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Progettazione e realizzazione di una base robotica bilanciante su ...

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5.3. Elettronica <strong>di</strong> potenza 53quin<strong>di</strong> <strong>di</strong> essere pilotata in modalità sign/magnitude senza feedback <strong>di</strong> corrente,ed è utilizzata per lo sviluppo del controllore basato <strong>su</strong> appren<strong>di</strong>mentoper rinforzo descritto nella Sezione 7.3.5.3.3 Driver PWM in modalità Locked AntiphaseParallelamente alla soluzione descritta nella sezione precedente è stata sviluppata<strong>una</strong> scheda per il controllo dei motori basata <strong>su</strong> un driver per pontiH prodotto da Allegro Micro, modello A3941, e quattro MOSFET <strong>di</strong> potenzaIRF7862.L’integrato A3941 permette <strong>di</strong> pilotare 4 MOSFET a canale N per realizzareun ponte H completo, racchiudendo in un unico package gran partedegli elementi necessari ma lasciando al progettista la libertà <strong>di</strong> scegliere i<strong>di</strong>spositivi <strong>di</strong> potenza a seconda dell’applicazione.L’architettura interna dell’integrato è riportata in Figura 5.12.Il driver implementa i seguenti <strong>di</strong>spositivi:- la logica <strong>di</strong> controllo per la gestione dell’accensione dei segnali <strong>di</strong> gate,l’impostazione dei tempi <strong>di</strong> commutazione nelle varie transizioni e laselezione della modalità <strong>di</strong> funzionamento- un regolatore <strong>di</strong> tensione stabilizzato per l’alimentazione della logicainterna e <strong>di</strong> eventuali <strong>di</strong>spositivi esterni- la circuiteria per la protezione dal <strong>su</strong>rriscaldamento del driver e per la<strong>di</strong>agnosi <strong>di</strong> eventuali anomalie- le pompe <strong>di</strong> carica tramite cui vengono prodotte le tensioni necessarieall’accensione dei gate degli N-MOSFET high-side- i driver per fornire la corrente necessaria all’accensione e allo spegnimentorapido dei MOSFET per permettere <strong>di</strong> operare ad alta frequenzaLe caratteristiche principali dell’integrato sono riportate in Tabella 5.4.I transistor utilizzati sono MOSFET verticali, con <strong>di</strong>odo <strong>di</strong> ricircolo integrato,prodotti dalla International Rectifier sfruttando la teconologia proprietariaHEXFET: essa è un’estensione del concetto <strong>di</strong> struttura inter<strong>di</strong>gitataper la <strong>realizzazione</strong> del gate, utilizzata per aumentare la lunghezza<strong>di</strong> canale W in rapporto alla <strong>su</strong>perficie occupata. La tecnologia HEXFET

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