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4 Messungen3000Intensität I (w.E.)25002000150010005000SiSrWO 4SrWO 4La 2O 3LaCrO SrWO SrWO44310° 20° 30° 40° 50° 60° 70° 80° 90° 100°2(a) 1 × 900 ℃ 12 hIntensität I (w.E.)300025002000150010005000SrWO 4SiLa 2O 3SrWO 4LaCrO SrWO 4310° 20° 30° 40° 50° 60° 70° 80° 90° 100°2(b) 2 × 900 ℃ 12 hAbbildung 4.5: ϑ-2ϑ-Scans des La x Sr 2−x CrWO 6 -Targets mit x = 1,542
4.2 Röntgenanalysen30002500SiLaCrO 3Intensität I (w.E.)200015001000WLa 14W 8O 45/ 7LaCrO 3La 14W 8O 45/ 7Sr 2CrWO 6Sr 2CrWO 6500010° 20° 30° 40° 50° 60° 70° 80° 90° 100°2(c) 2 × 900 ℃ 12 h, 1200 ℃ 40 hAbbildung 4.5: ϑ-2ϑ-Scans des La x Sr 2−x CrWO 6 -Targets mit x = 1,5dass Fremdphasen bei jeder Dotierung und nach jedem Verarbeitungsschritt vorhandensind. Der Silizium-Peak ist zu sehen, weil der Probenträger aus Silizium besteht.In Abbildung 4.6 sind ϑ-2ϑ-Scans der fertigen Targetmaterialien bei verschiedenenLanthan-Dotierungen x zu sehen. Sofern Peaks von Sr 2CrWO 6zu sehen sind, deutetderen systematische Verschiebung darauf hin, dass trotz der geringen Anzahl vonVerarbeitungsschritten eine Dotierung mit Lanthan stattgefunden hat. Eine Analyseder Peakhöhen ergibt, dass für die einzelnen Fremdphasen kein durchgängiger Trendder Zu- oder Abnahme mit der Dotierung zu korrelieren ist, lediglich die Konzentrationvon Wolfram steigt monoton mit x ∈ [1,3; 2,0]. Anders verhält es sich bei der Herstellungvon undotiertem Sr 2CrWO 6, bei der mit der Zahl der Verarbeitungsschrittedie Konzentration von Sr 2CrWO 6steigt, während die der Fremdphasen sinkt, sieheAbbildung 4.7 auf Seite 46. Die Art der Verarbeitungsschritte ist der Tabelle 3.1 aufSeite 26 zu entnehmen. Es ist bislang bei keiner Lanthan-Dotierung x ≥ 0 gelungen,polykristallines La xSr 2−xCrWO 6bzw. Sr 2CrWO 6phasenrein herzustellen.4.2.2 FilmdiffraktometrieDer prinzipielle Unterschied zwischen der Film- und der Pulverdiffraktometrie bestehtdarin, dass der Film durch sein epitaktisches Wachstum als Einkristall zu betrachtenist. Das führt unter anderem dazu, dass leichte Fehlstellungen des Kristalls, z. B.aufgrund von Leitsilberresten an der Substratunterseite oder durch Fehlschliff desSubstrats kompensiert werden müssen. Deshalb ist der in Abbildung 4.8 auf Seite 4743
Seite 3 und 4: Inhaltsverzeichnis1 Motivation 52 G
Seite 5 und 6: 1 MotivationWährend davon ausgegan
Seite 7 und 8: 2 GrundlagenDa im Rahmen dieser Arb
Seite 9 und 10: 2.1 MagnetismusAls Maß für das Ve
Seite 11 und 12: 2.1 Magnetismusdes Elektrons bezoge
Seite 13 und 14: 2.1 MagnetismusBei freien Elektrone
Seite 15 und 16: 2.1 MagnetismusHerleitung des Param
Seite 19 und 20: 2.2 Physik der Doppelperowskite2.2.
Seite 21 und 22: 2.3 Einfluss der DotierungAbbildung
Seite 23 und 24: 2.3 Einfluss der DotierungAbbildung
Seite 25 und 26: 3 ProbenherstellungFür die Herstel
Seite 27 und 28: 3.2 Substrat-VorbehandlungLaCrO 4,
Seite 29 und 30: 3.3 Gepulste LaserdepositionGrundzu
Seite 31 und 32: 3.3 Gepulste Laserdepositiontatsäc
Seite 33 und 34: 3.3 Gepulste LaserdepositionProbe G
Seite 35 und 36: 4 MessungenDa sich die Dotierung vo
Seite 37 und 38: 4.1 Reflection High Energy Electron
Seite 39 und 40: 4.2 RöntgenanalysenNicht immer wä
Seite 41: 4.2 RöntgenanalysenAbbildung 4.4:
Seite 45 und 46: 4.2 Röntgenanalysen3000LaCrO 32500
Seite 47 und 48: 4.2 RöntgenanalysenAbbildung 4.8:
Seite 49 und 50: 4.2 RöntgenanalysenIntensität I (
Seite 51 und 52: 4.2 Röntgenanalysen10 4STO(222)Int
Seite 53 und 54: 4.2 RöntgenanalysenAbbildung 4.15:
Seite 55 und 56: 4.2 Röntgenanalysenaussagekräftig
Seite 57 und 58: 4.2 Röntgenanalysenlassen, jedoch
Seite 59 und 60: 4.3 Magnetometriec-Achse (Å)9,39,2
Seite 61 und 62: 4.3 Magnetometriemit der kritischen
Seite 63 und 64: 4.3 MagnetometrieAbbildung 4.23: Gr
Seite 65 und 66: 4.3 MagnetometrieLong Demeaned Volt
Seite 67 und 68: 4.4 Transmissions-Elektronen-Mikros
Seite 69 und 70: 4.4 Transmissions-Elektronen-Mikros
Seite 71: 4.4 Transmissions-Elektronen-Mikros
Seite 74 und 75: 5 Zusammenfassung und Ausblickx 1,
Seite 76 und 77: Literaturverzeichnis[16] J. B. Phil
Seite 79: DankIch danke Prof. Dr. Rudolf Gros

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