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7. Bipolare Transistoren - FB E+I: Home

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metallischen Montagefläche des Transistors verbunden. Die Gehäuse TO-18, TO-39 und TO-126<br />

können mit Kühlkörper betrieben werden.<br />

BC 547 (TO-92), BC 107 (TO-18), BC141 (TO-39), BD 141 (TO-126) und 2N 3055 (TO-3)<br />

Für HF-<strong>Transistoren</strong> sind induktivitäts- und kapazitätsarme Anschlüsse wichtig. Die Gehäuse sind<br />

den in der HF-Technik üblichen Aufbautechniken angepasst (z.B. Gehäuse mit Streifenleitungsanschlüssen).<br />

<strong>Transistoren</strong> für Oberflächenmontage erfordern sehr kleine Abmessungen. Gehäuse aus Epoxydharz<br />

sind preiswert; Metall-Keramik-Gehäuse sind hermetisch dicht, allerdings wesentlich teurer.<br />

C<br />

B<br />

E<br />

Länge 3,0 mm<br />

Breite 2,6 mm<br />

Tiefe 1,1 mm<br />

0,9 1,1 0,9<br />

<strong>7.</strong>3<br />

SMD-Transistorgehäuse SOT-23 mit Abmessungen und Lötflächen Auslegung<br />

Kennlinienfelder und Kennwerte<br />

Die drei Grundschaltungen, in denen sich ein Transistor betreiben lässt, sind die Basisschaltung<br />

(Basis an Masse), die Emitterschaltung (Emitter an Masse) und die Kollektorschaltung (Kollektor<br />

an Masse). Die häufigste Schaltung ist die Emitterschaltung, mit der sich gleichzeitig eine Stromund<br />

Spannungsverstärkung erzielen lässt. Der Emitter liegt am gemeinsamen Pol des Eingangsund<br />

Ausgangskreises. Die Basis dient dabei als Eingangs-, der Kollektor als Ausgangselektrode.<br />

Da Transistorschaltungen üblicherweise mit der Vierpoltheorie berechnet werden, benötigt man<br />

für diese Berechnungen die sogenannten Vierpolparameter, die das Signalverhalten eines Transistors<br />

kennzeichnen. Die folgenden Kennwerte und Kennlinien beziehen sich grundsätzlich auf die<br />

Emitterschaltung.<br />

Eingangskennlinie<br />

Die Eingangskennlinie zeigt den<br />

Zusammenhang zwischen der Basis-<br />

Emitter-Spannung UBE und dem<br />

Basisstrom IB. Die Emitter-Basis-<br />

Strecke ist praktisch vergleichbar mit<br />

einer in Durchlassrichtung betriebenen<br />

Diode. Zum Abführen der<br />

injizierten Ladungsträger wird der<br />

IB A<br />

V<br />

UBE<br />

V<br />

UCE Ri Kollektor mit einer konstanten<br />

Spannung UCE ≥ 1 V vorgespannt.<br />

stellbare Gleichspannungsquelle<br />

Ri ~<br />

0<br />

Schaltung zur Aufnahme der Eingangskennlinie<br />

G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik <strong>FB</strong> Technik, Abt. <strong>E+I</strong> 77<br />

0,8<br />

0,8<br />

1,2

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