7. Bipolare Transistoren - FB E+I: Home

Steuerung des Transistors
Nach Einstellung des Arbeitspunktes kann der Transistor gesteuert werden. Die Gleichspannungsund
Gleichstromwerte des Arbeitspunktes werden gekennzeichnet. Für das Beispiel gilt:
- UCE = 6 V, IC = 10 mA, UBE = 0,68 V, IB = 100 µA.
Die Basis erhält nun beispielhaft zum Gleichstrom IB einen sinusförmigen Wechselstrom mit
einem Scheitelwert von îB = 50 µA. Im Kennlinienfeld wird die Widerstandsgerade für RC mit Ub
(UCE-Achse) und Ub/RC (IC-Achse) festgelegt. Der Gesamtbasisstrom schwankt zwischen einem
Kleinstwert von 50 µA und einem Größtwert von 150 µA.
Die Änderung des Basisstromes hat eine Änderung des Kollektorstromes zur Folge. Der Gesamtkollektorstrom
schwankt jetzt zwischen einem Kleinstwert von 5 mA und einem Größtwert von
15 mA. Der Wechselstrom ist nahezu sinusförmig; er hat einen Scheitelwert von îC = 5 mA.
Der Kollektorstrom erzeugt am Lastwiderstand RC einen entsprechenden Spannungsfall. Die
Gesamtkollektorspannung des Transistors schwankt zwischen 9 V und 3 V. Die Kollektor-
Wechselspannung hat einen Scheitelwert von ûCE = 3 V.
Zum Basisstrom gehört immer eine Basisspannung. Diese kann aus dem UBE-IB-Kennlinienfeld
entnommen werden (ûBE = 0,1 V, nicht sinusförmig).
Eingangsgrößen u1(t), i1(t) Ausgangsgrößen u2(t), i2(t)
Steuerung des Transistors im Vierquadrantenkennlinienfeld
Für die Emitterschaltung können die Spannungsverstärkung Vu, die Stromverstärkung Vi und die
Leistungsverstärkung Vp angegeben werden.
Vu =
û CE
û
Vi
=
îC
î
Vp
= Vu
⋅ Vi
(7.12)
BE
i 1(t)
200 100
IB/µA A
I C/mA
A
U b/R C
15
10
5
B
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
i 2(t)
2
u 1(t)
U BE/V
4 6 8 10
UCE/V G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 82
u 2(t)
A
I B = 150 µA
I B = 100 µA
I B = 50 µA
U b