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A u S G e w ä H L t e p r o J e K t e – S e L e C t e d p r o J e C t S
Typische Photolumineszenz-Spektren, die an verschiedenen
Proben gemessen wurden, sind in Abb. 30 dargestellt.
Ein Vergleich zwischen der Struktur (Abb. 29)
und der Lumineszenz (Abb. 30) zeigt, dass die D1-Intensität
durch die Dichte der Schraubenversetzungen
bestimmt wird. Weiterhin ergibt sich, dass die nichtstrahlende
Rekombinationsaktivität von der Dichte der
Stufenversetzungen abhängt. Die in Abb. 31 graphisch
zusammengestellten Daten liefern einen starken Hinweis
darauf, dass die Versetzungslumineszenz mit aufgespaltenen
Partial-Versetzungen verknüpft ist, da erst
für Drehwinkel α TW > 3° die Transformation des Netzwerkes
in einen Typ mit nicht aufgespaltenen Versetzungen
zu beobachten ist.
Unsere experimentellen Ergebnisse legen den Schluss
nahe, dass Schraubenversetzungen für das Auftreten
der D1-Linie verantwortlich sind, wohingegen Stufenversetzungen
die nicht-strahlende Rekombination an
den Netzwerken sowie die D3- und die D4-Linie (hier
nicht gezeigt) verursachen. Die nicht-strahlende Rekombination
der Stufenversetzungen sollte auf ihre
starke Getterwirkung für sogenannte tiefe Verunreingungen
zurückzuführen sein. Die Getterwirkung der
Schraubenversetzungen ist dagegen sehr gering.
Abb. 30: PL-Spektren der Proben B1-B3, die bei 300 K aufgenommen
wurden. Die Struktur der Proben B1 und B3 ist in Abb. 29
gezeigt.
Fig. 30: pl spectra detected from B1-B3 samples at 300 K.
the microscopic structure of the B1 and B3 samples
are presented in Fig. 29.
Characteristic photoluminescence spectra detected
from different samples are presented in Fig. 30. Comparison
of structure (Fig. 29) and luminescence (Fig.
30) demonstrates that the D1 intensities follow the
density of screw dislocations. Moreover, the non-radiative
recombination activity is determined by the
density of edge dislocations, D eD . the data presented
in Fig. 31 suggest that the dislocation-related luminescence
is related to partial dislocations, since for
α tW > 3° the dislocation network was found to be
transformed to an interfacial network type with nonsplit
dislocations.
the obtained results indicate that screw dislocations
are responsible for D1-peak, whereas edge dislocations
are responsible for the non-radiative recombination
at dislocation networks in silicon and for D3
and D4 peaks (not shown here). the non-radiative
recombination activity of edge dislocations could be
attributed to their strong gettering ability for deep
impurities. Contrary, the gettering ability for the
screw dislocations appears to be small.
Abb. 31: Abhängigkeit der Intensitäten für die integrale Versetzungslumineszenz
I DRL (weiße Kreise) und für die
Band-Band-Lumineszenz I BB (rote Dreiecke) von
R = D SC / D ED (untere und linke Achse) und von D ED
(obere und rechte Achse). Die Meßbedingeungen
entsprechen denen für Abb. 30. Die eingefügten Linien
dienen zur Veranschaulichung.
Fig. 31: Dependencies of integrated DRl and BB signal intensities
I DRl (white circle) and I BB (red triangle) on
R = D SC / D eD (bottom and left axes) and D eD (top and right
axes) respectively. Measurement parameters were similar
to those in Fig. 30. lines are presented to guide the eye.