7. Bipolare Transistoren - FB E+I: Home
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metallischen Montagefläche des Transistors verbunden. Die Gehäuse TO-18, TO-39 und TO-126<br />
können mit Kühlkörper betrieben werden.<br />
BC 547 (TO-92), BC 107 (TO-18), BC141 (TO-39), BD 141 (TO-126) und 2N 3055 (TO-3)<br />
Für HF-<strong>Transistoren</strong> sind induktivitäts- und kapazitätsarme Anschlüsse wichtig. Die Gehäuse sind<br />
den in der HF-Technik üblichen Aufbautechniken angepasst (z.B. Gehäuse mit Streifenleitungsanschlüssen).<br />
<strong>Transistoren</strong> für Oberflächenmontage erfordern sehr kleine Abmessungen. Gehäuse aus Epoxydharz<br />
sind preiswert; Metall-Keramik-Gehäuse sind hermetisch dicht, allerdings wesentlich teurer.<br />
C<br />
B<br />
E<br />
Länge 3,0 mm<br />
Breite 2,6 mm<br />
Tiefe 1,1 mm<br />
0,9 1,1 0,9<br />
<strong>7.</strong>3<br />
SMD-Transistorgehäuse SOT-23 mit Abmessungen und Lötflächen Auslegung<br />
Kennlinienfelder und Kennwerte<br />
Die drei Grundschaltungen, in denen sich ein Transistor betreiben lässt, sind die Basisschaltung<br />
(Basis an Masse), die Emitterschaltung (Emitter an Masse) und die Kollektorschaltung (Kollektor<br />
an Masse). Die häufigste Schaltung ist die Emitterschaltung, mit der sich gleichzeitig eine Stromund<br />
Spannungsverstärkung erzielen lässt. Der Emitter liegt am gemeinsamen Pol des Eingangsund<br />
Ausgangskreises. Die Basis dient dabei als Eingangs-, der Kollektor als Ausgangselektrode.<br />
Da Transistorschaltungen üblicherweise mit der Vierpoltheorie berechnet werden, benötigt man<br />
für diese Berechnungen die sogenannten Vierpolparameter, die das Signalverhalten eines Transistors<br />
kennzeichnen. Die folgenden Kennwerte und Kennlinien beziehen sich grundsätzlich auf die<br />
Emitterschaltung.<br />
Eingangskennlinie<br />
Die Eingangskennlinie zeigt den<br />
Zusammenhang zwischen der Basis-<br />
Emitter-Spannung UBE und dem<br />
Basisstrom IB. Die Emitter-Basis-<br />
Strecke ist praktisch vergleichbar mit<br />
einer in Durchlassrichtung betriebenen<br />
Diode. Zum Abführen der<br />
injizierten Ladungsträger wird der<br />
IB A<br />
V<br />
UBE<br />
V<br />
UCE Ri Kollektor mit einer konstanten<br />
Spannung UCE ≥ 1 V vorgespannt.<br />
stellbare Gleichspannungsquelle<br />
Ri ~<br />
0<br />
Schaltung zur Aufnahme der Eingangskennlinie<br />
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik <strong>FB</strong> Technik, Abt. <strong>E+I</strong> 77<br />
0,8<br />
0,8<br />
1,2