7. Bipolare Transistoren - FB E+I: Home

Der in den Emitter hineinfließende Elektronenstrom wird als Emitterstrom -IE bezeichnet. Der
Elektronenstrom, der aus dem Kollektor herausfließt, heißt Kollektorstrom -IC. Aus der Basis
heraus und unmittelbar zum Emitter zurück fließt der Basisstrom -IB als Elektronenstrom.
NPN-Transistor mit
genormten Schaltzeichen
Die an Emitter und Basis in Durchlassrichtung liegende Spannung wird als Emitter-Basis-
Spannung UBE bezeichnet. Die über den Kollektor gelegte Spannung in Sperrrichtung heißt
Kollektor-Basis-Spannung UCB. Die Spannung UCE ist vom Kollektor auf den Emitter bezogen.
Es gilt:
U = U + U
(7.1)
CE
CB
BE
Der Emitterstrom IE setzt sich zusammen aus dem Kollektorstrom IC und dem Basisstrom IB.
I = I + I
(7.2)
E
C
I E
B
U BE
U CE
E C
B
I B
U CB
Verstärkereigenschaften des Transistors
Die Ladungsträgerinjektion vom Emitter in den Basisraum erfordert nur einen kleinen
Spannungsbetrag UBE. Der größte Anteil des injizierten Stromes IE wird von der Kollektorelektrode
aufgenommen. Der jetzt genannte Strom IC lässt sich vom wesentlich kleineren Basisstrom
IB steuern. Mit dem Transistor ist demnach eine Stromverstärkung erreichbar.
Der Strom IC lässt sich gegen die relativ hohe Spannung UCB durch den Lastwiderstand treiben.
Da zur Steuerung die kleine Spannung UBE dient, ist eine gewisse Spannungsverstärkung mit dem
Transistor möglich.
Kleine Basisstromänderungen gehören zu großen Kollektorstromänderungen.
Kleine Basisspannungsänderungen führen zu großen Kollektorspannungsänderungen (bez. auf
den Emitter).
PNP-Transistor
Wird ein Kristall in der Folge PNP dotiert, ist die Emitterzone P-leitend, die Basis N-leitend und
die Kollektorzone P-leitend.
Um den Emitter-PN-Übergang zu öffnen, muss eine positive Spannung -UBE an den Emitteranschluss
gelegt werden. Der Emitter injiziert daraufhin positive Ladungsträger (Löcher bzw.
Defektelektronen) in die Basiszone, die bei anliegender Spannung -UCB durch die hohe Feldstärke
in der Basis-Kollektor-Sperrschicht in die Kollektorzone gelangen.
Spannungen und Ströme beim PNP-Transistor haben gegenüber dem NPN-Transistor umgekehrte
Vorzeichen und Richtungspfeile.
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 73
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