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Deliverables and Services - IHP Microelectronics

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Abb. 8: Blockschaltbild des subharmonischen Empfängers.<br />

Fig. 8: topology of the sub-harmonic receiver.<br />

A u S G e w ä H L t e p r o J e K t e – S e L e C t e d p r o J e C t S<br />

Der Empfänger wurde in der <strong>IHP</strong>-SiGe:C BiCMOS-Technologie<br />

mit f T / f max von 255 GHz /315 GHz produziert.<br />

Abb. 9 zeigt das Chip-Foto des hergestellten Receiver-<br />

Chips. Die Fläche ohne äußere Pads beträgt 900 µm x<br />

620 µm. Für den LNA wurde eine Verstärkung von 14 dB<br />

bei Frequenzen um 120 GHz gemessen, und eine Noise-<br />

Figure von 10 dB. Die Konversionsverstärkung des subharmonischen<br />

Mischers beträgt entsprechend Messung<br />

5 dB bei 122 GHz, mit zusätzlichen 3 dB für den differentiellen<br />

Ausgang. Abb. 10 zeigt die gemessene Konversionsverstärkung<br />

und die Zwischenfrequenz in Abhängigkeit<br />

von der Hochfrequenz für eine HF-Leistung<br />

von -50 dBm am HF-Eingang auf dem Empfänger-Chip.<br />

Die 3-dB B<strong>and</strong>breite reicht von 125 GHz bis 129 GHz.<br />

Die gemessene Noise-Figure beträgt 11 dB bei 127 GHz.<br />

Für den 122 GHz Empfänger lässt sich eine PLL-Funktion<br />

implementieren, indem das Signal des Frequenzteilers<br />

genutzt wird.<br />

Abb. 9: Chip-Photo des Empfängers.<br />

Fig. 9: Receiver chip micrograph.<br />

the receiver was fabricated in SiGe:C BiCMoS technology<br />

with f t / f max of 255 GHz / 315 GHz. Fig. 9 shows<br />

the micrograph of the fabricated receiver chip. the<br />

die area without outer pads is 900 µm x 620 µm. the<br />

measured lnA gain is 14 dB in the frequency region<br />

around 120 GHz <strong>and</strong> the noise figure is about 10 dB.<br />

the measured conversion gain of the sub-harmonic<br />

mixer at 122 GHz is 5 dB with an additional +3 dB due<br />

to the differential output. Fig. 10 presents the singleended<br />

conversion gain <strong>and</strong> the IF-frequency as function<br />

of the RF-frequency for RF-power with -50 dBm<br />

at the RF input port on wafer. the 3-dB b<strong>and</strong>width<br />

is 125 GHz to 129 GHz. the receiver reaches 25 dB<br />

maximum conversion gain at 127 GHz. the measured<br />

noise figure is 11 dB at 127 GHz. pll function can be<br />

implemented in this design by taking advantage of<br />

the integrated frequency divider.<br />

Reference: K. Schmalz, W. Winkler, <strong>and</strong> et al.,<br />

“A 122 GHz receiver in SiGe technology,” proc. BCtM<br />

2009, pp. 182-185 (2009).<br />

Abb. 10: Konversionsverstärkung und Zwischenfrequenz des<br />

Empfängers als Funktion der Hochfrequenz.<br />

Fig. 10: Conversion gain <strong>and</strong> IF-frequency of the receiver<br />

versus RF-frequency.<br />

A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9

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