Wykład 9

More documents

Recommendations

Info

E 0 Obsadzenie poziomów domieszkowych/defektowych w stanie równowagi termodynamicznej Równanie neutralności kryształu – niska temperatura, obszar jonizacji termicznej domieszek µ E D N D – koncentracja donorów N A ≈ 0 – koncentracja akceptorów N 0 D – koncentracja neutralnych donorów n – koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa p ≈ 0 – koncentracja dziur w paśmie walencyjnym Równanie neutralności: n = (N D – N 0 D) 2013-04-23 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 9 6
Obsadzenie poziomów domieszkowych/defektowych w stanie równowagi termodynamicznej • teraz znaczna część donorów będzie neutralnych (energie liczone od dna pasma przewodnictwa): ED µ ND ND N − 0 D kT kT ND − ND = ND − = ≈ ⋅ e ED µ ED µ 1 − − + 2 kT kT kT kT 1+ ⋅ e 1+ 2 ⋅ e 2 • do policzenia obsadzenia pasma przewodnictwa możemy użyć rozkładu 3 Boltzmanna: * µ Ec µ ⎛ mekT ⎞ 2 − kT kT n = 2 ⎜ ⋅ e = NC T ⋅ e π ⎟ ( ) 2 ⎝ 2 ⎠ 0 co wobec n = N − N daje: µ = n E ⎛ ⎞ D kT ND + ln ⎜ ⎟ 2 2 ⎝ 2NC ( T ) ⎠ N D ( T ) ⋅ N 2 C D ( ) = ⋅ T e D ED 2kT – dla T → 0 µ ≈ E D/2 (E D < 0 !!!) – nachylenie zależności ln(n) vs 1/T daje E D/2 2013-04-23 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 9 7
Page 1 and 2: Fizyka materii skondensowanej i str
Page 3 and 4: Obsadzenie poziomów domieszkowych/
Page 5: Obsadzenie poziomów domieszkowych/
Page 9 and 10: Obsadzenie poziomów domieszkowych/
Page 11 and 12: Własności sprężyste ciał stał
Page 13 and 14: ε ij ε ij Własności sprężyste
Page 21 and 22: Fale sprężyste w ośrodkach ciąg
Page 25 and 26: • Fale rozchodzące się w kierun
Page 29 and 30: Drgania sieci krystalicznej, fonony
Page 39 and 40: 1 THz ≈ 4 meV Drgania sieci kryst
Page 41 and 42: 8 cm -1 ≈ 1 meV Drgania sieci kry
Page 43 and 44: 8 cm -1 ≈ 1 meV Drgania sieci kry

Wykład 9

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?