7. Bipolare Transistoren - FB E+I: Home

Weitere Magazine

Empfehlungen

Info

metallischen Montagefläche des Transistors verbunden. Die Gehäuse TO-18, TO-39 und TO-126 können mit Kühlkörper betrieben werden. BC 547 (TO-92), BC 107 (TO-18), BC141 (TO-39), BD 141 (TO-126) und 2N 3055 (TO-3) Für HF-Transistoren sind induktivitäts- und kapazitätsarme Anschlüsse wichtig. Die Gehäuse sind den in der HF-Technik üblichen Aufbautechniken angepasst (z.B. Gehäuse mit Streifenleitungsanschlüssen). Transistoren für Oberflächenmontage erfordern sehr kleine Abmessungen. Gehäuse aus Epoxydharz sind preiswert; Metall-Keramik-Gehäuse sind hermetisch dicht, allerdings wesentlich teurer. C B E Länge 3,0 mm Breite 2,6 mm Tiefe 1,1 mm 0,9 1,1 0,9 7.3 SMD-Transistorgehäuse SOT-23 mit Abmessungen und Lötflächen Auslegung Kennlinienfelder und Kennwerte Die drei Grundschaltungen, in denen sich ein Transistor betreiben lässt, sind die Basisschaltung (Basis an Masse), die Emitterschaltung (Emitter an Masse) und die Kollektorschaltung (Kollektor an Masse). Die häufigste Schaltung ist die Emitterschaltung, mit der sich gleichzeitig eine Stromund Spannungsverstärkung erzielen lässt. Der Emitter liegt am gemeinsamen Pol des Eingangsund Ausgangskreises. Die Basis dient dabei als Eingangs-, der Kollektor als Ausgangselektrode. Da Transistorschaltungen üblicherweise mit der Vierpoltheorie berechnet werden, benötigt man für diese Berechnungen die sogenannten Vierpolparameter, die das Signalverhalten eines Transistors kennzeichnen. Die folgenden Kennwerte und Kennlinien beziehen sich grundsätzlich auf die Emitterschaltung. Eingangskennlinie Die Eingangskennlinie zeigt den Zusammenhang zwischen der Basis- Emitter-Spannung UBE und dem Basisstrom IB. Die Emitter-Basis- Strecke ist praktisch vergleichbar mit einer in Durchlassrichtung betriebenen Diode. Zum Abführen der injizierten Ladungsträger wird der IB A V UBE V UCE Ri Kollektor mit einer konstanten Spannung UCE ≥ 1 V vorgespannt. stellbare Gleichspannungsquelle Ri ~ 0 Schaltung zur Aufnahme der Eingangskennlinie G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 77 0,8 0,8 1,2
0,4 0,3 I B/mA 0,2 0,1 Der Anstieg der IB-UBE- Kennlinie in einem bestimmten Kennlinienpunkt A ergibt den differentiellen Eingangswiderstand rBE in diesem Kennlinienpunkt. Eingangskennlinien von Transistoren Aus der Basis-Emitter-Spannungsänderung ∆UBE und der Basisstromänderung ∆IB lässt sich der differentielle Eingangswiderstand rBE berechnen, der dem Vierpolparameter h11e entspricht. ∆U BE h11e = rBE = (für UCE ∆I Ausgangskennlinie Die Ausgangskennlinie zeigt den Zusammenhang zwischen Kollektorstrom IC und Kollektorspannung UCE. Der Basisstrom IB ist hierbei der Parameter. Schaltung zur Aufnahme der Ausgangskennlinie B konstant) Der Anstieg der IC-UCE-Kennlinie in einem bestimmten Arbeitspunkt A ergibt den differentiellen Ausgangswiderstand rCE in diesem Arbeitspunkt. Aus der Kollektor-Emitter-Spannungsänderung ∆UCE und der Kollektorstromänderung ∆IC lässt sich der differentielle Ausgangswiderstand rCE berechnen, dessen Kehrwert dem Vierpolpa- rameter h22e (differentieller Ausgangsleitwert) entspricht. h 22e = 1 r = ∆IC ∆U (für IB = konstant) CE U CE = 1 V CE A U BE Germanium- Transistor ∆IB 0 0 0,2 ∆ 0,4 0,6 UBE/V 0,8 1,0 = R i stellbare Gleichstromquelle R i >> r be Silizium- Transistor Folgende Kennwerte lassen sich den Ausgangskennlinien entnehmen: - Der differentielle Ausgangswiderstand rCE oder der Ausgangsleitwert h22e in einem bestimmten Kennlinienpunkt. - Die Sättigungs- oder Restspannung UCEsat. Diese Restspannung zwischen Emitter und Kollektor hat einen Einfluss bei der Verstärkung großer Signale und im Anwendungsfall als Schaltverstärker. G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 78 I B A U BE V U CE A I C (7.3) R i stellbare Gleichspannungsquelle R ~ i ~ 0 (7.4)
Seite 1 und 2: 7. Bipolare Transistoren 7.1 Arbeit
Seite 3 und 4: I E -U BE -U CE E C PNP-Transistor
Seite 5: Der Overlay-Transistor ist wie der
Seite 9 und 10: In einem bestimmten Arbeitspunkt A
Seite 11 und 12: Steuerung des Transistors Nach Eins
Seite 13 und 14: Sperrbereich: IB ≤ 0; aktiver Ber
Seite 15 und 16: Die Rauschzahl F = PRT2/PR2 gibt da
Seite 17: I B/µA 1000 800 600 400 200 I B·0

7. Bipolare Transistoren - FB E+I: Home

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Template löschen?

Als Template speichern?