Memory-Meister - elektronikJOURNAL
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Bilder: Renesas Electronics<br />
Mikrochips<br />
Halbleiterspeicher<br />
Schnell-Merker<br />
Renesas bringt High-Speed-Speicher auf den Markt<br />
Renesas Electronics meldet, dass 1,1-Gigabit-Speicherbausteine<br />
für Netzwerktechnik<br />
wie Switches und Router nun verfügbar<br />
sind. Die neuen Netzwerk-Speicherbausteine<br />
zeichnen sich durch geringen Stromverbrauch,<br />
große Kapazität und hohe<br />
Bandbreite in einem einzigen Chip aus.<br />
Gegenüber den bestehenden 288-Megabit-<br />
DRAM-Bausteinen mit geringer Latenzzeit<br />
bieten sie die vierfache Kapazität, schnellere<br />
Random-Cycle-Leistung für Hochgeschwindigkeits-Lese-<br />
und Schreibzugriff e<br />
Im nur 14 mal 18,5 Millimeter großen Gehäuse<br />
bringt Renesas einen 1,1-Gigabit-Speicherchip.<br />
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sowie die doppelte Taktfrequenz. Trotz dieser<br />
Leistungsverbesserungen bleibt der<br />
Stromverbrauch auf dem gleichen Niveau<br />
wie beim Vorgänger: zwei Watt genügen.<br />
Renesas Electronics fertigt die neuen<br />
Netzwerk-Speicherbausteine in 40-Nanometer-eDRAM-Technologie<br />
und verwendet<br />
fi rmeneigene Schaltungstechnologien.<br />
Neben der hohen Speicherkapazität zeichnen<br />
sich die neuen Chips durch eine um 30<br />
Prozent verbesserte Random-Cycle-Leistung<br />
von 13,3 Nanosekunden für äußerst<br />
schnelle Daten-Lese- und -Schreibzugriff e<br />
sowie eine verdoppelte maximale Taktfrequenz<br />
von 800 Megahertz aus. Um die<br />
DDR-Schnittstelle für den 36-Bit-Daten-<br />
Bus stabil betreiben zu können, senkte Renesas<br />
die Spannung an I/O-Schaltungen<br />
auf 1,0 Volt und führte eine High-Side-<br />
Terminierung ein, die sich bereits bei Grafi<br />
k-Speicherbausteinen bewährt hat. Zudem<br />
sind eine Data-Inversion-Funktion<br />
zur Verminderung der Störungen am Daten-Ausgang<br />
sowie eine Deskew-Funktion<br />
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für jedes Bit integriert.<br />
Letzteres können<br />
die Hersteller<br />
von Endprodukten<br />
nutzen, um für jeden<br />
einzelnen Signalpin<br />
das individuelle<br />
zeitliche<br />
Verhalten der Ein-<br />
Junshi Yamaguchi ist<br />
Representative Director<br />
und Chairman, Renesas<br />
Electronics, Düsseldorf.<br />
und Ausggangssignale anzupassen. Dank<br />
einer Mirroring-Funktion lassen sich Verdrahtungslängen<br />
bei Clamshell-Montage<br />
steuern. Wegen der höheren Taktfrequenz<br />
hat Renesas auch die Anzahl der Stromversorgungs-Pins<br />
im Gehäuse auf 38 erhöht.<br />
Das Gehäuse ist nur 14 mal 18,5 Millimeter<br />
groß. Die neuen Produkte kommen in einem<br />
Gehäuse, das sich in der Branche bereits<br />
als zuverlässig bewährt hat. (lei) ■<br />
infoDIREKT<br />
www.elektronikjournal.com 518ejl1110<br />
Vorteil Schneller Speicher, optimiert für<br />
Networking-Aufgaben.<br />
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22 <strong>elektronikJOURNAL</strong> 11 / 2010<br />
www.elektronikjournal.com
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