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Auszüge aus den Datenblättern des epitaxischen NPN-Silizium-Planar-Transistors BC 107 Der Kollektor ist elektrisch mit dem Metallgehäuse verbunden. Der Transistor eignet sich besonders für NF-Vor- und Treiberstufen. Absolute Grenzdaten (Absolute maximum ratings): - Kollektor-Emitter-Spannung (Collector-emitter voltage) UCES = 50 V - Kollektor-Emitter-Spannung (Collector-emitter voltage) UCEO = 45 V - Emitter-Basis-Spannung (Emitter-base voltage) UEBO = 6 V - Kollektorstrom (Collector current) ICmax = 100 mA - Kollektor-Spitzenstrom (Collector peak current) ICM = 200 mA - Basisstrom (Base current) IBmax = 50 mA - Gesamtverlustleistung (Total power dissipation) Ptot = 300 mW - Sperrschichttemperatur (Junction temperature) ϑj = 175°C - Lagerungstemperaturbereich (Storage temperature range) ϑstg = -55 ... +175°C Wärmewiderstand (Thermal resistance): - Kollektorsperrschicht - Umgebung (Collector-junction - ambient) RthJA ≤ 500 K/W - Kollektorsperrschicht - Gehäuse (Collector-junction - case) RthJC ≤ 200 K/W Statische Kenndaten (Static characteristics, ϑA = 25°C): - Kollektor-Emitter-Reststrom (Collector-emitter cut-off current, UCES = 50 V) ICES = 0,2 nA - Kollektor-Emitter-Reststrom (Collector-emitter cut-off current, ϑA = 125°C) ICES = 0,2 µA - Emitter-Basis-Durchbruchspannung (Emitter-base breakdown voltage) bei IEBO = 1 µA UR(BR)EBO > 6 V - Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (Collector-emitter breakdown voltage) bei IECO = 2 mA UR(BR)EBO > 45 V - Statische Stromverstärkung B (DC current gain) gruppiert und mit A, B, C gekennzeichnet (ϑA = 125°C) IC = 0,1 mA Gruppe A: B = 90 B: B =150 C: B = 270 IC = 2 mA Gruppe A: B = 170 B: B =290 C: B = 500 IC = 100 mA Gruppe A: B = 120 B: B =200 C: B = 400 Dynamische Kenndaten (Dynamic characteristics, ϑA = 25°C): - Transitfrequenz (Transition frequency) bei IC = 0,5 mA, UCE = 3 V fT = 85 MHz bei IC = 10 mA, UCE = 5 V fT = 250 MHz - Kollektor-Basis-Kapazität (Collector-base capacity, UCBO = 10 V, f = 1 MHz) CCBO = 3,5 pF - Emitter-Basis-Kapazität (Emitter-base capacity, UEBO = 0,5 V, f = 1 MHz) CEBO = 8 pF - Rauschzahl F (noise-figure NF) F = 2 dB bei IC = 0,2 mA, UCE = 5 V, RG = 2 kΩ, f = 1 kHz, ∆f = 200 Hz - h-Parameter (IC = 0,2 mA, UCE = 5 V, f = 1 kHz, Stromverstärkungsgruppe B) h11e = 2,7 kΩ, h12e = 1,5 · 10 -4 , h21e = 220, h22e = 18 µS. Das Eingangskennlinienfeld IB = f{UBE}und die Ausgangskennlinien IC = f{UCE} mit IB als Parameter sind im Folgenden im linearen Maßstab dargestellt. Weitere Datenblätter der Transistoren BC 107, BC 108, BC 109 können, wie die Hilfsblätter zur Vorlesung, unter Datenblätter der PDF-Datei „BC107-109.pdf“ eingesehen werden. G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 87
I B/µA 1000 800 600 400 200 I B·0,1 I B·0,01 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 UBE/V Eingangskennlinienfeld IB = f{UBE} des NPN-Silizium-Planar-Transistors BC 107 bei Raumtemperatur (Emitterschaltung) I C/µA 1000 800 600 400 200 0 0 1 4,0 I B = 0,5 µA 2 3 4 5 UCE/V Ausgangskennlinien IC = f{UCE} des NPN-Silizium-Planar-Transistors BC 107 mit IB als Parameter (Emitterschaltung) G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 88 3,5 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0
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Seite 5 und 6: Der Overlay-Transistor ist wie der
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Seite 9 und 10: In einem bestimmten Arbeitspunkt A
Seite 11 und 12: Steuerung des Transistors Nach Eins
Seite 13 und 14: Sperrbereich: IB ≤ 0; aktiver Ber
Seite 15: Die Rauschzahl F = PRT2/PR2 gibt da

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