2.4 Festkörperdetektoren
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<strong>2.4</strong> <strong>Festkörperdetektoren</strong> 173<br />
(s. Abschnitt <strong>2.4</strong>.4). Wegen der schwer zu quantifizierenden Festkörpereigenschaften und der in der<br />
Regel im Einzelfall nicht exakt bekannten Größe des intrinsischen Meßvolumens können Halblei-<br />
terdetektoren nicht als Absolutdosimeter verwenden werden. Für Dosis- und Dosisleistungsmes-<br />
sungen werden deshalb Halbleiterdetektoren nur in speziellen Einzelfällen eingesetzt. Andererseits<br />
sind sie wegen ihrer herausragenden Energieauflösung, der hohen Ionisationsdichte und dadurch<br />
erreichten guten Ortsauflösung in der Photonen- und Teilchenspektrometrie allen anderen Detektor-<br />
typen weit überlegen.<br />
<strong>2.4</strong>.3 Leitfähigkeitsdetektoren<br />
Bei der Bestrahlung isolierender Festkörper mit ionisierenden Strahlungen entstehen durch Ionisa-<br />
tion freie Elektronen im Leitungsband. Der Festkörper wird dadurch leitend. Die Theorie zeigt, daß<br />
die Leitfähigkeit reiner Isolatoren und damit die erreichbaren Ionisationsströme etwa mit der Wur-<br />
zel aus der Strahlungsintensität zunehmen (J. F. Fowler in [Attix/Roesch/Tochilin]). Hochreine Iso-<br />
latorkristalle könnten deshalb tatsächlich als - allerdings nichtlineare - Festkörperionisationskam-<br />
mern verwendet werden. Die Leitfähigkeit von Isolatoren bleibt jedoch nur solange erhalten, wie<br />
frei bewegliche Ladungsträger im Kristall zur Verfügung stehen. Um eine ausreichende Ladungs-<br />
ausbeute, d. h. meßtechnisch verwertbare Ionisationsströme, zu erzeugen, muß die Lebensdauer der<br />
Leitungsband-Elektronen deutlich größer sein als deren Transferzeit durch den Kristall. In realen<br />
Isolatoren befinden sich zwischen den Elektronenbändern zahlreiche Traps, die freie Leitungsband-<br />
elektronen einfangen können. Diese Rekombinationsprozesse konkurrieren mit dem Abtransport<br />
der Elektronen durch eine externe Spannungsquelle. Je höher die möglichen Rekombinationsraten<br />
sind, um so kleiner wird auch die Lebensdauer der freien Elektronen und umso geringer wird des-<br />
halb die externe Ionisationstromausbeute bei der Strahlungsexposition von Isolatoren.<br />
Die Traps in realen Kristallen sind ortsfest im Kristall fixiert; energetisch befinden sie sich zwi-<br />
schen Valenz- und Leitungsband. Bei einem nichtbestrahlten Kristall sind die Traps leer, sie enthal-<br />
ten also keine Elektronen. Wird ein solcher "leerer" Kristall mit ionisierender Strahlung bestrahlt,<br />
so füllen die meisten Leitungsband-Elektronen zunächst bevorzugt die Traps auf. Die Elektronen<br />
stehen nicht für einen externen Ladungsnachweis zur Verfügung. Nach einer ausreichenden Vorbe-<br />
strahlungszeit sind nahezu alle Traps mit Elektronen besetzt ("gefüllt"). Weitere durch Bestrahlung<br />
erzeugte Elektronen haben dann kaum eine Rekombinationsmöglichkeit und verbleiben daher län-<br />
ger im Leitungsband. Sie haben deshalb eine für die elektrische Leitung ausreichende Lebensdauer.<br />
Da sie frei beweglich sind, können sie durch eine externe Spannungsquelle abgesaugt werden.