Wykład 9

More documents

Recommendations

Info

Obsadzenie poziomów domieszkowych/defektowych w stanie równowagi termodynamicznej • dla półprzewodników skompensowanych w niskich temperaturach energia aktywacji termicznej wynosi ED, a nie ED/2 • jeśli domieszek jest dużo, tak, że funkcje falowe związanych na nich elektronów się przekrywają – energie jonizacji maleją, tworzą się pasma domieszkowe • przy koncentracjach domieszek rzędu: 3 ( N ) ≈ 0, 26 zachodzi przejście fazowe niemetalmetal (tzw. przejście Motta) 2013-04-23 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 9 8 a * B ⋅ D 1
Obsadzenie poziomów domieszkowych/defektowych w stanie równowagi termodynamicznej Si:P ( ) ≈ 0, 26 n P.P. Edwards, M.J. Sienko, J. Am. Chem. Soc. 103, 2967 (1981) 2013-04-23 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 9 9 a * B ⋅ c 1 3
Page 1 and 2: Fizyka materii skondensowanej i str
Page 3 and 4: Obsadzenie poziomów domieszkowych/
Page 5 and 6: Obsadzenie poziomów domieszkowych/
Page 7: Obsadzenie poziomów domieszkowych/
Page 11 and 12: Własności sprężyste ciał stał
Page 13 and 14: ε ij ε ij Własności sprężyste
Page 21 and 22: Fale sprężyste w ośrodkach ciąg
Page 25 and 26: • Fale rozchodzące się w kierun
Page 29 and 30: Drgania sieci krystalicznej, fonony
Page 39 and 40: 1 THz ≈ 4 meV Drgania sieci kryst
Page 41 and 42: 8 cm -1 ≈ 1 meV Drgania sieci kry
Page 43 and 44: 8 cm -1 ≈ 1 meV Drgania sieci kry

Wykład 9

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?