Nachwuchsförderung im Strahlenschutz - Fachverband für ...
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III. Exper<strong>im</strong>enteller Teil<br />
III. 1. Ge(Li) Halbleiterdetektor<br />
Abb. III.1<br />
Die <strong>im</strong> Halbleiter vorhandene dünne Siliciumschicht wurde auf der einen Seite mit<br />
Phosphor (p-Schicht) und auf der anderen Seite mit Bor oder Aluminium (n-Schicht)<br />
eindiffundiert. Dazwischen befindet sich der so genannte p,n-Übergang, an dessen<br />
Grenzen sich entgegengesetzte Raumladungen einstellen. So entsteht die <strong>für</strong> y-<br />
Quanten empfindliche Sperrschicht. Die Größe dieser Schicht kann mit steigender<br />
Spannung vergrößert werden, was <strong>für</strong> die Messung von energiereicher Strahlung<br />
notwendig ist. Eine weitere Möglichkeit um energiereiche Strahlung zu messen, ist<br />
die Eindiffusion von Lithium in die p-Germanium-Schicht, was auch bei dem Modell<br />
in Darmstadt der Fall ist. Allerdings muss bei dieser Methode der Detektor mit flüssigem<br />
Stickstoff gekühlt werden,<br />
um die Diffusion von Lithium zu<br />
verhindern. Trifft nun ein y-Quant<br />
auf den Detektor, erzeugt es<br />
entlang seines Weges durch die<br />
Sperrzone Elektronen-Loch-Paare,<br />
welche durch die angelegte<br />
Spannung zu den Feldgrenzen<br />
Aus Keller, Cornelius: Radiochemie S. 73<br />
Abb. III.2<br />
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