Bacheloroppgave - Elektra - Linjeforeningen for elektro ved HiST

Ciss = CGS + CGD, CDS shortedCrss = CGDCoss = CDS + CGDGate-to-drainnonlinearcapacitance, CGD, is aimportant function of voltage and is the mostfeedback parameter because it provides ainput of theloopcircuit.between the output and theCGDMilleris also called thedynamic capacitance because it causes the totalthan the sum input of capacitance the static capacitances. to become greaterFigure circuit. 12 shows a typical switching time testthe rise and Also fall shown times are the components of(a) with Bryter reference på to theVGS and VDS waveforms.Turn-oncharge thedelay,inputtd(on),capacitanceis the timeoftakenthe devicetobeforeSimilarly,drainturn-offcurrentdelay,conductiontd(off), iscanthestart.taken to discharge the capacitance aftertimethe after is switched off.4.4. ELECTRONIC SPEED CONTROL (ESC) KAPITTEL 4. TEORI4.4.2 MOSFETFigur 4.3: Strømforyttning(b) Bryter avDL DC GDD'G R GC I Body-drainDC Diode DSS'C GSL SS(a) Symbol (N-kanal)(b) EkvivalentFigur 4.4: Metall-oksid felteekttransistor (MOSFET)En DC-motor krever generelt mye strøm. For at vi skal kunne switche strømmen raskt og eektivt brukervi en N-kanal MOSFET som bryter. Det er en rekke parametre som gjør MOSFET-en attraktiv. Denkan med et lite inngangssignal på gate åpne for en stor strømgjennomgang mellom drain og source 3 .I tillegg har den meget lav indremotstand, R DS , i milliohm-området. Indremotstanden er kritisk forvarmeutviklingen ved stor strøm. I en portabel ESC ønsker vi ikke unødvendig vekt som følge avkjøleribber. Transfer-karakteristikken til en MOSFET sier hvor mye strøm som kan trekkes igjennomdrain-source-kanalen. Dette er avhengig av gate-source-spenningen, V GS . Det er viktig at PWM-signaleter kraftig nok til å drive transistoren i metning. En N-kanal MOSFET drives mot metning med positivgate-spenning.Zenerdioden i gur 4.4a, representerer at MOSFET-en kun stopper strøm i en retning, og at denbryter sammen ved høyt nok potensiale mellom drain og source, V DSS . I en ESC må break-downspenningentil MOSFET-en være høyere enn batterispenningen siden hele potensialet ligger over brytereni av-tilstand.Switche-hastigheten i en MOSFET ligger langt høyere enn hva som er aktuellt for en ESC. Forå begrense switchehastigheten som produserer høyfrekvent støy og ringing, kan en gate-resistor øke3 MOSFET-er som kan lede ere titalls amperè kalles Power-MOSFETs10