Wykład 9
Wykład 9
Wykład 9
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Obsadzenie poziomów domieszkowych/defektowych w<br />
stanie równowagi termodynamicznej<br />
• teraz znaczna część donorów będzie neutralnych (energie liczone od dna<br />
pasma przewodnictwa):<br />
ED<br />
µ<br />
ND<br />
ND<br />
N −<br />
0<br />
D kT kT<br />
ND<br />
− ND<br />
= ND<br />
−<br />
=<br />
≈ ⋅ e<br />
ED<br />
µ<br />
ED<br />
µ<br />
1 −<br />
− + 2<br />
kT kT<br />
kT kT<br />
1+<br />
⋅ e 1+<br />
2 ⋅ e<br />
2<br />
• do policzenia obsadzenia pasma przewodnictwa możemy użyć rozkładu<br />
3<br />
Boltzmanna:<br />
*<br />
µ Ec<br />
µ<br />
⎛ mekT<br />
⎞ 2<br />
−<br />
kT<br />
kT<br />
n = 2 ⎜ ⋅ e = NC<br />
T ⋅ e<br />
π ⎟<br />
( )<br />
2<br />
⎝ 2 ⎠<br />
0<br />
co wobec n = N − N daje:<br />
µ =<br />
n<br />
E ⎛ ⎞<br />
D kT ND<br />
+ ln ⎜<br />
⎟<br />
2 2 ⎝ 2NC<br />
( T ) ⎠<br />
N<br />
D<br />
( T ) ⋅ N<br />
2<br />
C D<br />
( ) =<br />
⋅<br />
T<br />
e<br />
D<br />
ED<br />
2kT<br />
– dla T → 0 µ ≈ E D/2 (E D < 0 !!!)<br />
– nachylenie zależności ln(n) vs 1/T daje E D/2<br />
2013-04-23 Fizyka materii skondensowanej i struktur półprzewodnikowych - wykład 9 7
Change language