Metalloxid-Ableiter in Hochspannungsnetzen - siemens
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KONSTRUKTIVER AUFBAU VON MO-ABLEITERN 25<br />
Die Membran wird mit e<strong>in</strong>em am Flansch verschraubten metallischen Druckr<strong>in</strong>g gegen<br />
den Dichtr<strong>in</strong>g gepresst. Dabei ist <strong>in</strong>sbesondere darauf zu achten, dass ausschließlich<br />
elektrochemisch untere<strong>in</strong>ander verträgliche Materialkomb<strong>in</strong>ationen verwendet werden.<br />
Andernfalls wäre Spaltkorrosion unweigerlich die Folge, was über kurz oder lang zu<br />
Undichtigkeit führen würde.<br />
Vorteil des Pr<strong>in</strong>zips der Druckentlastungsmembran 1 ist ihre extrem kurze Öffnungs-<br />
zeit im Falle e<strong>in</strong>er <strong>Ableiter</strong>überlastung. E<strong>in</strong>e <strong>Ableiter</strong>überlastung ist e<strong>in</strong> äußerst seltenes<br />
Ereignis 2 , kann aber grundsätzlich, auch durch noch so reichliche Bemessung des <strong>Ableiter</strong>s,<br />
nicht ausgeschlossen werden. Mögliche Ursachen dafür s<strong>in</strong>d beispielsweise<br />
ableiternahe Blitze<strong>in</strong>schläge oder Spannungsübertritt von e<strong>in</strong>em System höherer auf e<strong>in</strong><br />
System niedrigerer Spannung, etwa auf e<strong>in</strong>er Trasse mit mehreren übere<strong>in</strong>ander geführten<br />
Spannungsebenen durch Leiterseilriss oder Seiltanzen. In e<strong>in</strong>em solchen Fall<br />
kommt es zur Überlastung e<strong>in</strong>es oder mehrerer MO-Widerstände <strong>in</strong> dem betroffenen<br />
<strong>Ableiter</strong>. Es bildet sich e<strong>in</strong> Teillichtbogen aus, der sich <strong>in</strong> Sekundenbruchteilen zu e<strong>in</strong>em<br />
durchgängigen Lichtbogen im Gehäuse-Inneren zwischen den beiden Flanschen<br />
entwickelt. Durch diesen fließt der volle, sich am E<strong>in</strong>bauort des <strong>Ableiter</strong>s e<strong>in</strong>stellende<br />
Kurzschlussstrom des Netzes (Effektivwert bis zu etwa 80 kA, Scheitelwert bis zu etwa<br />
200 kA). In der Folge kommt es zu e<strong>in</strong>em sprunghaften Druckanstieg <strong>in</strong>nerhalb des<br />
Gehäuses. Die Druckentlastungsmembranen reißen dabei <strong>in</strong>nerhalb weniger Millisekunden<br />
auf und sorgen so für e<strong>in</strong>e sichere Druckentlastung, lange bevor der Berstdruck<br />
des Gehäuses erreicht wird. Die heißen, unter starkem Überdruck stehenden Gase<br />
treten mit hoher Geschw<strong>in</strong>digkeit durch die beiden Ausblasöffnungen aus dem Gehäuse-Inneren<br />
aus ("Ausblasen" des <strong>Ableiter</strong>s). Außerhalb des Gehäuses treffen die<br />
beiden Gasstrahlen aufe<strong>in</strong>ander und bewirken so, dass der bis dah<strong>in</strong> im Gehäuse-Inneren<br />
brennende Lichtbogen nach außen kommutiert und außerhalb des Gehäuses weiterbrennt,<br />
bis der Fehler weggeschaltet wird. Bis dah<strong>in</strong> kann es zwar immer noch auf<br />
Grund der extremen thermischen Belastung zu e<strong>in</strong>em Bruch des Porzellans 3 kommen,<br />
wegen des praktisch drucklosen Zerfalls können dadurch jedoch ke<strong>in</strong>e schwerwiegenden<br />
Schäden mehr angerichtet werden.<br />
Erlischt der im Gehäuse-Inneren brennende Lichtbogen <strong>in</strong>folge von Netzvorgängen<br />
bereits vor dem Öffnen der Druckentlastungsmembran oder erfolgt der Druckanstieg<br />
1<br />
Es s<strong>in</strong>d auch andere Arten der Druckentlastung gebräuchlich, zum Beispiel federbelastete Verschlüsse.<br />
2<br />
In <strong>Hochspannungsnetzen</strong> noch wesentlich seltener als <strong>in</strong> Mittelspannungsnetzen.<br />
3<br />
Sogenannter thermischer Sekundärbruch, der nach den IEC-Vorschriften ausdrücklich zugelassen ist.