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A u S G e w ä H L t e p r o J e K t e – S e L e C t e d p r o J e C t S
Alle Strukturen, die der Temperung bei 400 °C nicht
unterzogen wurden, wiesen eine größere Effizienz für
den strahlenden Übergang auf, als die behandelten
MIS-Strukturen. Wie aus Abb. 34 ersichtlich ist, tritt
eine charakteristische Abhängigkeit der EL-Intensität
vom Fluss-Strom auf. Ein ausgeprägtes Maximum
bestimmt den optimalen Strom für jeden Stapel. Der
optimale Injektionsstrom hängt von der Oxiddicke und
der Behandlung nach der Herstellung des Stapels ab.
Die Existenz dieses optimalen Stromes wird durch die
Injektionseigenschaften der MIS-Struktur bestimmt.
Bei gegebenem MIS-Stapel ist die Injektion der Minoritätsladungsträger
in das Substrat für eine bestimmte
Vorspannung optimal und liefert dann das Maximum
der Lumineszenz.
Zusammenfassend kann festgestellt werden, dass unsere
auf HfO 2 basierenden MIS-Strukturen thermisch stabil
sind und eine Effizienz der EL aufweisen, die um ein
Mehrfaches größer ist, als die von vergleichbaren MOS-
Strukturen mit SiO 2 . Da das Licht dieser LEDs aus einem
kleinen Volumen unterhalb des MIS-Stapels emittiert
wird, sind derartige Lichtemitter gut zur Integration in
SOI geeignet.
Generally, the structures not subjected to passivation
annealing step at 400 °C showed significantly higher
efficiencies of the radiative transition. As shown in
Fig. 34 there exists a dependence of the el efficiency
on the forward current. A well pronounced maximum
exists, which determines an optimal current value
for each structure. this optimal injection current
was found to depend on the oxide thickness and the
post deposition treatments. We relate the existence
of such optimal current to the injection properties
of the MIS structure. the injection of minority carriers
in the substrate is optimal and the luminescence
strong only for a certain voltage range.
In conclusion, our MIS structures based on Hfo 2 were
shown to be thermally stable and to exhibit an el
efficiency for Si luminescence which is a few times
stronger than that for comparable MoS structures
using Sio 2 . Due to the fact that the light is emitted
from a small volume below the MIS stack, such a
structure appears to be favourable for integration in
SoI layers.
Abb. 34: Die auf den Strom normierte Intensität der Elektrolumineszenz
als Funktion des Stromes, der durch die
MIS-Struktur fließt, zeigt das Vorhandensein eines
optimalen Stromes, für den die Effizienz der Lumineszenz
maximal ist.
Fig. 34: electroluminescence efficiency dependence on the
current through the MIS structure shows the existence
of an optimal current for maximal luminescence
efficiency.
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