Metalloxid-Ableiter in Hochspannungsnetzen - siemens
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90 ANHANG: ABLEITERTECHNIK IN STICHWORTEN<br />
Stirnanstiegszeit beträgt nur wenige µs, die gesamte Dauer e<strong>in</strong>ige 10 µs bis 100 µs. In<br />
der Regel besteht e<strong>in</strong> Blitz aus mehreren Entladungen im selben Kanal (Folgeblitze), die<br />
<strong>in</strong> zeitlichen Abständen von etwa 5 ms bis 200 ms auftreten. Die Höhe der durch Blitz-<br />
e<strong>in</strong>schlag verursachten Überspannungen ergibt sich aus dem über die Leitung fließen-<br />
den Blitzstrom und dem Wellenwiderstand der Leitung und kann mehrere Millionen<br />
Volt betragen. Durch das Überschlagen der Leitungsisolatoren wird die Höhe jedoch<br />
faktisch auf den Wert der Isolatorüberschlagsspannung begrenzt. Nur diese Überspan-<br />
nungen laufen noch <strong>in</strong> die Schaltanlagen e<strong>in</strong> und müssen von den dort <strong>in</strong>stallierten<br />
<strong>Ableiter</strong>n weiter begrenzt werden. Blitzüberspannungen gehören meist zur Klasse der<br />
Schnell ansteigenden Überspannungen nach IEC 60071-1 bzw. VDE 0111 Teil 1.<br />
Dauerspannung e<strong>in</strong>es <strong>Ableiter</strong>s: (<strong>Ableiter</strong>-Dauerspannung, Formelzeichen Uc) Die<br />
Dauerspannung ist der höchstzulässige Effektivwert der betriebsfrequenten Wechselspannung,<br />
die dauernd über den <strong>Ableiter</strong>klemmen anliegen darf (IEC 60099-4, 3.9).<br />
Degradation: Elektrische Kennl<strong>in</strong>ienalterung<br />
Direkte Sternpunkterdung: Sternpunktbehandlung e<strong>in</strong>es Netzes, bei der e<strong>in</strong> oder mehrere<br />
Sternpunkte unmittelbar mit Erde verbunden s<strong>in</strong>d (IEC 60071-1, 3.12).<br />
Direktumguss: E<strong>in</strong>e Möglichkeit, die Silikonbeschirmung auf e<strong>in</strong>en <strong>Ableiter</strong> oder auf<br />
das GFK-Rohr e<strong>in</strong>es Verbund-Hohlisolators aufzubr<strong>in</strong>gen (im Gegensatz zur<br />
Aufschiebetechnik). Dabei kommen verschiedene Techniken zum E<strong>in</strong>satz. Am häufigsten<br />
wird der zu umgießende Körper <strong>in</strong> e<strong>in</strong>e dicht schließende, längs geteilte Form<br />
e<strong>in</strong>gelegt und <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em Schuss vollständig umgossen. Dies ist bis zu Längen von über<br />
zwei Metern möglich und üblich. Für längere Körper wird die Beschirmung nache<strong>in</strong>ander<br />
<strong>in</strong> mehreren Schüssen aufgebracht, wobei der jeweilige Verguss an den vorher aufgebrachten<br />
anvulkanisiert wird. Der resultierende Verguss weist zwei Längs-"Nähte"<br />
auf, die sich jedoch bei sorgfältiger Ausführung nicht nachteilig auf das Betriebsverhalten<br />
auswirken. Bei e<strong>in</strong>em anderen Verfahren wird der Verguss schrittweise Schirm<br />
für Schirm mit Hilfe e<strong>in</strong>er e<strong>in</strong>teiligen, den Körper r<strong>in</strong>gförmig umschließenden Form<br />
aufgebracht, die an dem Körper entlanggeführt wird. Es ist auch e<strong>in</strong> Verfahren bekannt,<br />
bei dem die Silikonmasse spiralförmig mit Hilfe e<strong>in</strong>er an dem rotierenden Körper entlangfahrenden<br />
Form aufgebracht wird. Es ergeben sich dabei ke<strong>in</strong>e e<strong>in</strong>zelnen, vone<strong>in</strong>ander<br />
getrennten Schirme, sondern e<strong>in</strong>e Endlos-Spirale.<br />
Druckentlastungsklasse: Nach früheren Ausgaben der Vorschrift IEC 60099-4 (für<br />
MO-<strong>Ableiter</strong> ohne Funkenstrecken) und IEC 60099-1 (für SiC-<strong>Ableiter</strong> mit Funkenstrecken)<br />
der Effektivwert des symmetrischen höchsten Kurzschlussstromes (angegeben