Raster-Tunnel-Mikroskopie - Fakultät für Physik
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Die Eichung der z-Bewegung des Piezos kann nun auf folgende Weise durchgeführt<br />
werden: Nach dem ‘Flammen’ der Probe mit dem Bunsenbrenner und dem anschließenden<br />
Abkühlen, sucht man die Goldoberfläche mit dem RTM nach atomar flachen Bereichen ab,<br />
denen in den meisten Fällen auch Stufen innewohnen. Mit Hilfe der davon erhaltenen RTM-<br />
Bilder können die Stufenhöhen ausgemessen und in einem Histogramm aufgetragen werden.<br />
Auf der x-Achse dieses Schaubilds wird die Stufenhöhe aufgetragen, auf der y-Achse die<br />
absolute Häufigkeit der jeweils gemessenen Stufenhöhe. Aus diesem Histogramm liest man<br />
denjenigen Netzebenenabstand ab, den das RTM mit der derzeitigen Eichung mißt. Der<br />
Vergleich mit dem oben angegebenen Soll-Wert liefert schließlich den neuen Wert für die<br />
Eichung der z-Bewegung des Piezoröhrchens. In Abbildung 6.3.5 sind konkreten Daten<br />
angegeben.<br />
Abb.6.3.5: Histogramm: Es wurden insgesamt 82 Stufenhöhen auf 6 RTM-Bildern dieser Oberfläche<br />
ausgemessen und für das Schaubild verwertet. Die Interpretation des Histogramms ergibt, daß<br />
die monoatomare Stufenhöhe mit dieser Eichung der z-Bewegung des Rohrscanners 0,6Å<br />
beträgt. Folglich mußte die Eichung von 10 Å/V auf 30Å/V erhöht werden.<br />
Über den Ursprung der in Abb.6.3.2 erkennbaren kleinen Löcher kann nur spekuliert<br />
werden. Entweder sind es Adsorbate, die sich auf der Oberfläche angelagert haben und deshalb<br />
eigentlich als topographische Erhebungen abgebildet werden müßten. Wie in Abschnitt 3.4<br />
jedoch erläutert wurde, kann es bei dieser Adsorption von Fremdatomen auf der Oberfläche zu<br />
einer Absenkung der lokalen Elektronenzustandsdichten und so zur Abbildung von Löchern<br />
kommen. Es ist allerdings unwahrscheinlich, daß sich auf einer Edelmetalloberfläche so viele<br />
Adsorbate niederlassen würden. Denkbar wäre jedoch die Anlagerung von Fremdatomen<br />
während des Abkühlvorgangs, wenn die Oberfläche noch in Umordnungsprozessen begriffen<br />
ist.<br />
Eine weitere mögliche Erklärung wäre, daß sich an dieser Stelle der Probenoberfläche<br />
schon beim Aufdampfen viele Fremdatome eingelagert hatten, was bei einer relativ geringen<br />
Aufdampfrate von ungefähr 50Å/min durchaus denkbar ist. Diese Fremdatome wurden dann<br />
während des Heizprozesses durch Oxidation ausgelöst und hinterließen folglich Löcher in der<br />
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