Wykład 9

More documents

Recommendations

Info

Plan wykładu 9 • Obsadzenie poziomów domieszkowych/defektowych w stanie równowagi termodynamicznej – dokończenie • Własności sprężyste ciał stałych • Fale sprężyste w ośrodkach ciągłych • Drgania sieci krystalicznej, fonony 2013-04-23 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 9 2
Obsadzenie poziomów domieszkowych/defektowych w stanie równowagi termodynamicznej Równanie neutralności kryształu – przykład: koncentracja nośników w niezdegenerowanym półprzewodniku niesamoistnym µ N D – koncentracja donorów N A – koncentracja akceptorów N 0 D – koncentracja neutralnych donorów N 0 A – koncentracja neutralnych akceptorów n – koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa p – koncentracja dziur w paśmie walencyjnym Równanie neutralności kryształu (bilans ładunków ujemnych i dodatnich): n + (N A – N 0 A) = p + (N D – N 0 D) 2013-04-23 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 9 3
Page 1: Fizyka materii skondensowanej i str
Page 5 and 6: Obsadzenie poziomów domieszkowych/
Page 11 and 12: Własności sprężyste ciał stał
Page 13 and 14: ε ij ε ij Własności sprężyste
Page 21 and 22: Fale sprężyste w ośrodkach ciąg
Page 25 and 26: • Fale rozchodzące się w kierun
Page 29 and 30: Drgania sieci krystalicznej, fonony
Page 39 and 40: 1 THz ≈ 4 meV Drgania sieci kryst
Page 41 and 42: 8 cm -1 ≈ 1 meV Drgania sieci kry
Page 43 and 44: 8 cm -1 ≈ 1 meV Drgania sieci kry

Wykład 9

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?