4 Optische Eigenschaften des strukturier - JUWEL ...
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3. Herstellung, Präparation und Charakterisierung der Substrate und Solarzellen<br />
3.3 Herstellung der Solarzellen<br />
Auf den wie oben beschrieben <strong>strukturier</strong>ten ZnO-Frontkontakten wurden Dünnschichtsolarzellen<br />
aus amorphem (a-Si:H) und mikrokristallinem (µc-Si:H) Silizium hergestellt. Zur Abscheidung<br />
der p-, i- und n-Schichten wurde das PECVD-Verfahren (Plasma Enhanced Chemical<br />
Vapour Deposition) eingesetzt. Bei diesem Verfahren werden die Moleküle der verwendeten<br />
Prozessgase in einem Plasma, welches durch ein Hochfrequenz-Feld aufrecht erhalten<br />
wird, dissoziiert. Die Reaktionsprodukte lagern sich auf der Substratoberfläche ab, was<br />
zur Abscheidung einer Schicht führt. Weitergehende Informationen über dieses Verfahren<br />
finden sich bei Chapman [34], Haefer [35] sowie Frey und Kienel [36]. Die Grundlage zur<br />
Deposition von amorphem Silizium wird bei Madan und Shaw [37], Luft und Tsuo [38], Bruno<br />
et al. [39] und Beneking et al. [40] beschrieben. Die von µc-Si:H sind in Hapke [41] und<br />
Torres [42] beschrieben.<br />
TransferundLadekammer<br />
Schienen<br />
Temperaturfühler<br />
Heizung<br />
Plasma<br />
HF-Generator<br />
Substrathalter<br />
Abbildung 3.7: Schematischer Aufbau der verwendeten PECVD Anlage.<br />
Elektrode<br />
Transportsystem<br />
Für die Präparation der amorphen und mikrokristallinen Siliziumschicht wurden zwei unterschiedliche<br />
PECVD-Anlagen verwendet. Die eine ist für Substrate der Größe 10x10 cm 2 ausgelegt.<br />
Die Abbildung 3.7 zeigt schematisch den inneren Kammeraufbau dieser PECVD-<br />
Anlage. Der Substrathalter besteht aus einem Halterahmen und einer Rückplatte, die durch ihr<br />
Gewicht das Substrat fixiert. Der Substrathalter wird indirekt über ein Heizersystem geheizt.<br />
Die maximale Heizertemperatur beträgt 700°C, die Substrattemperatur beträgt etwa zwei<br />
Drittel der Heizertemperatur. Das HF-Signal wird mit einem Hochfrequenzgenerator erzeugt<br />
und über eine Impedanzanpassungsschaltung kapazitiv eingekoppelt. Die Elektrodenplatte hat<br />
einen Durchmesser von 14,5 cm. Als Gegenelektrode dient der Substrathalter mit dem Substrat.<br />
In dieser Anlage wurden die amorphen Solarzellen hergestellt.<br />
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