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4 Optische Eigenschaften des strukturier - JUWEL ...

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3. Herstellung, Präparation und Charakterisierung der Substrate und Solarzellen<br />

3.3 Herstellung der Solarzellen<br />

Auf den wie oben beschrieben <strong>strukturier</strong>ten ZnO-Frontkontakten wurden Dünnschichtsolarzellen<br />

aus amorphem (a-Si:H) und mikrokristallinem (µc-Si:H) Silizium hergestellt. Zur Abscheidung<br />

der p-, i- und n-Schichten wurde das PECVD-Verfahren (Plasma Enhanced Chemical<br />

Vapour Deposition) eingesetzt. Bei diesem Verfahren werden die Moleküle der verwendeten<br />

Prozessgase in einem Plasma, welches durch ein Hochfrequenz-Feld aufrecht erhalten<br />

wird, dissoziiert. Die Reaktionsprodukte lagern sich auf der Substratoberfläche ab, was<br />

zur Abscheidung einer Schicht führt. Weitergehende Informationen über dieses Verfahren<br />

finden sich bei Chapman [34], Haefer [35] sowie Frey und Kienel [36]. Die Grundlage zur<br />

Deposition von amorphem Silizium wird bei Madan und Shaw [37], Luft und Tsuo [38], Bruno<br />

et al. [39] und Beneking et al. [40] beschrieben. Die von µc-Si:H sind in Hapke [41] und<br />

Torres [42] beschrieben.<br />

TransferundLadekammer<br />

Schienen<br />

Temperaturfühler<br />

Heizung<br />

Plasma<br />

HF-Generator<br />

Substrathalter<br />

Abbildung 3.7: Schematischer Aufbau der verwendeten PECVD Anlage.<br />

Elektrode<br />

Transportsystem<br />

Für die Präparation der amorphen und mikrokristallinen Siliziumschicht wurden zwei unterschiedliche<br />

PECVD-Anlagen verwendet. Die eine ist für Substrate der Größe 10x10 cm 2 ausgelegt.<br />

Die Abbildung 3.7 zeigt schematisch den inneren Kammeraufbau dieser PECVD-<br />

Anlage. Der Substrathalter besteht aus einem Halterahmen und einer Rückplatte, die durch ihr<br />

Gewicht das Substrat fixiert. Der Substrathalter wird indirekt über ein Heizersystem geheizt.<br />

Die maximale Heizertemperatur beträgt 700°C, die Substrattemperatur beträgt etwa zwei<br />

Drittel der Heizertemperatur. Das HF-Signal wird mit einem Hochfrequenzgenerator erzeugt<br />

und über eine Impedanzanpassungsschaltung kapazitiv eingekoppelt. Die Elektrodenplatte hat<br />

einen Durchmesser von 14,5 cm. Als Gegenelektrode dient der Substrathalter mit dem Substrat.<br />

In dieser Anlage wurden die amorphen Solarzellen hergestellt.<br />

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