7. Bipolare Transistoren - FB E+I: Home
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Der Overlay-Transistor ist wie der doppelt diffundierte Epitaxialtyp aufgebaut, jedoch mit einer<br />
großen Zahl parallel geschalteter Emitter. Die Umschaltzeiten werden weiter verkürzt. Die<br />
Grenzfrequenz liegt bei rd. 1 GHz (Transistor für sehr schnelle Schaltfunktionen).<br />
MIS-<strong>Transistoren</strong> (metal-insulator-silicon-junction-type) werden nach dem Epitaxial-Planarverfahren<br />
hergestellt und zum Schutz gegen eindringende Fremdionen zusätzlich mit Silicon-<br />
Nitrid geschützt. Diese <strong>Transistoren</strong> haben eine sehr große Langzeitkonstanz.<br />
In integrierten Schaltungen müssen die einzelnen <strong>Transistoren</strong> untereinander und gegen die<br />
anderen Bauelemente isoliert werden.<br />
Integrierter<br />
Transistor mit<br />
vergrabener<br />
Schicht zur<br />
Verminderung des<br />
Kollektorbahnwiderstandes<br />
Bauformen<br />
Es gibt eine Vielzahl genormter Transistorgehäuse. Bei Leistungstransistoren erfolgt die Wärmeübergabe<br />
über den Gehäuseboden, der gleichzeitig der Kollektoranschluss ist oder mit dem<br />
Kollektor leitend verbunden ist.<br />
0,4 · 0,4<br />
2,5<br />
4,2<br />
E B C<br />
14,1 5,2<br />
5,2<br />
TO-92 m = 0,25 g Maße in mm<br />
0,5<br />
13,5 6,6<br />
Emitter Basis Kollektor<br />
n + n<br />
-Kollektorkontaktzone<br />
+ p<br />
n-Epi<br />
n<br />
Isolationszone<br />
+ p<br />
-vergrabene Schicht<br />
+ p +<br />
8,4<br />
p-Substrat<br />
TO-39 m = 1,5 g Maße in mm<br />
2,5<br />
C E B<br />
9,2<br />
5,0<br />
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik <strong>FB</strong> Technik, Abt. <strong>E+I</strong> 76<br />
0,45<br />
4,75<br />
E B C<br />
13,5 5,2<br />
2,54<br />
TO-18 m = 0,3 g Maße in mm<br />
E<br />
C<br />
B<br />
0,8 · 0,5<br />
16,2<br />
1,25<br />
3,0<br />
10,7<br />
3,7<br />
TO-126 m = 0,5 g Maße in mm<br />
Standard- und Kleinleistungsgehäuse für <strong>Transistoren</strong><br />
Das Kunststoffgehäuse TO-92 (oben links, z.B. BC 547) und das Metallgehäuse TO-18 (oben<br />
rechts, z.B. BC 107, Kollektor mit dem Gehäuse verbunden) finden Anwendung für <strong>Transistoren</strong><br />
zur Verwendung in NF-Vor- und Treiberstufen. Das Metallgehäuse TO-39 (unten links, z.B.<br />
BC 141, Kollektor mit dem Gehäuse verbunden).findet Anwendung für <strong>Transistoren</strong> für NF-<br />
Schalter-Anwendungen bis 1 A Das Kunststoffgehäuse TO-126 (unten rechts, z.B. BD 140)<br />
findet Anwendung für NF-Treiber- und Endstufen mittlerer Leistung. Der Kollektor ist mit der<br />
5,5<br />
7,6
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