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66 PCB dicembre 2012 Riduzione dell’area del loop e del crosstalk Separazione tra tracce rumorose e sensibili È possibile eseguire un accoppiamento capacitivo tra due o più conduttori adiacenti. La variazione di corrente ad alta dv/dt su un conduttore accoppia le correnti tra loro mediante un condensatore parassita. Per ridurre il noise coupling dallo stadio di alimentazione al circuito di controllo è necessario tenere le tracce switching rumorose lontano dalle tracce sensibili di piccolo segnale. Se possibile, le tracce rumorose e quelle sensibili vanno instradate su layer diversi, con un layer di massa interno per schermare il rumore. I seguenti pin del controller LTC3855 hanno tensioni di commutazione con elevata dv/dt: FET driver TG, BG, SW e BOOST. I seguenti pin sono collegati ai nodi di piccolo segnale più sensibi- Fig. 12 - Condensatori di disaccoppiamento del controller e separazione delle masse Fig. 11 - Esempio di layout dello stadio di potenza del convertitore buck a V OUT singola e due fasi li: SENSE+/SENSE–, FB, ITH e SGND. Se queste tracce di segnale sensibili vengono collocate vicino a nodi con dv/dt elevata, le tracce di massa o un layer di massa vanno inseriti tra tali tracce di segnale e le tracce con dv/dt elevata in modo da schermare il rumore. Tracce del gate driver Si consiglia di utilizzare tracce corte e larghe per assegnare segnali del gate driver in modo da ridurre al minimo l’impedenza nel percorsi del gate driver. Nella Fig. 13 le tracce del FET driver superiore TG e SW vanno assegnate con un’area del loop minima per ridurre l’induttanza e il rumore con dv/dt elevata. E la traccia del FET driver inferiore BG va posizionata accanto alla traccia PGND. Se si posiziona un layer PGND sotto la traccia BG, la corrente di ritorno del FET inferiore viene automaticamente accoppiata in un percorso vicino alla traccia BG. La corrente AC scorre dove trova il loop/l’impedenza minimi. In questo caso non occorre una traccia di ritorno PGND separata per il gate driver inferiore. È meglio ridurre al minimo il numero di layer sui quali posizionare le tracce del gate driver. In questo modo si evita che il rumore del gate si diffonda negli altri layer. Fig. 13 - Routing delle tracce del gate driver dei MOSFET
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