07.04.2013 Views

Сборник списков контролируемых товаров и технологий

Сборник списков контролируемых товаров и технологий

Сборник списков контролируемых товаров и технологий

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Категор<strong>и</strong>я 3. ЭЛЕКТРОНИКА<br />

Сп<strong>и</strong>сок 580<br />

Раздел 1<br />

3.2. Испытательное, контрольное <strong>и</strong> про<strong>и</strong>зводственное оборудован<strong>и</strong>е (продолжен<strong>и</strong>е)<br />

3.2.1. Н<strong>и</strong>жепереч<strong>и</strong>сленное оборудован<strong>и</strong>е для про<strong>и</strong>зводства полупроводн<strong>и</strong>ковых пр<strong>и</strong>боров<br />

<strong>и</strong>л<strong>и</strong> матер<strong>и</strong>алов <strong>и</strong> спец<strong>и</strong>ально разработанные компоненты <strong>и</strong> оснастка для н<strong>и</strong>х:<br />

(продолжен<strong>и</strong>е)<br />

3.2.1.6. Оборудован<strong>и</strong>е для л<strong>и</strong>тограф<strong>и</strong><strong>и</strong>: (продолжен<strong>и</strong>е)<br />

3.2.1.6.3. Оборудован<strong>и</strong>е, спец<strong>и</strong>ально разработанное для <strong>и</strong>зготовлен<strong>и</strong>я шаблонов <strong>и</strong>л<strong>и</strong> про<strong>и</strong>зводства<br />

полупроводн<strong>и</strong>ковых пр<strong>и</strong>боров с <strong>и</strong>спользован<strong>и</strong>ем методов непосредственного<br />

форм<strong>и</strong>рован<strong>и</strong>я р<strong>и</strong>сунка, <strong>и</strong>меющее все н<strong>и</strong>жеследующее:<br />

а) <strong>и</strong>спользующее отклоняемый сфокус<strong>и</strong>рованный электронный, <strong>и</strong>онный <strong>и</strong>л<strong>и</strong> лазерный<br />

пучок;<br />

<strong>и</strong><br />

б) <strong>и</strong>меющее любую <strong>и</strong>з следующ<strong>и</strong>х характер<strong>и</strong>ст<strong>и</strong>к:<br />

размер пятна менее 0,2 мкм;<br />

возможность форм<strong>и</strong>рован<strong>и</strong>я р<strong>и</strong>сунка с размером элементов менее 1 мкм;<br />

<strong>и</strong>л<strong>и</strong><br />

точность совмещен<strong>и</strong>я слоев лучше ±0,20 мкм (3 с<strong>и</strong>гма);<br />

8456 10 00; 8486 20 900 3; 8486 40 000 1<br />

3.2.1.7. Маск<strong>и</strong> <strong>и</strong> промежуточные шаблоны, разработанные для про<strong>и</strong>зводства <strong>и</strong>нтегральных<br />

схем, <strong>контрол<strong>и</strong>руемых</strong> по пункту 3.1.1;<br />

8486 90 900 3<br />

3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдв<strong>и</strong>гающ<strong>и</strong>м слоем<br />

8486 90 900 3<br />

Пр<strong>и</strong>мечан<strong>и</strong>е. По пункту 3.2.1.8 не контрол<strong>и</strong>руются многослойные шаблоны с<br />

фазосдв<strong>и</strong>гающ<strong>и</strong>м слоем, разработанные для <strong>и</strong>зготовлен<strong>и</strong>я запом<strong>и</strong>нающ<strong>и</strong>х<br />

устройств, не <strong>контрол<strong>и</strong>руемых</strong> по пункту 3.1.1;<br />

3.2.1.9. Л<strong>и</strong>тограф<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>е шаблоны для печат<strong>и</strong>, разработанные для <strong>и</strong>нтегральных схем,<br />

<strong>контрол<strong>и</strong>руемых</strong> по пункту 3.1.1<br />

8486 90 900 3<br />

3.2.2. Оборудован<strong>и</strong>е, спец<strong>и</strong>ально разработанное для <strong>и</strong>спытан<strong>и</strong>я готовых <strong>и</strong>л<strong>и</strong> находящ<strong>и</strong>хся<br />

в разной степен<strong>и</strong> <strong>и</strong>зготовлен<strong>и</strong>я полупроводн<strong>и</strong>ковых пр<strong>и</strong>боров, <strong>и</strong> спец<strong>и</strong>ально<br />

разработанные для этого компоненты <strong>и</strong> пр<strong>и</strong>способлен<strong>и</strong>я:<br />

3.2.2.1. Для <strong>и</strong>змерен<strong>и</strong>я S-параметров транз<strong>и</strong>сторных пр<strong>и</strong>боров на частотах выше<br />

31,8 ГГц;<br />

9031 80 380 0<br />

3.2.2.2. Для <strong>и</strong>спытан<strong>и</strong>я м<strong>и</strong>кроволновых <strong>и</strong>нтегральных схем, <strong>контрол<strong>и</strong>руемых</strong> по пункту<br />

3.1.1.2.2<br />

9030; 9031 20 000 0; 9031 80 380 0<br />

ДН (05) Л<strong>и</strong>ст 95 <strong>и</strong>з 286

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!