4 Optische Eigenschaften des strukturier - JUWEL ...
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3. Herstellung, Präparation und Charakterisierung der Substrate und Solarzellen<br />
Dieses Verfahren hat zwei Nachteile. Zum einen wird die Oberfläche durch das Ätzen rau<br />
(die „Täler“ in Abbildung 3.4). Dadurch ist der Einfluss der Periode auf die optischen <strong>Eigenschaften</strong><br />
<strong>des</strong> Substrates nicht mehr wesentlich. Zum Anderen verursacht eine lange<br />
Ätzzeit einen Verlust der Struktur. Daher ist die Stufenhöhe der Struktur leider auf ca. 180<br />
nm begrenzt.<br />
2. Aufbringen einer weiteren ZnO-Schicht auf dieser Struktur und anschließender Lift-<br />
Off-Prozess. Mit dieser Methode wurden die besten Ergebnisse erzielt. Sie erlaubt die<br />
reproduzierbare Herstellung von definierten TCO-Gittern. In Abbildung 3.5 ist eine<br />
periodisch <strong>strukturier</strong>te ZnO-Oberfläche dargestellt. Daher soll diese Methode im folgenden<br />
detailliert erläutert werden.<br />
Abbildung 3.5: REM-Aufnahme eines TCO-Gitters mit einer Strukturperiode von 1,2 µm, erreicht mittels Lift-<br />
Off Prozess.<br />
Die prinzipielle Vorgehensweise, um eine beliebige Probe mit einer periodischen Oberflächen<strong>strukturier</strong>ung<br />
zu versehen, ist in Abbildung 3.6 gezeigt. Als Substrate für die Solarzellen<br />
dienen mit ZnO beschichtete Glassubstrate (Corning Typ 7037). Das ZnOa (TCOa) wurde bei<br />
0,3 mTorr, 225 Watt und einer Substrattemperatur von 270°C abgeschieden. Die Schichtdicke<br />
beträgt ca. 500 nm. Die Probe (Glas+TCO) wird zunächst mit einem Positiv-Lack belackt,<br />
welcher anschließend belichtet (Schritt 1) und entwickelt wird (Schritt 2). Bei der Entwicklung<br />
wird an den belichteten Stellen der Photolack entfernt. Dort liegt die Probe frei. Im<br />
nächsten Schritt wird auf die ganze Oberfläche ZnOb gesputtert. Dieses ZnOb (TCOb) wird bei<br />
30 mTorr, 150 Watt und 25 °C Substrattemperatur gesputtert. Dieser zweite Sputterprozess<br />
muss bei niedrigen Temperaturen durchgeführt werden, da sonst der auf der Oberfläche befindliche<br />
Photolack verascht. Niedrige Temperaturen führen zu ZnO-Schichten mit schlechter<br />
Leitfähigkeit. Die übrigen Prozessparameter wurden so angepasst, dass dennoch akzeptable<br />
Werte für die Leitfähigkeit <strong>des</strong> ZnOb bei guter Transmission erzielt werden. Mehr Information<br />
über die ZnO-Schicht sind in [33] zu finden. Beim anschließenden Lift-Off Vorgang<br />
(Schritt 4) wird an den Stellen, wo Photolack war, die darauf befindliche ZnO-Schicht ent-<br />
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