7. Bipolare Transistoren - FB E+I: Home

In einem bestimmten Arbeitspunkt A lässt sich aus der Kollektorstromänderung ∆IC und der
Basisstromänderung ∆IB der differentielle Stromverstärkungsfaktor β berechnen, der dem Vierpolparameter
h21e entspricht.
∆IC
h 21e
= β = (für UCE
= konstant)
(7.6)
∆I
B
Rückwirkungskennlinienfeld
Eine Vergrößerung der Kollektor-Emitter-Spannung UCE führt zur Vergrößerung der Spannungen
UCB und UBE.
Die Rückwirkung vom Ausgang auf den Eingang ist sehr unerwünscht und sollte deshalb sehr
gering sein. Das Maß für die Rückwirkung ist der differentielle Rückwirkungsfaktor D.
Aus der Basis-Emitter-Spannungsänderung ∆UBE und der Kollektor-Emitter-Spannungsänderung
∆UCE lässt sich der differentielle Rückwirkungsfaktor D berechnen, der dem Vierpolparameter
h12e entspricht.
h12e = D =
∆U
BE
∆UCE
(für IB
20
∆IC
200 100
I B/µA
h 11
h 21
UCE = 6 V ∆IB
IC = f{IB} UCE Parameter
U ∆I
CE = 6 V B
UBE = f{IB} UCE Parameter
15
IC/mA 10
5
∆UBE
=
konstant)
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
2
U BE/V
4 6 8
UCE/V 10
Vierquadrantenkennlinienfeld zur Bestimmung
der Vierpolparameter h11e, h12e, h21e und h22e
I B = 100 µA
Transistorarbeitspunkt
Ein Transistor benötigt zum Betrieb bestimmte Spannungswerte für UCE und UBE und bestimmte
Stromwerte für IC und IB. Diese Werte können unter Berücksichtigung ihrer gegenseitigen
Abhängigkeit in einem gewissen Bereich frei gewählt werden.
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 80
200
∆UBE
I C = f{U CE}
I B Parameter
∆UCE
h 22
h 12
∆UCE
UBE = f{UCE} IB Parameter
I B = 150 µA
I B = 100 µA
∆IC
I B = 50 µA
(7.7)