strong>ковых пр<strong>и</strong>боров<br />
<strong>и</strong>л<strong>и</strong> матер<strong>и</strong>алов <strong>и</strong> спец<strong>и</strong>ально разработанные компоненты <strong>и</strong> оснастка для н<strong>и</strong>х:<br />
3.2.1.1. Оборудован<strong>и</strong>е для эп<strong>и</strong>такс<strong>и</strong>ального выращ<strong>и</strong>ван<strong>и</strong>я:<br />
Раздел 1<br />
3.2.1.1.1. Оборудован<strong>и</strong>е, обеспеч<strong>и</strong>вающее про<strong>и</strong>зводство слоя <strong>и</strong>з любого матер<strong>и</strong>ала, отл<strong>и</strong>чного<br />
от кремн<strong>и</strong>я, с отклонен<strong>и</strong>ем равномерност<strong>и</strong> толщ<strong>и</strong>ны менее ±2,5% на расстоян<strong>и</strong><strong>и</strong><br />
75 мм <strong>и</strong>л<strong>и</strong> более;<br />
8486 10 000 9<br />
3.2.1.1.2. Установк<strong>и</strong> (реакторы) для х<strong>и</strong>м<strong>и</strong>ческого осажден<strong>и</strong>я <strong>и</strong>з паровой фазы металлоорган<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>х<br />
соед<strong>и</strong>нен<strong>и</strong>й, спец<strong>и</strong>ально разработанные для выращ<strong>и</strong>ван<strong>и</strong>я кр<strong>и</strong>сталлов<br />
полупроводн<strong>и</strong>ковых соед<strong>и</strong>нен<strong>и</strong>й с <strong>и</strong>спользован<strong>и</strong>ем матер<strong>и</strong>алов, <strong>контрол<strong>и</strong>руемых</strong><br />
по пункту 3.3.3 <strong>и</strong>л<strong>и</strong> 3.3.4, в качестве <strong>и</strong>сходных<br />
8486 20 900 9<br />
Особое пр<strong>и</strong>мечан<strong>и</strong>е. В отношен<strong>и</strong><strong>и</strong> оборудован<strong>и</strong>я, указанного в пункте 3.2.1.1.2,<br />
см. также пункт 3.2.1 раздела 2;<br />
3.2.1.1.3. Оборудован<strong>и</strong>е для молекулярно-эп<strong>и</strong>такс<strong>и</strong>ального выращ<strong>и</strong>ван<strong>и</strong>я с <strong>и</strong>спользован<strong>и</strong>ем<br />
газообразных <strong>и</strong>л<strong>и</strong> твердых <strong>и</strong>сточн<strong>и</strong>ков;<br />
8486 10 000 9<br />
3.2.1.2. Оборудован<strong>и</strong>е, предназначенное для <strong>и</strong>онной <strong>и</strong>мплантац<strong>и</strong><strong>и</strong>, <strong>и</strong>меющее любую <strong>и</strong>з<br />
следующ<strong>и</strong>х характер<strong>и</strong>ст<strong>и</strong>к:<br />
а) энерг<strong>и</strong>ю пучка (ускоряющее напряжен<strong>и</strong>е) более 1 МэВ;<br />
б) спец<strong>и</strong>ально спроект<strong>и</strong>рованное <strong>и</strong> опт<strong>и</strong>м<strong>и</strong>з<strong>и</strong>рованное для работы с энерг<strong>и</strong>ей<br />
пучка (ускоряющ<strong>и</strong>м напряжен<strong>и</strong>ем) менее 2 кэВ;<br />
в) <strong>и</strong>меет возможность непосредственного форм<strong>и</strong>рован<strong>и</strong>я р<strong>и</strong>сунка;<br />
<strong>и</strong>л<strong>и</strong><br />
г) энерг<strong>и</strong>ю пучка 65 кэВ <strong>и</strong>л<strong>и</strong> более <strong>и</strong> с<strong>и</strong>лу тока пучка 45 мА <strong>и</strong>л<strong>и</strong> более для высокоэнергет<strong>и</strong>ческой<br />
<strong>и</strong>мплантац<strong>и</strong><strong>и</strong> к<strong>и</strong>слорода в нагретую подложку полупроводн<strong>и</strong>кового<br />
матер<strong>и</strong>ала;<br />
8486 20 900 9<br />
3.2.1.3. Оборудован<strong>и</strong>е для сухого ан<strong>и</strong>зотропного плазменного травлен<strong>и</strong>я:<br />
3.2.1.3.1. Оборудован<strong>и</strong>е с подачей заготовок <strong>и</strong>з кассеты в кассету <strong>и</strong> шлюзовой загрузкой,<br />
<strong>и</strong>меющее любую <strong>и</strong>з следующ<strong>и</strong>х характер<strong>и</strong>ст<strong>и</strong>к:<br />
а) разработанное <strong>и</strong>л<strong>и</strong> опт<strong>и</strong>м<strong>и</strong>з<strong>и</strong>рованное для про<strong>и</strong>зводства структур с кр<strong>и</strong>т<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>м<br />
размером 180 нм <strong>и</strong>л<strong>и</strong> менее <strong>и</strong> погрешностью (3 с<strong>и</strong>гма), равной ±5%;<br />
<strong>и</strong>л<strong>и</strong><br />
б) разработанное для обеспечен<strong>и</strong>я ч<strong>и</strong>стоты лучше 0,04 част<strong>и</strong>цы на кв. см, пр<strong>и</strong><br />
этом <strong>и</strong>змеряемый размер част<strong>и</strong>цы более 0,1 мкм в д<strong>и</strong>аметре;<br />
8486 20 900 2; 8456 90 000 0<br />
3.2.1.3.2. Оборудован<strong>и</strong>е, спец<strong>и</strong>ально спроект<strong>и</strong>рованное для с<strong>и</strong>стем, <strong>контрол<strong>и</strong>руемых</strong> по<br />
пункту 3.2.1.5, <strong>и</strong> <strong>и</strong>меющее любую <strong>и</strong>з следующ<strong>и</strong>х характер<strong>и</strong>ст<strong>и</strong>к:<br />
а) разработанное <strong>и</strong>л<strong>и</strong> опт<strong>и</strong>м<strong>и</strong>з<strong>и</strong>рованное для про<strong>и</strong>зводства структур с кр<strong>и</strong>т<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>м<br />
размером 180 нм <strong>и</strong>л<strong>и</strong> менее <strong>и</strong> погрешностью (3 с<strong>и</strong>гма), равной ±5%;<br />
<strong>и</strong>л<strong>и</strong><br />
б) разработанное для обеспечен<strong>и</strong>я ч<strong>и</strong>стоты лучше 0,04 част<strong>и</strong>цы на кв. см, пр<strong>и</strong><br />
этом <strong>и</strong>змеряемый размер част<strong>и</strong>цы более 0,1 мкм в д<strong>и</strong>аметре;<br />
8486 20 900 2; 8456 90 000 0<br />
ДН (05) Л<strong>и</strong>ст 93 <strong>и</strong>з 286
Change language